一种缺陷检测的方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种缺陷检测的方法。本发明专利技术提出一种缺陷检测的方法，通过采用完整的芯片扫描获得电路密度分布图，并以该电路密度分布图设定多个缺陷检测区域，进而利用该缺陷检测区域进行芯片的缺陷检测分析工艺，由于能精准的划分不同电路密度的检测区域，以提高缺陷检测的精度，有效的降低工程师的工作量，从而提高工程师在缺陷检测工艺中的工作效率，进而降低设备的生产时间，大大的提高了检测工艺的生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及。
技术介绍
随着半导体芯片的集成度不断提高，集成电路设计从晶体管的集成发展到逻辑门的集成，现在又发展到IP的集成，使得芯片的集成度越来越高，而芯片上的电路分布也就越来越复杂。在实际的生产过程的缺陷检测工艺中，由于各种缺陷的分布往往和电路在芯片上的密度分布是有很强的相关性，现有技术中一般采用光学检测方法进行芯片上的缺陷检测；图I是本专利技术
技术介绍
中采用光学检测工艺获得的缺陷与芯片上电路密度的关系示意图，由图I可知，金属线的缺陷大多都是位于电路密度相对低的芯片区域。光学检测工艺是通过将一束光先投射到芯片上，然后利用探测器接受反射和/或散射的光信号，再接受的光信号转化为不同亮暗分布的数据图形；图2a_2c是本专利技术
技术介绍
中将电路的光学图转换为数据灰阶图形的示意图，如图2a_2c所示。先采用光信号发射装置发射检测光信号至芯片电路图形I上，然后利用探测器接受芯片电路图形I反射和/ 或折射回的光信号图形2，之后再将光信号图形2转换为灰阶图形3，最后再对相邻芯片组的灰阶图形数据进行比对，以确定缺陷在芯片上的具体位置。但是，由于芯片上的不同电路图形对于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种缺陷检测的方法，其特征在于，？提供一个完整的芯片；扫描所述完整的芯片，获得该完整的芯片的电路密度分布图；根据所述电路密度分布图，设定待检测芯片的多个缺陷检测区域；利用所述多个缺陷检测区域，对所述待检测芯片进行缺陷检测分析。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：倪棋梁，陈宏璘，龙吟，郭明升，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：