热固型芯片接合薄膜制造技术

本发明专利技术提供在通过热固型芯片接合薄膜将半导体芯片芯片接合到被粘物上时，可以防止通过填充材料对该半导体芯片施加局部的应力并由此减少半导体芯片的破损的热固型芯片接合薄膜以及具备该热固型芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜。本发明专利技术的热固型芯片接合薄膜，含有胶粘剂组合物以及包含微粒的填充材料，其中，设所述热固型芯片接合薄膜的厚度为Y（μm）、设所述填充材料的最大粒径为X（μm）时，比率X/Y（-）为1以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在将例如半导体芯片胶粘固定到衬底或引线框等被粘物上时使用的热固型芯片接合薄膜。另外，本专利技术涉及该热固型芯片接合薄膜与切割薄膜层叠而成的切割/芯片接合薄膜。另外，本专利技术涉及使用所述切割/芯片接合薄膜制造半导体装置的方法。
技术介绍
以往，在半导体装置的制造过程中，在引线框或电极构件上固定半导体芯片时采用银浆。所述固定处理通过在引线框的芯片焊盘等上涂布浆状胶粘剂，在其上搭载半导体芯片并使浆状胶粘剂层固化来进行。但是，浆料胶粘剂由于其粘度行为或劣化等而在涂布量或涂布形状等方面产生大的偏差。结果，形成的浆状胶粘剂厚度不均匀，因此半导体芯片的固定强度缺乏可靠性。即，在浆状胶粘剂的涂布量不足时，半导体芯片与电极构件之间的固定强度降低，从而在后续的丝焊工序中半导体芯片剥离。另一方面，在浆状胶粘剂的涂布量过多时，浆状胶粘剂会流延到半导体芯片上而产生特性不良，从而成品率和可靠性下降。这样的固定处理中的问题，伴随半导体芯片的大型化变得特别显著。因此，需要频繁地进行浆状胶粘剂的涂布量的控制，从而给作业性或生产率带来问题。在该浆状胶粘剂的涂布工序中，有将浆状胶粘剂分别涂布到引线框和形成的芯片上的方法。但是，在该方法中，浆状胶粘剂层难以均匀化，并且浆状胶粘剂的涂布需要特殊装置和长时间。因此，提出了切割/芯片接合薄膜，其在切割工序中胶粘保持半导体晶片，并且也提供安装工序所需的芯片固定用胶粘剂层(例如，参考专利文献1)。该切割/芯片接合薄膜中，在支撑基材上以可剥离的方式设置有胶粘剂层（芯片接合薄膜），在该胶粘剂层的保持下对半导体晶片进行切割后，拉伸支撑基材将半导体芯片与胶粘剂层一起剥离，将其分别回收，并通过该胶粘剂层将其固定到引线框等被粘物上。另外，在下述专利文献2中，公开了从赋予导热性、调节熔融粘度、赋予触变性的观点考虑而在胶粘剂层中添加有无机填料等的切割/芯片接合薄膜。但是，所述专利文献2中记载的切割/芯片接合薄膜存在以下问题。即，伴随以存储器为代表的半导体装置的高容量化，将薄层化的半导体芯片以多段状进行层叠的半导体封装成为主流。此外，对半导体封装自身的厚度还存在限制，因此也在正行芯片接合薄膜的薄层化。基于这样的背景，半导体晶片或将其小片化而得到的半导体芯片的机械强度极度下降，因此变得脆弱。因此，在通过芯片接合薄膜将半导体芯片芯片接合到被粘物上时，存在半导体芯片破损的问题。作为所述半导体芯片破损的原因，可以列举芯片接合薄膜中含有的无机填料等填充材料的配合不恰当。即，在芯片接合薄膜中的填充材料的大小不合适、并且其含量也不合适的情况下，芯片接合时施加的接合压力通过填充材料而使得应力局部地集中于半导体芯片，结果导致半导体芯片的破损。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开昭60-57642号公报专利文献2：日本特开2008-88411号公报
技术实现思路
本专利技术鉴于前述问题而创立，其目的在于提供一种在通过热固型芯片接合薄膜将半导体芯片芯片接合到被粘物上时，可以防止通过填充材料对该半导体芯片施加局部的应力并由此减少半导体芯片的破损的热固型芯片接合薄膜，以及具备该热固型芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜。另外，本专利技术提供使用所述切割/芯片接合薄膜制造半导体装置的方法。本专利技术人等为了解决前述现有的问题对热固型芯片接合薄膜及具备该热固型芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜以及半导体装置的制造方法进行了研究。结果发现，通过采用下述构成可以实现前述目的，并且完成了本专利技术。即，本专利技术的热固型芯片接合薄膜，含有胶粘剂组合物以及包含微粒的填充材料，其中，设所述热固型芯片接合薄膜的厚度为Y（μm）、设所述填充材料的最大粒径为X（μm）时，比率X/Y（-）为1以下。根据前述构成，通过将热固型芯片接合薄膜的厚度Y（μm）与所述填充材料的最大粒径X（μm）的关系设定为X/Y≤1，在通过芯片接合薄膜将半导体芯片接合到被粘物上时，可以减少通过填充材料对半导体芯片集中局部的应力。由此，即使半导体芯片薄型化，也可以减少其破损而制造半导体装置，从而提高生产量。在前述构成中，优选所述X（μm）在0.05~5μm的范围内。另外，在前述构成中，优选所述Y（μm）在1~5μm的范围内。另外，在前述构成中，优选所述填充材料的含量相对于所述胶粘剂组合物100重量份在1~80重量份的范围内。另外，在前述构成中，优选所述填充材料的含量相对于所述胶粘剂组合物100体积份在1~40体积份的范围内。另外，在前述构成中，优选所述热固型芯片接合薄膜的粗糙度曲线的最大断面高度Rt在0.1~2.3μm的范围内。另外，本专利技术的切割/芯片接合薄膜，为了解决前述课题，在割薄膜上层叠有前述的热固型芯片接合薄膜。另外，本专利技术的半导体装置的制造方法，为了解决前述课题，使用前述的切割/芯片接合薄膜制造半导体装置，所述方法包括如下工序：以所述热固型芯片接合薄膜为粘贴面，在半导体晶片的背面粘贴所述切割/芯片接合薄膜的粘贴工序；将所述半导体晶片与所述热固型芯片接合薄膜一起切割而形成半导体芯片的切割工序；将所述半导体芯片与所述热固型芯片接合薄膜一起从所述切割/芯片接合薄膜上拾取的拾取工序；和通过所述热固型芯片接合薄膜，在温度100~180℃、接合压力0.05~0.5MPa、接合时间0.1~5秒的范围内的条件下，将所述半导体芯片芯片接合到被粘物上的芯片接合工序。所述方法中，在将半导体芯片芯片接合到被粘物上时，使用将由于在薄膜中配合的填充材料而导致应力在半导体芯片上的集中减少的热固型芯片接合薄膜。因此，虽然在前述的芯片接合条件下进行半导体芯片的芯片接合，但是也可以减少半导体芯片的破损。即，为所述方法时，可以减少半导体芯片的破损、提高生产量而制造半导体装置。专利技术效果本专利技术通过前述的手段可以实现以下效果。即，本专利技术的热固型芯片接合薄膜中，热固型芯片接合薄膜的厚度Y（μm）与填充材料的最大粒径X（μm）的关系为X/Y≤1。由此，在通过热固型芯片接合薄膜将半导体芯片芯片接合到被粘物上时，可以减少薄膜中所含的填充材料对半导体芯片施加局部的应力。结果，可以减少半导体芯片的破损、提高生产量而制造半导体装置。附图说明图1是表示本专利技术的一个实施方式的切割/芯片接合薄膜的剖面示意图。图2是表示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.06.08 JP 2010-1313291.一种热固型芯片接合薄膜，含有胶粘剂组合物以及包含微粒的
填充材料，其中，
设所述热固型芯片接合薄膜的厚度为Y（μm）、设所述填充材料
的最大粒径为X（μm）时，比率X/Y（-）为1以下。
2.如权利要求1所述的热固型芯片接合薄膜，其中，
所述X（μm）在0.05~5μm的范围内。
3.如权利要求1或2所述的热固型芯片接合薄膜，其中，
所述Y（μm）在1~5μm的范围内。
4.如权利要求1至3中任一项所述的热固型芯片接合薄膜，其中，
所述填充材料的含量相对于所述胶粘剂组合物100重量份在1~80
重量份的范围内。
5.如权利要求1至4中任一项所述的热固型芯片接合薄膜，其中，
所述填充材料的含量相对于所述胶粘剂组合物100体积份在1~40
体积份的范围内。
6.如权利要求1至5中任一项所述的热...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上刚一，菅生悠树，三隅贞仁，松村健，高本尚英，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：
国别省市：