压电体薄膜及其制造方法技术

一种压电体薄膜(1)，其是通过溅射得到的并且由钪铝氮化物制成的。其碳原子含有率为2.5原子％以下。在压电体薄膜(1)的制造时，在至少含有氮气的气氛下，从碳原子含有率为5原子％以下的钪铝合金靶材(10)向基板上(21)同时溅射钪和铝。另外，也可以对合金靶材的相对面倾斜地照射离子束(31)来进行溅射。另外，也可以从Sc靶材和Al靶材向基板上同时溅射铝和钪。由此，能够提供可发挥优良的压电特性的压电体薄膜及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】 关联申请的相互参照 本申请以2013年5月31日申请的日本专利申请2013-115477为基础，其公开内 容通过参照的方式并入本申请中。
本申请涉及由钪铝氮化物制成的。
技术介绍
由钪错氮化物（SCxAli ΧΝ ;0〈χ〈1)制成的压电体薄膜与例如氮化错薄膜等相比，能 够显示更高的压电常数。因此，被期待适用于表面弹性波（SAW)元件、具有宽发光波长的发 光二极管（LED)用的发光层、微小机电元件（MEMS)等中。 由钪铝氮化物制成的压电体薄膜可以通过在氮气氛下向基板上溅射钪和铝来制 造（参照专利文献1)。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2009-10926号公报
技术实现思路
可是，通过溅射得到的由钪铝氮化物制成的压电体薄膜在压电特性方面有偏差。 即，即使制作由钪与铝的比率相同的钪铝氮化物制成的压电体薄膜，其压电常数等压电特 性也会产生大幅偏差。因此，有可能未必能够获得显示优良的压电特性的压电体薄膜。 本申请是鉴于上述背景而完成的，提供一种能够发挥优良的压电特性的由钪铝氮 化物制成的。 本专利技术者们发现，压电性能产生偏差的原因在于由钪铝氮化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压电体薄膜，其是通过溅射得到的并且由钪铝氮化物制成的压电体薄膜，其中，碳原子含有率为2.5原子％以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：勅使河原明彦，加纳一彦，秋山守人，西久保桂子，
申请(专利权)人：株式会社电装，独立行政法人产业技术综合研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP