热固型芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供导热性高的热固型芯片接合薄膜、使用了热固型芯片接合薄膜的带切割片的芯片接合薄膜以及半导体装置的制造方法。本发明专利技术涉及一种热固型芯片接合薄膜，其包含导热性颗粒，上述导热性颗粒利用硅烷偶联剂进行了表面处理，上述导热性颗粒的含量相对于热固型芯片接合薄膜整体为75重量％以上，所述热固型芯片接合薄膜在热固化后的导热系数为1W/m·K以上。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供导热性高的热固型芯片接合薄膜、使用了热固型芯片接合薄膜的带切割片的芯片接合薄膜以及半导体装置的制造方法。本专利技术涉及一种热固型芯片接合薄膜，其包含导热性颗粒，上述导热性颗粒利用硅烷偶联剂进行了表面处理，上述导热性颗粒的含量相对于热固型芯片接合薄膜整体为75重量％以上，所述热固型芯片接合薄膜在热固化后的导热系数为lW/m-K以上。【专利说明】热固型芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜及半导体 装置的制造方法
本专利技术涉及热固型芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜以及半导体装置的制 造方法。
技术介绍
近年来，随着半导体装置的数据处理的高速化的推进，来自半导体芯片的发热量 变多，具备散热性的半导体装置的设计的重要性正在增加。热不仅会对半导体装置自身造 成不良影响，对组装有半导体装置的电子仪器主体也会造成各种各样的不良影响。作为用 于散热的封装对策而考虑了各种方法，最重要的是夹着印刷基板、引线框等基板的散热。 因此，以往，在基板与半导体芯片的粘接中，有时使用具有高导热性的粘接剂。以 往，作为该粘接剂，使用了在粘接剂之中导热系数较高的银糊剂。 然而，近年来，由于智能手机、平板电脑的普及、高性能化，随着半导体装置的轻 薄、短小化的推进，对于银糊剂而言，出现了半导体装置的组装困难的状况。 具体而言，在智能手机、平板电脑的用途中使用了封装体，所述封装体使用了芯片 面积小、薄的半导体芯片。然而，想要利用糊剂状的粘接剂来粘接这样的半导体芯片时，会 发生如下的各种制造方面的问题：由于半导体芯片较薄而半导体芯片破损、或者在半导体 芯片的电路面有粘接剂卷入、或者半导体芯片产生倾斜等。另外，在使糊剂状的粘接剂粘接 并固化的工艺中容易产生空隙。因此，在半导体芯片与基板之间产生的空隙会妨碍散热，从 而成为无法表现出所设计的导热性（散热性）等不良的原因。 另一方面，以往已知有片状的芯片接合薄膜（例如参照专利文献1)。若使用这样 的芯片接合薄膜，则能够抑制芯片的破损、粘接剂的卷入、芯片的倾斜。然而，与银糊剂相 t匕，以往的芯片接合薄膜在导热性低的方面存在改良的余地。 现有技术文献专利文献 专利文献1 :日本特开2008-218571号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题 为了使芯片接合薄膜为高导热性，可考虑大量填充导热性颗粒的方法。然而，导热 性颗粒难以在树脂中分散，因此难以大量填充导热性颗粒。 第一本专利技术是鉴于前述问题点而作出的，其目的在于，提供导热性高的热固型芯 片接合薄膜、使用了热固型芯片接合薄膜的带切割片的芯片接合薄膜、以及半导体装置的 制造方法。 用于解决问题的方案 本申请专利技术人等为了解决前述以往的问题点而对热固型芯片接合薄膜进行了研 究。其结果发现，通过采用下述的技术方案，能够大量填充导热性颗粒，可提高导热性，从而 完成了第一本专利技术。 第一本专利技术涉及一种热固型芯片接合薄膜，其包含导热性颗粒，上述导热性颗粒 利用硅烷偶联剂进行了表面处理，上述导热性颗粒的含量相对于热固型芯片接合薄膜整体 为75重量％以上，所述热固型芯片接合薄膜在热固化后的导热系数为lW/m·K以上。 第一本专利技术中，由于使用利用硅烷偶联剂进行了表面处理的导热性颗粒，因此可 提高导热性颗粒的分散性，能够大量填充导热性颗粒。由此，可得到高的导热性。 上述导热性颗粒的导热系数优选为12W/m·K以上。由此，可得到高的导热性。 优选的是，上述硅烷偶联剂包含水解性基团，上述水解性基团为甲氧基和/或乙 氧基。 优选的是，上述硅烷偶联剂包含有机官能团，上述有机官能团包含选自由丙烯酰 基、甲基丙烯酰基、环氧基、苯基氨基组成的组中的至少1种。 优选的是，上述硅烷偶联剂不含伯氨基、巯基以及异氰酸酯基。 优选的是，在130°C下的熔融粘度为300Pa·s以下。由于在通常的芯片接合温度 (120°C?130°C)下的流动性高，因此能追随印刷电路板等被粘物的凹凸，能够抑制空隙的 产生。由此，能够得到空隙少、散热性优异的半导体装置。 优选的是，上述热固型芯片接合薄膜的厚度为50μm以下。 第一本专利技术还涉及一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：准备上述热固 型芯片接合薄膜的工序；以及，夹着上述热固型芯片接合薄膜，将半导体芯片芯片接合到被 粘物上的工序。 第一本专利技术还涉及一种带切割片的芯片接合薄膜，其在切割片上层叠有上述热固 型芯片接合薄膜，所述切割片在基材上层叠有粘合剂层。 第一本专利技术还涉及一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：准备上述带切 割片的芯片接合薄膜的工序；将上述带切割片的芯片接合薄膜的上述热固型芯片接合薄膜 与半导体晶圆的背面进行贴合的工序；将上述半导体晶圆与上述热固型芯片接合薄膜一起 进行切割，形成芯片状的半导体芯片的工序；将上述半导体芯片与上述热固型芯片接合薄 膜一起从上述带切割片的芯片接合薄膜拾取的工序；以及，夹着上述热固型芯片接合薄膜， 将上述半导体芯片芯片接合到被粘物上的工序。 【专利附图】【附图说明】 图1是表示实施方式1的带切割片的芯片接合薄膜的剖面示意图。 图2是表示实施方式1的变形例的带切割片的芯片接合薄膜的剖面示意图。 图3是用于说明实施方式1的半导体装置的制造方法的剖面示意图。 图4是表示实施方式2的带切割片的芯片接合薄膜的剖面示意图。 图5是表示实施方式2的变形例的带切割片的芯片接合薄膜的剖面示意图。 图6是表示实施方式3的带切割片的芯片接合薄膜的剖面示意图。 图7是表示实施方式3的变形例的带切割片的芯片接合薄膜的剖面示意图。 图8是表示实施方式4的带切割片的芯片接合薄膜的剖面示意图。 图9是表示实施方式4的变形例的带切割片的芯片接合薄膜的剖面示意图。 图10是表示实施方式5的带切割片的芯片接合薄膜的剖面示意图。 图11是表示实施方式5的变形例的带切割片的芯片接合薄膜的剖面示意图。 图12是用于说明实施方式5的半导体装置的制造方法的剖面示意图。 附图标记说明 1 基材 2 粘合剂层 3、3'芯片接合薄膜（热固型芯片接合薄膜） 4 半导体晶圆 5 半导体芯片 6 被粘物 7 接合引线 8 封装树脂 10、12带切割片的芯片接合薄膜 11切割片 【具体实施方式】 〈〈第一本专利技术》 以下，示出实施方式1来详细说明第一本专利技术，但第一本专利技术不限定于此。 (带切割片的芯片接合薄膜） 以下对实施方式1的热固型芯片接合薄膜（以下也称为"芯片接合薄膜"）以及带 切割片的芯片接合薄膜进行说明。实施方式1的芯片接合薄膜可列举出在以下说明的带切 割片的芯片接合薄膜中未贴合切割片的状态的芯片接合薄膜。因此，以下对带切割片的芯 片接合薄膜进行说明，关于芯片接合薄膜在其中进行说明。 如图1所示，带切割片的芯片接合薄膜10具备在切割片11上层叠有热固型芯片 接合薄膜3的构成。切割片11是在基材1上层叠粘合剂层2而构成的，芯片接合薄膜3设 置在该粘合剂层2上。芯片接合薄膜3具备用于贴附工件（work)的工件贴附部分3a和配 置在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热固型芯片接合薄膜，其包含导热性颗粒，所述导热性颗粒利用硅烷偶联剂进行了表面处理，所述导热性颗粒的含量相对于热固型芯片接合薄膜整体为75重量％以上，所述热固型芯片接合薄膜在热固化后的导热系数为1W/m·K以上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：木村雄大，三隅贞仁，大西谦司，菅生悠树，宍户雄一郎，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP