一种金属点残留少的电容触摸屏的金属电极制作方法技术

本发明专利技术公开了一种金属点残留少的电容触摸屏的金属电极制作方法，包括以下步骤：在基板上镀ITO薄膜层；在ITO薄膜层上涂布光刻胶；对光刻胶曝光；对光刻胶显影并硬化；蚀刻ITO薄膜层；去除光刻胶；在ITO薄膜层上溅射金属层；涂布二次光刻胶；对二次光刻胶一次曝光；对二次光刻胶二次曝光；对二次光刻胶显影并硬化；蚀刻金属层，形成金属电极图形；去二次光刻胶，形成金属电极。本发明专利技术的方法可以制作出金属层和ITO薄膜层的复合电极，即使表面的金属层被划伤、划断，电极仍然可以使用，本发明专利技术提高了电极的质量、增强电极的耐用性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子元器件领域，特别涉及。
技术介绍
电容触摸屏可实现多点和准确的触摸感应，而且结构简单、透光率高，是当前显示触控技术发展的主流方向。电容触摸屏的触摸感应部件一般为多个行电极、列电极相互交错形成的感应矩阵，行电极和列电极设置在一片透明基板的同一面上。典型的金属电极的制作方法包括第一步镀金属膜；第二步涂布光刻胶；第三步曝光；第四步显影、硬化；第五步蚀刻金属；第六步去除光刻胶；第七部手工点(蚀刻)残留金属点，形成设计图形的单层的金属电极。由于金属电极制作过程中较易产生金属残留现象，从而导致使用人工较多，且效率低，是生产过程的瓶颈部分。针对上述问题进行检索，尚未发现有效的解决方案。
技术实现思路
本专利技术的目的就是针对现有的单层金属电极存在的表面较容易产生金属点从而导致使用人工较多，且效率低，生产过程的瓶颈部分，提供一种。为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案，其特征在于，包括以下步骤(1)、在基板上真空溅射ITO薄膜层，真空度0.0Γ0. 5Pa，温度22(T35(TC，ITO薄膜层的厚度5nm 25nm ；(2)、在ITO薄膜层上涂布光刻胶，将ITO薄膜层覆盖，光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属点残留少的电容触摸屏的金属电极制作方法，其特征在于，包括以下步骤：？？？？（1）、在基板上真空溅射ITO薄膜层，真空度：0.01~0.5Pa，温度：220~350℃，ITO薄膜层的厚度5nm~25nm；？？？？（2）、在ITO薄膜层上涂布光刻胶，将ITO薄膜层覆盖，光刻胶的厚度1000~2000nm，均匀性10%以内，预烘温度：60~100℃；？？？？（3）、对光刻胶进行曝光，即在光刻胶上光刻电极图形，曝光条件为：紫外光波长：365nm，光通量：60~150mj，ITO电极图案的光罩是菲林或者铬板，菲林或者铬板距离基板的尺寸：20微米~200微米；（4）、对光刻胶进行显影并硬化，显影采...

【技术特征摘要】
1.一种金属点残留少的电容触摸屏的金属电极制作方法，其特征在于，包括以下步骤 (1)、在基板上真空溅射ITO薄膜层，真空度0.0Γ0. 5Pa，温度22(T35(TC，ITO薄膜层的厚度5nm 25nm ； (2)、在ITO薄膜层上涂布光刻胶，将ITO薄膜层覆盖，光刻胶的厚度100(T2000nm，均匀性10%以内，预烘温度:60 100。。； (3)、对光刻胶进行曝光，即在光刻胶上光刻电极图形，曝光条件为紫外光波长365nm，光通量6(Tl50mj，ITO电极图案的光罩是菲林或者铬板，菲林或者铬板距离基板的尺寸20微米 200微米； (4)、对光刻胶进行显影并硬化，显影采用有机碱，浓度广4%，或者NaOH，浓度O.I O. 8%，温度2(T40°C，时间20秒 300秒，硬化温度8(Tl20°C，时间20 50分钟； (5)、蚀刻ITO薄膜层，形成ITO薄膜层电极图形，蚀刻使用材料HCL109T20%+HN032% 10%，温度4(T60°C，时间:120 600 秒； (6)、去除光刻胶，形成ITO电极，使用材料有机溶液，有机溶液为二甘醇丁醚80^90%+已醇胺10% 20%，时间5分钟内，最后用纯水漂洗； (7)、在ITO薄膜层电极图形层...

【专利技术属性】
技术研发人员：周朝平，肖新煌，
申请(专利权)人：晟光科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：