【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及制备复合材料方法，尤其涉及。在传统的粉末冶金工程中，低熔点金属熔体向高熔点金属颗粒预制件自发渗入是一项传统技术。一般而言，金属与金属间的浸润性较好，自发渗入是一项易行的技术。将自发渗入技术引入陶瓷金属基复合材料制备的最大困难是金属类熔体一般不浸润陶瓷颗粒，熔体的渗入需借助外压的作用。典型的例子是铝合金熔体向碳化硅粉体预制件压力下的渗入，这是近十年来广泛研究的一项技术。由于浸润性差组分间界面结合强度低以及碳化硅分散的困难，使这些研究未能取得长足进步。加之设备昂贵，形状单一，也限制了这项技术的发展。金属熔体向碳化硅颗粒预制件渗入的另一障碍是大多数金属与碳化硅反应生成硅化物和碳或碳化物和硅。因此寻求能自发渗入碳化硅颗粒预制件的适当金属熔体十分困难。本专利技术的目的是提供一种获得高增强剂含量，高致密度的。为了达到上述目的本专利技术采取下列措施，以纯钴、铁、钛、硅为原料，按分子式Co1.00～1.09Si0.91～1.00，CoTi0.00～0.08Si0.92～1.00，Fe4～6Si2～4的配比配料，在感应电炉中熔炼，熔炼温度为熔点Tm+0℃～Tm+...
【技术保护点】
一种金属硅化物熔体浸渗碳化硅坯件制备复合材料方法，其特征在于：以纯钴、铁、钛、硅为原料，按分子式Ｃｏ↓［１．００～１．０９］Ｓｉ↓［０．９１～１．００］，ＣｏＴｉ↓［０．００～０．０８］Ｓｉ↓［０．９２～１．００］，Ｆｅ↓［４～６］Ｓｉ２～４］的配比配料，在感应电炉中熔炼，熔炼温度为熔点Ｔｍ＋０℃～Ｔｍ＋２００℃，液相完全形成后，保温１０～６０ｍｉｎ，在交流感应搅拌的条件下，熔体均质化，熔炼始终在５０乇～１０００乇正压氩气保护下完成，冷却后得到球形锭，破碎后待作渗入用；颗粒度为０．３～１０μ的碳化硅粉料在钢模中柱杆双向推进成形，获得相对密度在５０～６５％待渗碳化硅圆片状预制...
【技术特征摘要】
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