本发明专利技术公开了一种无引线封装的金属薄膜压力传感器及其制备方法。所述无引线封装的金属薄膜压力传感器包括金属薄膜压力传感器芯片，玻璃密封罩，导电金属引针和导电金属料。本发明专利技术替代了传统工艺中的引线、转接及封装等多个工艺步骤，大大简化了薄膜压力传感器的制作工艺，使薄膜压力传感器的外形尺寸大大缩小，为薄膜压力传感器的一些如超低温介质压力测量的特殊应用提供了可靠保证；并且采用这种发明专利技术的薄膜压力传感器制备工艺简单，结构可靠。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于薄膜特种传感器
，具体涉及。通过采用半导体工艺技术中的键合和真空退火工艺，实现金属薄膜压力传感器的无引线封装，工艺简单，体积小巧，避免了传统引线方式存在的不可靠因素。
技术介绍
金属薄膜压力传感器作为“第三代传感器”，由于取消了传统应变片的黏结，蠕变小，抗振抗冲击能力强，稳定性好，可靠性高，一直是各种恶劣环境下压力测量的优选传感器。—些特殊场合,如火箭发动机液氢、液氧燃料压力的测量，导弹发动机燃烧压力参 数的测量，需要压力传感器具有耐超低温、高温或小型化的特点，各种航天、航空等军事上 的应用要求传感器具有高可靠性，传统的金属丝引线方式会带来不可预计的可靠性问题，尤其是在超低温或高振动等恶劣环境中。因此，需要一种改变传统引线封装方式的全新设计，完成无引线封装。取消金属丝引线和内部转接的结构设计，提高金属薄膜压力传感器的可靠性，减小封装体积。专利技术人曾在专利CN202382900 U中介绍了一种应变式压力传感器的绝压封装结构，金属薄膜压力传感器芯片焊接在基座上，芯片引线通过压焊硅铝丝，并利用导电胶辅助固定的方式；内部还设计有引线板，固定在焊接在基座上的下支架上，硅铝丝连接到引线板，再设计一种金属密封接头，利用电子束焊接在基座上，实现密封真空封装，金属密封接头上通过玻璃烧结有电气引针，实现从真空腔到外部调理电路的电信号输出连接，从而完成一个金属薄膜压力传感器的引线真空封装。该专利技术的应变式压力传感器体积较大，内部引线转接多次，存在一定的不可靠性，且金属丝连接容易结露、凝霜，造成短路或其他失效。
技术实现思路
本专利技术旨在克服现有技术的不足，提供。为了达到上述目的，本专利技术提供的技术方案为 参见图I和图2，所述无引线封装的金属薄膜压力传感器包括金属薄膜压力传感器芯片2，玻璃密封罩3，导电金属引针4和导电金属料5 ;所述金属薄膜压力传感器芯片2包括不锈钢杯21，设于不锈钢杯21上的不锈钢镜面圆环24 ;不锈钢杯21表面不锈钢镜面圆环24以外的区域设有多层薄膜22 ;所述多层薄膜22包括引线焊盘23 ;所述玻璃密封罩3上设有与引线焊盘23对应的通孔31 ;玻璃密封罩3与不锈钢杯21上的不锈钢镜面圆环24键合；所述通孔31中填充导电金属料5，导电金属引针4插入充满导电金属料5的通孔31中，通过导电金属料5实现通孔31的金属化，实现导电金属引针4与金引线焊盘23的无引线连接。其中，所述玻璃密封罩3材料为LAZS系统微晶玻璃；所述导电金属引针4材料为4J29铁镍钴可伐合金；所述导电金属料5为Au ;所述不锈钢镜面圆环24外径为15mm 22mm,内径为8mm 15mm ;所述引线焊盘23材料为Au,厚度为0·2μηι 0·5μηι ;所述通孔31为锥形。上述金属薄膜压力传感器的制备方法，包括如下步骤 (1)加工玻璃密封罩，在玻璃密封罩上形成与引线焊盘对应的通孔； (2)抛光、清洗、干燥不锈钢杯和玻璃密封罩； (2)将不锈钢杯与不锈钢镜面圆环掩膜套装在一起并放于沉积镀膜系统的行星架上； (3)依次在不锈钢杯表面淀积多层薄膜，沉积完成后即制得金属薄膜压力传感器芯片; (4)将金属薄膜压力传感器芯片和玻璃密封罩按通孔与引线焊盘匹配安装，在玻璃密 封罩与不锈钢镜面圆环接触的环区加压键合； (6)在玻璃密封罩的通孔中注入导电金属料，插入金属引针，用特定夹具固定后，进行真空退火；制得无引线封装的金属薄膜压力传感器。其中，步骤(I)是通过包括激光、超声波打孔、湿法或干法刻蚀技术等在内的物理或化学方法对玻璃密封罩加工；步骤(4)所述的键合为阳极键合，工艺条件是键合温度为150°C 400°C，键合电压为200V 1000V，键合时间为10 min 50min ;步骤(6)所述的真空退火条件是温度为250 350°C ;退火时间为10 20min，退火气氛为真空。与现有技术相比，本专利技术的有益效果为 本专利技术由于采用无引线封装工艺技术，替代了传统金丝或其他金属丝引线的工艺方式，减少了压焊引线和金属丝自身的不可靠因素；本专利技术的使用直接替代了传统工艺中的引线、转接及封装等多个工艺步骤，大大简化了薄膜压力传感器的制作工艺，使薄膜压力传感器的外形尺寸大大缩小，为薄膜压力传感器的一些如超低温介质压力测量的特殊应用提供了可靠保证；并且采用这种专利技术的薄膜压力传感器制备工艺简单，结构可靠；本专利技术的传感器能可靠地应用在超低温、高温或一些高振动、高可靠度要求的压力测量场合。附图说明图I是本专利技术无引线封装的金属薄膜压力传感器的结构示意 图2是本专利技术无引线封装的金属薄膜压力传感器中金属薄膜压力传感器芯片的结构示意图。图中1、无引线封装的金属薄膜压力传感器；2、金属薄膜压力传感器芯片；3、玻璃密封罩；4、导电金属引针；5、导电金属料；21、不锈钢杯；22、多层薄膜；23、引线焊盘；24、不锈钢镜面圆环；31、通孔。具体实施例方式实施例I 参见图I和图2，所述无引线封装的金属薄膜压力传感器I包括金属薄膜压力传感器芯片2，玻璃密封罩3，导电金属引针4和导电金属料5 ;所述金属薄膜压力传感器芯片2包括不锈钢杯21，设于不锈钢杯21上的不锈钢镜面圆环24 ;不锈钢杯21表面不锈钢镜面圆环24以外的区域设有多层薄膜22 ;所述多层薄膜22包括引线焊盘23 ;所述玻璃密封罩3上设有与引线焊盘23对应的通孔31 ;玻璃密封罩3与不锈钢杯21上的不锈钢镜面圆环24键合；所述通孔31中填充导电金属料5，导电金属引针4插入充满导电金属料5的通孔31中，通过导电金属料5实现通孔31的金属化，实现导电金属引针4与金引线焊盘23的无引线连接。其中，所述玻璃密封罩3材料为LAZS系统微晶玻璃；所述导电金属引针4材料为4J29铁镍钴可伐合金；所述导电金属料5为Au ;所述不锈钢镜面圆环24外径为15mm 22mm,内径为8mm 15mm ;所述引线焊盘23材料为Au,厚度为0·2μηι 0·5μηι ;所述通孔31为锥形。实施例2 本专利技术所述一种无引线封装的金属薄膜压力传感器工艺方法包括以下步骤 (1)加工玻璃密封罩，在玻璃密封罩上形成与引线焊盘对应的通孔； (2)抛光、清洗、干燥不锈钢杯和玻璃密封罩； (2)将不锈钢杯与不锈钢镜面圆环掩膜套装在一起并放于沉积镀膜系统的行星架上； (3)依次在不锈钢杯表面淀积多层薄膜，制得金属薄膜压力传感器芯片； (4)将金属薄膜压力传感器芯片和玻璃密封罩按通孔与引线焊盘匹配安装，在玻璃密封罩与不锈钢镜面圆环接触的环区加压键合； (6)在玻璃密封罩的通孔中注入导电金属料，插入金属引针，用特定夹具固定后，进行真空退火；制得无引线封装的金属薄膜压力传感器。其中，步骤(I)是通过包括激光、超声波打孔、湿法或干法刻蚀技术等在内的物理或化学方法对玻璃密封罩加工；步骤(4)所述的键合为阳极键合，工艺条件是键合温度为150°C 400°C，键合电压为200V 1000V，键合时间为10 min 50min ;步骤(6)所述的真空退火条件是温度为250 350°C ;退火时间为10 20min，退火气氛为真空。上述实施例阐明的内容应当理解为这些实施例仅用于更清楚地说明本专利技术，而不用于限制本专利技术的范围，在阅读了本专利技术之后，本本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种无引线封装的金属薄膜压力传感器，其特征在于，所述无引线封装的金属薄膜压力传感器（1）包括金属薄膜压力传感器芯片（2），玻璃密封罩（3），导电金属引针（4）和导电金属料（5）；所述金属薄膜压力传感器芯片（2）包括不锈钢杯（21），设于不锈钢杯（21）上的不锈钢镜面圆环（24）；不锈钢杯（21）表面不锈钢镜面圆环（24）以外的区域设有多层薄膜（22）；所述多层薄膜（22）包括引线焊盘（23）；所述玻璃密封罩（3）上设有与引线焊盘（23）对应的通孔（31）；玻璃密封罩（3）与不锈钢杯（21）上的不锈钢镜面圆环（24）键合；所述通孔（31）中填充导电金属料（5），导电金属引针（4）插入充满导电金属料（5）的通孔（31）中。
【技术特征摘要】
1.一种无引线封装的金属薄膜压力传感器，其特征在于，所述无引线封装的金属薄膜压力传感器(I)包括金属薄膜压力传感器芯片(2),玻璃密封罩(3),导电金属引针(4)和导电金属料(5);所述金属薄膜压力传感器芯片(2)包括不锈钢杯(21)，设于不锈钢杯(21) 上的不锈钢镜面圆环(24);不锈钢杯(21)表面不锈钢镜面圆环(24)以外的区域设有多层薄膜(22);所述多层薄膜(22)包括引线焊盘(23);所述玻璃密封罩(3)上设有与引线焊盘 (23)对应的通孔(31);玻璃密封罩(3)与不锈钢杯(21)上的不锈钢镜面圆环(24)键合；所述通孔(31)中填充导电金属料(5),导电金属引针(4)插入充满导电金属料(5)的通孔(31) 中。2.如权利要求I所述的传感器，其特征在于，所述玻璃密封罩(3)材料为LAZS系统微晶玻璃；所述导电金属引针(4)材料为4J29铁镍钴可伐合金；所述导电金属料(5)为Au。3.如权利要求I所述的传感器，其特征在于，所述不锈钢镜面圆环(24)外径为15mm 22mm,内径为8_ 15mm。4.如权利要求I所述的传感器，其特征在于，所述引线焊盘(23)材料为Au，厚度为 O. 2 μ m O. 5 μ m。5.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢锋，何迎辉，景涛，张琦，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十八研究所，
类型：发明
国别省市：
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