一种多量程集成压力传感器芯片制造技术

本发明专利技术是一种多量程集成压力传感器芯片，包括硅衬底，在硅衬底上设置两个或两个以上不同量程压力传感器，由腐蚀孔、膜片、应变电阻构成；在膜片上表面设有四个互相对称的应变电阻，四个应变电阻通过导线连接成惠斯通电桥；膜片与硅衬底相连并构成腔体，膜片支撑边缘设置有腐蚀孔。本发明专利技术具有体积小、量程宽、低压灵敏度高、温漂系数小和制造工艺与集成电路工艺兼容的特点，本发明专利技术可用于汽车中多路压力测量、环境控制压力测量、航空系统以及石油化工等领域中的压力测量，适于推广应用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种多量程集成压力传感器芯片，其特征在于：包括硅衬底（1），在硅衬底（1）上设置有不同量程压力传感器，称为小量程传感器（6）和大量程传感器（7），每个传感器由腐蚀孔（2）、膜片（3）、应变电阻（4）构成；在膜片（3）上面设有四个互相对称的应变电阻（4），四个应变电阻通过导线连接成惠斯通电桥，将压力转换成电压输出；膜片（3）与硅衬底（1）相连并构成腔体（8），膜片（3）支撑边缘设置有腐蚀孔（2）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：揣荣岩，王健，刘斌，
申请(专利权)人：沈阳工业大学，
类型：发明
国别省市：