【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于半导体晶圆等离子处理的设备与方法，特别是通过控制等离子电位而改善等离子约束的设备与方法。
技术介绍
半导体晶圆(“wafer”)制造经常包含暴露晶圆于等离子，以允许等离子的反应性成分来修饰晶圆表面。晶圆的等离子处理一般在室中执行，在其中，反应物气体暴露于射 频(RF)电力以被转换进入等离子。一般室内的等离子约束在高反应物气体流速时会丧失。我们相信该种等离子约束的丧失是由于在等离子和室之间的区域中的帕邢崩溃(Paschenbreakdown)。如果存在充满中性气体的电场，则导入中性气体内的电子将获得能量。然而，这些相同的电子经过与中性气体分子的碰撞也将损失能量。平均而言，如果电子的能量增益大到足以离子化中性气体，等离子崩溃将发生。在Paschen模型中，电子和中性气体分子间的碰撞效果通过乘积(P*d)加以特征化，其中(P)为中性气体压力，且(d)为装置的特征标度长度(即较高电位区域与地面之间的距离)。Paschen模型针对等离子无约束定性地解释了许多观察到的反应物气体流速阈值趋势。因此，等离子约束的努力一般都集中在使(P*d)的乘积最小化。然而，...
【技术保护点】
一种用于半导体晶圆等离子处理的设备，其包括：室；下电极，其设置于该室内并用于传送射频电流通过该室，该下电极用于支持暴露于等离子的半导体晶圆，该等离子通过该射频电流而产生于该室内；以及上电极，其设置于该下电极上方，且与该下电极具有分隔关系，其中该上电极由掺杂半导体材料加以定义，其中该上电极内的掺杂浓度由该上电极的中心至周围呈放射状变化。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：道格拉斯·凯尔，李路明，列扎·萨亚迪，埃里克·赫德森，埃里克·伦茨，拉金德尔·德辛德萨，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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