一种调节氢气露点还原氧化钼的方法技术

一种调节氢气露点还原氧化钼的方法，涉及一种利用氢气还原氧化钼的生产钼粉方法。其特征在于在氧化钼－钼粉的还原工艺过程中，第一段还原的氢气露点为０～＋２０℃的湿氢；第二段还原的氢气的露点为－３０～－６０℃的干氢。本发明专利技术的一种调节氢气露点还原氧化钼的方法，第一段还原要求露点为０～＋２０℃的湿氢，使反应速率及放热过程可控，形成产物形貌对最终产品起重要作用；第二段还原则为了使反应加快及还原完全，则需要露点为－３０～－６０℃的干氢。通过提供不同露点的氢气用于氧化钼还原，得到的钼粉粒度均匀、形貌规则质量高。

【技术实现步骤摘要】

，涉及一种利用氢气还原氧化钼的生 产钼粉方法。
技术介绍
在氢气还原氧化钼生产钼粉的过程中，通常是使用纯氢进行还原。氢气生 产厂家也大多致力于高纯气体的生产。氢气露点是反映气体中微量水蒸汽的含量。通常情况下，要求氢气纯度高，露点为-30 -60℃。但在有氢气参加的化 学反应中，并不是露点越低越好，有时候气体中水蒸汽分压直接影响反应的产 物，这就需要一种露点可调的装置技术来使反应可控，得到理想的目标产品。氢气露点对反应过程的放热控制、最终产品形貌等起关键的作用，而且不 同反应阶段需要的氢气露点不同。在国外生产企业中，通常采用氢气回收系统 来调节将工艺过程产生的含水气体通过千燥器，不同程度地吸附水分而提供干氢，再给设备通入湿氢，在设备内部得到不同露点需求的工艺段。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能使氧化钼还原的反应过程可控，得到质量优 良的调节氢气露点还原氧化钼的方法。 本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的。 ，其特征在于在氧化钼-钼粉的还原工艺过程中，第一段还原的氢气露点为0 +2(TC的湿氢；第二段还原的氢气的露 点为-30 -60℃的干氢。本专利技术的，其特征在于其还本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种调节氢气露点还原氧化钼的方法，其特征在于在氧化钼－钼粉的还原工艺过程中，第一段还原的氢气露点为０～＋２０℃的湿氢；第二段还原的氢气的露点为－３０～－６０℃的干氢。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘俊怀，王仙琴，
申请(专利权)人：金堆城钼业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：61[中国|陕西]