一种调节氢气露点还原氧化钼的方法，涉及一种利用氢气还原氧化钼的生产钼粉方法。其特征在于在氧化钼－钼粉的还原工艺过程中，第一段还原的氢气露点为０～＋２０℃的湿氢；第二段还原的氢气的露点为－３０～－６０℃的干氢。本发明专利技术的一种调节氢气露点还原氧化钼的方法，第一段还原要求露点为０～＋２０℃的湿氢，使反应速率及放热过程可控，形成产物形貌对最终产品起重要作用；第二段还原则为了使反应加快及还原完全，则需要露点为－３０～－６０℃的干氢。通过提供不同露点的氢气用于氧化钼还原，得到的钼粉粒度均匀、形貌规则质量高。
【技术实现步骤摘要】
，涉及一种利用氢气还原氧化钼的生 产钼粉方法。
技术介绍
在氢气还原氧化钼生产钼粉的过程中，通常是使用纯氢进行还原。氢气生 产厂家也大多致力于高纯气体的生产。氢气露点是反映气体中微量水蒸汽的含量。通常情况下，要求氢气纯度高，露点为-30 -60℃。但在有氢气参加的化 学反应中，并不是露点越低越好，有时候气体中水蒸汽分压直接影响反应的产 物，这就需要一种露点可调的装置技术来使反应可控，得到理想的目标产品。氢气露点对反应过程的放热控制、最终产品形貌等起关键的作用，而且不 同反应阶段需要的氢气露点不同。在国外生产企业中，通常采用氢气回收系统 来调节将工艺过程产生的含水气体通过千燥器，不同程度地吸附水分而提供干氢，再给设备通入湿氢，在设备内部得到不同露点需求的工艺段。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能使氧化钼还原的反应过程可控，得到质量优 良的调节氢气露点还原氧化钼的方法。 本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的。 ，其特征在于在氧化钼-钼粉的还原工艺过程中，第一段还原的氢气露点为0 +2(TC的湿氢；第二段还原的氢气的露 点为-30 -60℃的干氢。本专利技术的，其特征在于其还原过程采 用的氢气是以露点约-6(TC的干氢作为氢气源，通过加湿的方法调节露点的。本专利技术的，其特征在于所述的氧化钼-钼粉的还原工艺过程中第一段还原为三氧化钼还原为二氧化钼；其工艺条件为 首先给还原炉通氢升温,加热到工艺要求温度，既五温区温度为I区380°C II区 420" Ill区4S0。C IV区550°C V区500°C;调节氢气露点为+5℃,氢气流量 0.2mVh，给料舟加二氧化钼700克/舟，以每30分钟推2舟的速度进行推出料，来完成二氧化钼的加工；第二段还原为二氧化钼还原为钼粉；其工艺条件同样 是先给还原炉通氢升温，加热到工艺要求温度，既五温区温度为I区89CTC II区 950°C III区1000°C IV区1050°C V区980°C ;调节氢气露点为-40°C ，氢气流 量为0. 3Nm7h，给料舟加二氧化钼800克/舟，以每40分钟推2舟的速度进行 推出料，来完成钼粉的加工。本专利技术的，其特征在于其调节氢气露 点的过程通过三个回路分别提供干氢、湿氢及不同露点的氮-氢混合气体；氢气 露点常温加湿及加热加湿方法。本专利技术的，其特征在于其调节氢气露 点的过程为将干氢直接与露点仪连接，测出干氢露点；干氢经过加湿器形成湿 氢，与露点仪连接测出加湿后氢气的露点供还原使用。本专利技术的，其特征在于其调节氢气露 点的过程为是将干湿氢的混合，将氮-氢混合后与露点仪连接，测出混合气体的 露点供还原过程使用。本专利技术的，第一段还原要求露点为0 +20^的湿氢，使反应速率及放热过程可控，形成产物形貌对最终产品起重要作 用；第二段还原则为了使反应加快及还原完全，则需要露点为-30 -6(TC的干 氢。本专利技术的方法，通过提供不同露点的氢气用于氧化钼还原，得到的钼粉粒 度均匀、形貌规则质量高。附图说明图l为实施例l的产品形貌图。具体实施例方式，在氧化钼-钼粉的还原工艺过程中， 第一段还原的氢气露点为0 +2(TC的湿氢；第二段还原的氢气的露点为-30 -60'C的干氢；其调节氢气露点的过程通过三个回路分别提供干氢、湿氢及不同 露点的氮-氢混合气体；氢气露点常温加湿及加热加湿方法。本专利技术在氧化钼-钼粉的还原工艺过程中起到至关重要的作用。第一段还原 要求露点为0 +2(TC的湿氢，使反应速率及放热过程可控，形成产物形貌对最 终产品起重要作用；第二段还原则为了使反应加快及还原完全，则需要露点为-30 -60℃的干氢。而且随原料及设备的不同，工艺气体露点也有不同的需求，因此露点调节装置是还原工艺的重要组成部分。实施例1在三氧化钼第一还原段，工艺需要露点为+5℃，氢气流量0.2Nm3/h，打开氢 气露点调节器加湿器，打开加热开关，加热温度设为30°C;按工艺需求调节湿 氢流量，则可以稳定输出+5℃的氢气。在三氧化钼第二还原段，工艺需要露点为-40℃，氢气流量0.3NmVh打开 加湿器但不加热，打开干、湿氢流量计，调节干-湿氢流量比例，达到工艺需求。 产品钼粉粒度均匀，形貌规则，产品形貌图l。实施例2在三氧化钼第一还原段，工艺露点为0°C，氢气流量0.2Nm3/h，在三氧化 钼第二还原段，工艺露点为-30℃，氢气流量0.3Nm3/h;产品钼粉粒度均匀，形 貌规则，产品形貌好。实施例3在三氧化钼第一还原段，工艺露点为+20℃，氢气流量0.2Nm3/h，在三氧化 钼第二还原段，工艺露点为-60°C，氢气流量0.3Nm3/h，产品钼粉粒度均匀，形 貌规则，产品形貌好。权利要求1.，其特征在于在氧化钼-钼粉的还原工艺过程中，第一段还原的氢气露点为0～+20℃的湿氢；第二段还原的氢气的露点为-30～-60℃的干氢。2. 根据权利要求1所述的，其特征在 于其还原过程采用的氢气是以露点约-6(TC的干氢作为氢气源，通过加湿的方法 调节露点的。3. 根据权利要求1所述的，其特征在 于所述的氧化钼-钼粉的还原工艺过程中第一段还原为三氧化钼还原为:::::::氧化 钼；第二段还原为二氧化钼还原为钼粉。4. 根据权利要求l所述的，其特征在 于其调节氢气露点的过程通过三个回路分别提供干氢、湿氢及不同露点的氮-氢 混合气体；氢气露点常温加湿及加热加湿方法。5. 根据权利要求1所述的，其特征在 于其调节氢气露点的过程为将干氢直接与露点仪连接，测出干氢露点；干氢经 过加湿器形成湿氢，与露点仪连接测出加湿后氢气的露点供还原使用。6. 根据权利要求1所述的，其特征在 于其调节氢气露点的过程为是将干湿氢的混合，将氮-氢混合后与露点仪连接， 测出混合气体的露点供还原过程使用。全文摘要，涉及一种利用氢气还原氧化钼的生产钼粉方法。其特征在于在氧化钼-钼粉的还原工艺过程中，第一段还原的氢气露点为0～+20℃的湿氢；第二段还原的氢气的露点为-30～-60℃的干氢。本专利技术的，第一段还原要求露点为0～+20℃的湿氢，使反应速率及放热过程可控，形成产物形貌对最终产品起重要作用；第二段还原则为了使反应加快及还原完全，则需要露点为-30～-60℃的干氢。通过提供不同露点的氢气用于氧化钼还原，得到的钼粉粒度均匀、形貌规则质量高。文档编号B22F9/22GK101200000SQ20071017966公开日2008年6月18日 申请日期2007年12月17日 优先权日2007年12月17日专利技术者刘俊怀, 王仙琴 申请人:金堆城钼业股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种调节氢气露点还原氧化钼的方法，其特征在于在氧化钼－钼粉的还原工艺过程中，第一段还原的氢气露点为０～＋２０℃的湿氢；第二段还原的氢气的露点为－３０～－６０℃的干氢。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘俊怀，王仙琴，
申请(专利权)人：金堆城钼业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：61[中国|陕西]
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