【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子级高纯钼粉还原生产的一种新型纯钼还原舟皿以及避免其还原时氧化"塌边"的方法。专利技术背景由于钼是一种熔点为2625°C的难熔金属，在高温下具有很强的抗张强度、 抗蠕变强度以及良好的耐热性，与硅接近的低热膨胀系数，导热率和导电率均高， 同时对液态金属、钾、钙、铋和铯等和其它熔盐有良好的抗蚀性，因此，它以各 种形式应用于国民经济各个领域中，如宇航和核能，照明电器和电子器件，真空 炉和保护气氛电炉，金属压力加工、玻璃工业等。高科技的迅速发展，也为钼的 新应用和发展开辟了十分广阔的前景。如超高纯钼在微电子技术中的应用，用高 纯和超高纯钼同硅共溅制取的MoSi2在微电子器中用作集成线路的更为优良的 布线材料和在金属化合物半导体中作高级栅门材料。近年来，随着平板显示器大 型化、高精细化，对材料比电阻的要求提高，需求高涨。由于平板显示器大型化， 配线的长度增加线宽变细，因此电阻值增大，所以要求更低电阻的配线材料。与 Cr相比，Mo的比电阻、膜应力要小一半。由于微电子、显示技术发展的需要 及迅速发展，高纯和超高纯钼发展十分迅速。从原料钼酸盐至高纯钼深加工制...
【技术保护点】
一种电子级高纯钼粉的还原制备方法，其特征在于，采用纯度≥９８％的纯钼舟皿为还原物料容器，在露点低于－３０℃和含氧量低于０．１ｐｐｍ的高纯氢气气氛中以及在氢气还原温区为４００℃～１２００℃的条件下，还原高纯钼酸盐或者钼的氧化物，制备电子级高纯钼粉。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：汪涛，陶杰，潘蕾，骆心怡，
申请(专利权)人：南京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]
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