纳米级钼粉制备方法技术

技术编号:829240 阅读:218 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种纳米级钼粉制备方法,该方法以纳米级八钼酸铵为原料,在封闭环境下进行两次氢气逆向还原反应,通过控制第一次还原、第二次还原的炉温和氢气流量,制备出的纳米级钼粉呈紫色,其粒径在55~92nm,纯度均在99.80%以上。本发明专利技术中氢气可回收再利用,节省了生产成本,而且工艺流程短,工艺条件易控制,对生产设备无特殊要求,适合工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种超细金属粉末的制备方法,具体地讲,本专利技术涉及一种粒 径为纳米级钼粉的制备方法。技术背景钼属于稀有金属,具有很好的物理特性,在钢铁工业、电子工业、航天航 空及农业中有着广泛应用。例如,钢铁冶炼时添加适量的钼元素,能够显著 提高钢铁强度、韧性、耐蚀性及耐热性能。钼粉的粒径对其添加效果有着十 分重大的影响,实践证明钼粉粒径越细,添加效果越佳,当粒径达纳米级时, 在其表面效应及量子尺寸效应下钼粉添加效果更加突出,尤其在钼粉喷涂工 艺中效果更明显,喷涂表面结构致密且均匀。现有技术制备钼粉方法有氯化 钼蒸汽法、等离子还原法、羰基热分解法、氢气还原气相沉积法及微波等离 子体法,这些方法所用原料为钼酸铵类或钼酸盐,制备的钼粉粒径在微米级, 调整工艺流程也可制备出粒径达纳米级的钼粉,但生产成本很高且工艺得率 低,不宜规模化生产。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种使用常规设备,工艺条件易于控制,工艺流程短、 生产成本较低且规模化生产的。 本专利技术通过下述技术方案实现技术目标。,改进之处在于该方法以纳米级八钼酸铵为原料, 采用氢气两次还原法进行制备,制备工艺流程包括下列步骤(1) 将纳米级八钼酸铵原料平摊在烧舟内,平摊厚度6 13mm;(2) 作第一次逆向还原处理,还原条件为炉温380 ~ 560°C,还原剂为水电解制得的氢气,氢气流量为20~50m3/h,露点《-3(TC,原料在炉内停留时间为90~180min,其还原反应方程式为(NH4) 4M 8026=4NH3+8M003+2H20 M003+H2 =Mo02+H20;(3) 作第二次逆向还原处理,还原条件为炉温600 ~75(TC,还原剂为水 电解制得的氢气,氢气流量为60~100m3/h,露点《-30°C,原料在炉内停留 时间为120~180min,其还原反应方程式为M002+2H2=M0+2H20。本专利技术优选方案是所述原料纳米级八钼酸铵的粒径小于lOOnm,原料平 摊在烧舟内的厚度为11~12咖,作第一次逆向还原处理,还原条件为炉温 390 ~410°C,还原剂为水电解制得的氢气,氢气流量为26 - 30fflVh,露点《 -3(TC,原料在炉内停留时间为110~130min。作第二次逆向还原处理,还原 条件为炉温670 ~69(TC,还原剂为水电解制得的氢气,氢气流量为76 ~ 84mVh,露点《-3(TC,原料在炉内停留时间为140 ~ 160min。本专利技术与现有技术相比,具有以下显著的效果1、 工艺流程短、工艺条件易控制,工艺流程仅需控制烧舟内装原料平摊 厚度、两次还原反应温度及氢气流量;2、 在封闭的氢气环境下,物料损失小,金属钼的得率达99.5%以上;3、 在工艺规定的炉温内,二氧化钼的饱和蒸汽压很小,不易挥发和晶粒 长大,因此粒径仍保持纳米级;4、 还原反应在封闭环境下进行,回收的氢气经除氧、干燥处理后循环使 用,生产成本低,可工业化生产。具体实施方式下面结合实施例,对本专利技术作进一步说明。本专利技术所述的,釆用粒径小于100nm的纳米级八钼酸 铵为原料,釆用两次还原法进行制备,制备工艺流程包括下列步骤(1) 将原料平摊在烧舟内,平摊厚度6 13mm;(2) 作第一次逆向还原处理,还原条件为炉温380 ~ 560°C,还原剂为水 电解制得的氢气,氢气流量为20~50mVh,露点《-3(TC,原料在炉内停留 时间为90~ 180min;(3) 作第二次逆向还原处理,还原条件为炉温600 ~ 750°C,还原剂为水 电解制得的氢气,氢气流量为60~100mVh,露点《-30°C,原料在炉内停留 时间为120~ 180min。实施例本实施例在160KW的四管炉中进行,采用的原料是纳米级八钼酸铵,其质 量分析测试结果见表l。釆用的烧舟为钼质,尺寸为390 x 280 x 40 mm,装料 厚度为10. 5 ~ 12. 5mm之间。釆用水电解制得的氢气作逆向还原剂,露点< -30°C, 还原反应在封闭环境下进行,回收的氢气经除氧、干燥处理后循环使用。按照上述工艺流程,适当变动相关还原条件,分批进行实施例操作,所制 得的成品质量分析测试结果见下表2。表l:原料(纳米级八钼酸铵)的分析测试结果<table>table see original document page 6</column></row><table>表2:在不同还原条件下实施例制备成品质量分析测试表E原条1牛质量分析测试结果<table>table see original document page 6</column></row><table><table>table see original document page 7</column></row><table>注相关分析测试仪器名称及精度1、 4510原子吸收分光光度计、精度lppm;2、 X'pert衍射仪;3、 JEM-2010型透视电镜;4、 FA2104N电子分析天平,精度O. lmg;5、红外定氧仪,精度l卯m。从表2分析测试结果看,本专利技术制得的钼粉粒径均在100nm以下,成品 松装密度在8. 0 9.2g/cm3,成品中其它元素含量很少,其纯度大于99.7%。本 专利技术优选方案是实施例5,所制备的钼粉粒径仅有55nm,其纯度高达99. 89%。本专利技术以钼含量高的纳米八钼酸铵为原料,降低了还原温度和湿度,加之 在封闭环境下进行两次氢气逆向还原反应,回收的氢气经除氧、干燥处理后可 再循环使用,大大节省了生产成本。本专利技术工艺流程设定钼粉在恒温区时间较 短,有效阻止钼颗粒长大和氧含量的升高,所制备的纳米级钼粉呈紫色,其粒 径在55 92nm,纯度均在99. 70%以上。本专利技术工艺流程短,工艺条件易控制,对生产设备无特殊要求,符合工业化生产的基本条件。权利要求1、一种,其特征在于该方法以纳米级八钼酸铵为原料,采用氢气两次还原法进行制备,制备工艺流程包括下列步骤(1)将纳米级八钼酸铵原料平摊在烧舟内,平摊厚度6~13mm;(2)作第一次逆向还原处理,还原条件为炉温380~560℃,还原剂为水电解制得的氢气,氢气流量为20~50m3/h,露点≤-30℃,原料在炉内停留时间为90~180min,其还原反应方程式为(NH4)4M08O26=4NH3+8M0O3+2H2OM0O3+H2=M0O2+H2O;(3)作第二次逆向还原处理,还原条件为炉温600~750℃,还原剂为水电解制得的氢气,氢气流量为60~100m3/h,露点≤-30℃,原料在炉内停留时间为120~180min,其还原反应方程式为M0O2+2H2=M0+2H2O。2、 根据权利要求l所述的,其特征在于所述原料 纳米级八钼酸铵的粒径小于lOOnm。3、 根据权利要求l所述的,其特征在于制备工艺 流程包括下列步骤(1) 纳米级八钼酸铵平摊在烧舟内的厚度为11~12隱;(2) 作第一次逆向还原处理,还原条件为炉温390 ~410°C,还原剂为水 电解制得的氢气,氢气流量为26~30m3/h,露点《-3(TC,原料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米级钼粉制备方法,其特征在于:该方法以纳米级八钼酸铵为原料,采用氢气两次还原法进行制备,制备工艺流程包括下列步骤:(1)将纳米级八钼酸铵原料平摊在烧舟内,平摊厚度6~13mm;(2)作第一次逆向还原处理,还原条件为炉温380~560℃,还原剂为水电解制得的氢气,氢气流量为20~50m↑[3]/h,露点≤-30℃,原料在炉内停留时间为90~180min,其还原反应方程式为:(NH↓[4])↓[4]Mo↓[8]O↓[26]=4NH↓[3]+8MoO↓[3]+2H↓[2]O  MoO↓[3]+H↓[2]=MoO↓[2]+H↓[2]O;(3)作第二次逆向还原处理,还原条件为炉温600~750℃,还原剂为水电解制得的氢气,氢气流量为60~100m↑[3]/h,露点≤-30℃,原料在炉内停留时间为120~180min,其还原反应方程式为:MoO↓[2]+2H↓[2]=Mo+2H↓[2]O。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:丁舜
申请(专利权)人:姜堰市光明化工厂
类型:发明
国别省市:32[中国|江苏]

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