用于LED芯片的衬底制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种用于LED芯片的衬底，该用于LED芯片的衬底包括主体，所述主体上设置有若干分区；每一所述分区上均具有用于控制反射光相位分布的三维纳米阶梯结构，所述三维纳米阶梯结构具有若干不同深度的阶梯。本实用新型专利技术制备的用于LED芯片的衬底解决了现有的衬底不能控制反射光相位分布等问题，提高了LED芯片的出光量，提高了LED芯片的亮度。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及发光二级管(LED)制造领域，特别是涉及一种用于LED芯片的衬。
技术介绍
现有技术中的LED工艺是在平坦的衬底上生长N型氮化镓、量子阱、P型氮化镓等层叠外延结构，然后在所述层叠外延结构上形成透明导电膜并开孔，接着制作P、N电极，最后制备钝化保护层结构。但当LED发展到向景观照明和通用照明进军的现阶段，LED的发光亮度遇到了更高的挑战，在内量子效率可提高的空间有限的情况下，平坦的衬底已经不能满足需要，所以为了进一步提高LED的发光亮度，LED行业的科研工作者引入了图形化衬底。所谓图形化衬底就是通过湿法高温腐蚀或干法刻蚀的办法在衬底上形成类似半球形、 圆台形、圆锥形、三角锥形、多棱锥形、柱形或不规则图形等微米结构，这些微米结构对量子阱发出的光波具有散射和漫反射作用，能够在一定程度上提高光的提取率。但这类微米结构设计的理论基础都是几何光学中的折射、反射理论或散射理论，对波动光学及衍射理论考虑较少，很难应对将来LED需要更高级发光亮度的挑战。因此，如何更大限度地提高LED的发光亮度，已成为本领域技术人员需要解决的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于，提供一种用于LED芯片的衬底，以解本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于LED芯片的衬底，其特征在于，包括：主体，所述主体上设置有若干分区；每一所述分区上均具有用于控制反射光相位分布的三维纳米阶梯结构，所述三维纳米阶梯结构具有若干不同深度的阶梯。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁海生，李东昇，马新刚，江忠永，张昊翔，王洋，李超，
申请(专利权)人：杭州士兰明芯科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：