一种气体传送装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术为一种气体传送装置，其中包括有：一承载主体，包含一容置槽及多个吸附孔，其中，该多个吸附孔形成在该容置槽内，而该容置槽内容置一晶片，且当该晶片被容置于该容置槽时，被吸附在该多个吸附孔之上；一上压板，设置在该承载主体的上方，并至少在其中央形成一气体传送孔；及一固定环，设置在该上压板的下方，如此，制作过程进行得以稳定，产品的合格率得以被有效控制。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种气体传送装置，特别是指可应用于半导体设备内的装置，可承载晶片，并传送气体至晶片表面。
技术介绍
半导体产业在中国台湾近年来发展速度相当快，并成为中国台湾的科技工业龙头，因此，中国台湾拥有相当多的半导体相关技术及人才；随着电子技术的日新月异，高科技电子产业的相继问世，使得更人性化、功能更佳的电子产品不断地推陈出新，并朝向轻、薄、短、小的趋势设计，而为了因应电子产品不断改良的需求，半导体的线宽逐渐降低，合格率向上提升，制作技术也跟着更新。在现行许多应用于不同制作过程的半导体设备中，都需要将气体通入真空气室、 常压气室或是制作装置内，以利制作过程进行，请参考图IA及图1B，分别为现有气体传送装置的俯视图和剖面示意图，其中，一气体传送单元Hl具有多个气孔H11，且该多个气孔Hll分布在该气体传送单元Hl的中央以外的位置，而作业气体经过多个气孔Hll至真空气室H2 ;如图IB所示，作业气体进入真空气室H2后，容易在真空气室H2的中央位置产生紊流，该紊流效应会随着作业气体通入的速度增加而相对提高，并影响制作过程进行，甚至产品的合格率。因此，有鉴于上述该现有气体传送装置，尚具有许多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体传送装置，其特征在于，包括有：一承载主体，包含一容置槽及多个吸附孔，其中，该多个吸附孔形成在该容置槽内；一上压板，设置在该承载主体的上方，并至少在其中央形成一气体传送孔；及一固定环，设置在该上压板的下方。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：萧恩信，吴宗勇，苏奕全，
申请(专利权)人：聚昌科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：