磁共振成像装置及高频磁场脉冲的调制方法制造方法及图纸

使基于实际中所使用的倾斜磁场响应的高频磁场脉冲的调制成为可能，由此改善切片激发特性的劣化。为此，执行包含第一测量序列和第二测量序列在内的摄像脉冲序列。第一测量序列使用与在第二测量序列中使用的切片选择倾斜磁场脉冲相同的切片选择倾斜磁场脉冲。对在第一测量序列中测量出的磁共振信号的相位进行微分，使用其结果来计算高频磁场脉冲的波形。在第二测量序列中，将所计算出的波形的高频磁场脉冲与切片选择倾斜磁场脉冲一并进行施加，测量图像用磁共振信号。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及磁共振成像装置(以下，称为MRI装置)，特别地，涉及对使用半波型的高频脉冲进行切片(slice)选择激发、以超短回波时间(UTE)来测量信号的UTE摄像适合的MRI装置。
技术介绍
在MRI装置中，在激发被检测体的原子核白旋(spin)来产生核磁共振信号时，为了选择特定的区域来进行激发，与高频磁场脉冲一并来施加切片选择倾斜磁场。作为高频磁场脉冲，通常使用以对称sine函数等的包络线(envelope)来进行了调制后的高频。对以sine函数进行了调制后的高频磁场在频率方向上进行傅立叶变换而得到的分布(profile)是矩形，从而激发由切片倾斜磁场决定的规定的矩形的区域。对于将上述对称函数作为包络线(规定的波形)的高频磁场脉冲(将其称为全RF脉冲)，有使用了其一半的波形(规定的波形的一部分波形)的高频磁场脉冲(称为半RF脉冲)的方法(专利文献I、专利文献2等)。半RF脉冲是例如将对称sine脉冲以其峰值为中心而划分为时间方向的前后时仅使用其前半部分的波形的脉冲。在专利文献I等提出的UTE摄像中，应用该半RF脉冲，省去切片倾斜磁场的聚相脉冲(refocus pulse)，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿部贵之，
申请(专利权)人：株式会社日立医疗器械，
类型：
国别省市：