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脉冲电磁场发生电路制造技术

技术编号:15570582 阅读:106 留言:0更新日期:2017-06-10 03:57
本实用新型专利技术公开了一种脉冲电磁场发生电路,包括相互连接的充电电路、放电电路和控制电路。所述充电电路包括第一变压器、可控硅桥式整流电路和电容器,所述第一变压器、可控硅桥式整流电路与所述电容器分别连接构成充电回路;所述放电电路包括所述电容器、可控开关和电感器,所述电容器、可控开关和电感器顺次连接构成放电回路;所述控制电路包括依次连接的控制信号采集电路和同步触发电路,所述同步触发电路分别连接所述可控硅桥式整流电路和所述可控开关。上述脉冲电磁场发生电路通过控制高压交流电源给高压大容量电容器充电,再对电感器放电,产生强脉冲磁场,脉冲电磁场发生成本较低、控制方法比较简单。

【技术实现步骤摘要】
脉冲电磁场发生电路
本技术涉及脉冲电磁场发生装置,具体是一种脉冲电磁场发生电路。
技术介绍
强磁场在金属材料、生物医药等领域的研究当中有非常重要的地位,由于产生稳定的强磁场很困难,目前人们将研究重点放在脉冲强磁场方面。要获得脉冲强磁场,不仅要考虑磁场发生器的电磁线圈结构,脉冲电磁场发生时的电流控制也是研究的重点。传统脉冲电磁场发生方法为,先将交流电源转换成恒定的直流电源,再控制电路导通的宽度和周期,从而控制磁场发生器产生脉冲电磁场。但是这种方法对开关电路和直流电源的要求很高,而且磁场发生器线圈中的电流难以改变,导致脉冲电磁场发生方法比较复杂。如果先用直流电源给高压大容量电容充电,需要两个开关电路,将大大增加脉冲电磁场的发生成本和技术难度。
技术实现思路
基于此,有必要针对脉冲电磁场发生控制技术比较复杂和成本较高的问题,提供一种脉冲电磁场发生成本较低、控制方法比较简单的脉冲电磁场发生电路。本技术解决其技术问题采用的技术方案是:一种脉冲电磁场发生电路,包括相互连接的充电电路、放电电路和控制电路,所述充电电路包括第一变压器、可控硅桥式整流电路和电容器,所述第一变压器、可控硅桥式整流电路与所述电容器分别连接构成充电回路;所述放电电路包括所述电容器、可控开关和电感器,所述电容器、可控开关和电感器顺次连接构成放电回路;所述控制电路包括依次连接的控制信号采集电路和同步触发电路,所述同步触发电路分别连接所述可控硅桥式整流电路和所述可控开关。采用上述技术方案的本技术,与现有技术相比,其有益效果是:上述脉冲电磁场发生电路,同步触发电路接收控制信号采集电路采集的信号并产生相应的控制信号分别控制充电电路和放电电路。同步触发电路向可控硅桥式整流电路中的单向导通可控硅的控制端输出同控制信号,使上述单向导通可控硅产生同步导通角以控制充电电路;当上述充电电路完成充电,上述可控硅桥式整流电路截止,同步触发电路输出控制信号控制可控开关导通,放电电路开始工作,产生脉冲电磁场,完成一个充放电周期。上述脉冲电磁场发生电路通过控制高压交流电源给高压大容量电容器充电,再对电感器放电,产生强脉冲磁场,脉冲电磁场发生成本较低、控制方法比较简单。进一步的,本技术的优选方案是:所述控制信号采集电路包括顺次连接的第二变压器、桥式整流电路和零点提取电路,所述零点提取单路连接所述同步触发电路。所述零点提取电路为门电路。构成所述门电路的芯片为74LS08N芯片。所述控制电路还包括供电电路,所述供电电路分别连接所述桥式整流电路、零点提取电路和同步触发电路。所述供电电路包括隔离二极管、滤波电容和稳压电路;所述隔离二极管的阳极连接所述桥式整流电路的电流输出端,阴极连接所述稳压电路的输入端,所述稳压电路的公共端连接所述桥式整流电路的电流输入端,所述滤波电容连接所述稳压电路的输入端和公共端,所述稳压电路的输出端分别连接所述零点提取电路和同步触发电路。所述同步触发电路为单片机或数字集成电路。所述可控硅桥式整流电路包括顺次连接的第一二极管、第一单向可控硅、第二单向可控硅和第二二极管;所述第一单向可控硅和第二单向可控硅的阴极分别作为所述可控硅桥式整流电路的电流输出端,所述同步触发电路分别连接所述第一单向可控硅和第二单向可控硅的控制端。所述可控开关为第三单向可控硅,所述同步触发电路连接所述第三单向可控硅的控制端。所述电容器为高压大容量电容器。附图说明图1为本技术实施例的电路结构示意图;图2为图1所示电路模块图;图3为图1所示控制信号采集电路和供电电路的电路图;图4为图1所示实施例充电电路和放电电路的电路图。具体实施方式以下结合附图及实施例对本技术做进一步的说明。一种脉冲电磁场发生电路,通关控制高压交流电源给高压大容量电容器充电,再对电感器放电,产生强脉冲磁场,上述脉冲电磁场发生成本较低、控制方法比较简单。上述脉冲电磁场发生电路通过采集正半波电源信号并产生与之同步的控制信号控制充电电路和放电电路。同步触发电路连接可控硅桥式整流电路的单向导通可控硅的控制端,从而控制上述单向导通可控硅的导通角,开始的半波周期,上述单向可控硅的导通角较小,从而防止电容器充电电流过大,随着电容器的电压升高,上述单向可控硅的导通角逐渐加大,从而减小充电时对充电电源的干扰以及对电容器的冲击。上述充电结束后,单向可控硅截止,同时同步触发电路控制可控开关导通,电容器对电感器放电,从而产生脉冲电磁场,完成一个充放电周期。参考图1,一种脉冲电磁场发生电路100,包括相互连接的充电电路120、放电电路140和控制电路160。参考图2,上述充电电路120包括第一变压器122、可控硅桥式整流电路124和电容器126,上述第一变压器122、可控硅桥式整流电路124与上述电容器126分别连接构成充电回路。上述放电电路140包括上述电容器126、可控开关142和电感器144,上述电容器126、可控开关142和电感器144顺次连接构成放电回路。上述控制电路160包括依次连接的控制信号采集电路162和同步触发电路164,上述同步触发电路164分别连接上述可控硅桥式整流电路124和可控开关142。上述脉冲电磁场发生电路100,同步触发电路164接收控制信号采集电路162采集的信号后产生与之同步的控制信号,并向可控硅桥式整流电路124中的单向导通可控硅的控制端输出上述控制信号,使上述单向导通可控硅产生同步的导通角;当上述充电电路120完成充电,可控硅桥式整流电路124截止,同步触发电路164向可控开关142输出控制信号,可控开关142导通,放电电路140开始工作,产生脉冲电磁场,完成一个充放电周期。上述脉冲电磁场发生电路100通过控制高压交流电源给高压大容量电容器126充电,再对电感器144放电,产生强脉冲磁场,脉冲电磁场发生成本较低、控制方法比较简单。图3所示,为图1所示实施例控制信号采集电路162和供电电路166的电路图。图4所示,为图1所示实施例充电电路120和放电电路140的电路图。参考图2,上述控制信号采集电路162包括顺次连接的第二变压器1622、桥式整流电路1624和零点提取电路1626,上述零点提取电路1626连接同步触发电路164。参考图3,上述第二变压器1622为交流变压器T2,上述交流变压器T2将220伏50赫兹交流电源变成6伏交流电,通过整流二极管D1-D4组成的桥式整流电路1624,形成频率100赫兹、周期10毫秒的正半波电源信号。参考图3,上述零点提取电路1626为门电路U1A。具体的,上述门电路U1A为74LS08N芯片。频率100赫兹、周期10毫秒的正半波电源信号通过门电路U1A形成在交流电源过零点处为低电平的100赫兹脉冲信号即上述控制信号采集电路162采集的信号。进一步的,参考图2,上述控制电路160还包括供电电路166,上述供电电路166分别连接上述桥式整流电路1624、零点提取电路1626和同步触发电路164,用于给上述零点提取电路1626和同步触发电路164供电。参考图3,上述供电电路166包括隔离二极管D5、滤波电容C1和稳压电路U2。上述隔离二极管D5的阳极连接上述桥式整流电路1624的电流输出端,阴极连接上述稳压电路U2的输入端,上述稳压电路U2的公共本文档来自技高网...
脉冲电磁场发生电路

【技术保护点】
一种脉冲电磁场发生电路,包括相互连接的充电电路、放电电路和控制电路,其特征在于,所述充电电路包括第一变压器、可控硅桥式整流电路和电容器,所述第一变压器、可控硅桥式整流电路与所述电容器分别连接构成充电回路;所述放电电路包括所述电容器、可控开关和电感器,所述电容器、可控开关和电感器顺次连接构成放电回路;所述控制电路包括依次连接的控制信号采集电路和同步触发电路,所述同步触发电路分别连接所述可控硅桥式整流电路和所述可控开关。

【技术特征摘要】
1.一种脉冲电磁场发生电路,包括相互连接的充电电路、放电电路和控制电路,其特征在于,所述充电电路包括第一变压器、可控硅桥式整流电路和电容器,所述第一变压器、可控硅桥式整流电路与所述电容器分别连接构成充电回路;所述放电电路包括所述电容器、可控开关和电感器,所述电容器、可控开关和电感器顺次连接构成放电回路;所述控制电路包括依次连接的控制信号采集电路和同步触发电路,所述同步触发电路分别连接所述可控硅桥式整流电路和所述可控开关。2.根据权利要求1所述的脉冲电磁场发生电路,其特征在于,所述控制信号采集电路包括顺次连接的第二变压器、桥式整流电路和零点提取电路,所述零点提取单路连接所述同步触发电路。3.根据权利要求2所述的脉冲电磁场发生电路,其特征在于,所述零点提取电路为门电路。4.根据权利要求3所述的脉冲电磁场发生电路,其特征在于,构成所述门电路的芯片为74LS08N芯片。5.根据权利要求2所述的脉冲电磁场发生电路,其特征在于,所述控制电路还包括供电电路,所述供电电路分别连接所述桥式整流电路、零点提取电路和同步触发电路。6.根据权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:邸凌云
申请(专利权)人:邸凌云
类型:新型
国别省市:河北,13

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