一种CMOS图像传感器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种CMOS图像传感器制造方法，包括在衬底上形成MOS晶体管区及光电二极管区；在所述MOS晶体管区上方形成金属互连结构，所述金属互连结构形成于互连介质层中，包括接触孔，N-1层金属互连线以及与所述金属互连线配套的通孔；沉积并刻蚀第N层金属，以形成上表面窄下表面宽即横截面为梯形的顶层金属互连线；沉积并刻蚀顶层互连介质层，以形成位于所述顶层金属互连线上方的环状隔离槽；对所述环状隔离槽进行高反射率材料填充，形成环状反射隔离环。本发明专利技术还公开了一种CMOS图像传感器，使得更多的入射光到达光电二极管的感光区域，参与光电转换过程，有效地提高了像素单元的灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及图像传感器领域，特别涉及一种CMOS图像传感器。
技术介绍
通常，图像传感器是指将光信号转换为电信号的装置。图像传感器包括电荷耦合器件(CXD)和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器芯片。CMOS图像传感器和传统的C⑶传感器相比具有的低功耗，低成本和与CMOS工艺兼容等特点，因此得到越来越广泛的应用。现在CMOS图像传感器不仅用于消费电子领域，例如微型数码相机(DSC)，手机摄像头，摄像机和数码单反(DSLR)中，而且在汽车电子，监控，生物技术和医学等领域也得到了广泛的应用。·CMOS图像传感器可以根据像素单元晶体管数目分类成三管，四管和五管式，三管式的CMOS图像传感器像素单元包括一个光电二极管和3个MOS晶体管，四管和五管式像素单元分别包括一个光电二极管和4个或5个MOS晶体管。这些器件中光电二极管是感光单元，实现对光线的收集和光电转换，其它的MOS晶体管是控制单元，主要实现对光电二极管的选中，复位和读出的控制。常规的像素单元的截面图如图I所示，只有在没有金属层覆盖的光电二极管区域20的光线能够在光电转换中起作用，因此像素单元的灵敏度直接和像素单元中光电二极管区域2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CMOS图像传感器制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上形成MOS晶体管区及光电二极管区；在所述MOS晶体管区上方形成金属互连结构，所述金属互连结构形成于互连介质层中，包括接触孔，N？1层金属互连线以及与所述金属互连线配套的通孔；其中，N为大于等于2的正整数；沉积并刻蚀第N层金属，以形成上表面窄下表面宽即横截面为梯形的顶层金属互连线；沉积并刻蚀顶层互连介质层，以形成位于所述顶层金属互连线上方的环状隔离槽；对所述环状隔离槽进行高反射率材料填充，形成环状反射隔离环。

【技术特征摘要】
1.一种CMOS图像传感器制造方法，其特征在于，包括以下步骤 在衬底上形成MOS晶体管区及光电二极管区； 在所述MOS晶体管区上方形成金属互连结构，所述金属互连结构形成于互连介质层中，包括接触孔，N-I层金属互连线以及与所述金属互连线配套的通孔；其中，N为大于等于2的正整数； 沉积并刻蚀第N层金属，以形成上表面窄下表面宽即横截面为梯形的顶层金属互连线. 沉积并刻蚀顶层互连介质层，以形成位于所述顶层金属互连线上方的环状隔离槽； 对所述环状隔离槽进行高反射率材料填充，形成环状反射隔离环。2.根据权利要求I所述的CMOS图像传感器制造方法，其特征在于，还包括 对所述环状隔离槽进行高反射率材料填充后，通过反刻或化学机械抛光刻蚀暴露在所述顶层互连介质层表面的高反射率材料。3.根据权利要求I所述的CMOS图像传感器制造方法，其特征在于，所述顶层金属互连线环绕所述光电二极管区上方，由所述顶层金属互连线环绕的面积大于或等于所述光电二极管区的面积。4.根据权利要求I所述的CMOS图像传感器制造方法，其特征在于，所述环状隔离槽垂直相接于所述顶层金属互连线上表面。5.根据权利要求I所述的CMOS图像传感器制造方法，其特征在于，所述高反射率材料为金属、氮化娃、碳化娃、多晶娃或氮化钛。6.根据权利要求I所述的CMOS图像传感器制造方法，其特征在于，所述顶层金...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾学强，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：