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本发明公开了一种CMOS图像传感器制造方法,包括在衬底上形成MOS晶体管区及光电二极管区;在所述MOS晶体管区上方形成金属互连结构,所述金属互连结构形成于互连介质层中,包括接触孔,N-1层金属互连线以及与所述金属互连线配套的通孔;沉积并刻蚀...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种CMOS图像传感器制造方法,包括在衬底上形成MOS晶体管区及光电二极管区;在所述MOS晶体管区上方形成金属互连结构,所述金属互连结构形成于互连介质层中,包括接触孔,N-1层金属互连线以及与所述金属互连线配套的通孔;沉积并刻蚀...