一种选择离子注入的光刻胶厚度方法技术

本发明专利技术提供一种选择离子注入的光刻胶厚度方法，该方法包括，提供一测试晶片，在所述测试晶片上涂覆光刻胶后烘烤，采用不同能量曝光所述光刻胶不同位置并进行曝光后烘烤，显影后得到不同厚度光刻胶层；测量所述光刻胶层不同位置的厚度；以预定能量离子注入所述测试晶片的光刻胶层；去除所述光刻胶层后，对所述测试晶片上不同位置的离子量进行测试，比较不同位置的离子量与目标离子量，确定离子量在目标离子量允许范围内的该位置对应的光刻胶层的厚度。本发明专利技术只需一片晶片测试光刻胶层的不同厚度对离子注入的阻挡能力，减少晶片数量降低测试成本，并且显影后光刻胶层厚度接近连续变化，能够选取更多光刻胶厚度点进行测试，找到最合适的光刻胶厚度。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种选择离子注入的光刻胶厚度方法。
技术介绍
目前，半导体制造主要在衬底的晶片(wafer)器件面上生长半导体器件并进行互连。半导体器件制作在器件层中，其主要结构包括有源区、源极、漏极和栅极，其中，所述有源区位于衬底中，所述栅极位于有源区上方，所述栅极两侧的有源区中分别具有源极和漏极，所述栅极下方具有导电沟道，所述栅极和导电沟道之间有栅极电介质层。在半导体器件制造过程中，多个工序采用离子注入工艺，例如离子注入形成多晶硅层，多晶硅层可用于刻蚀形成所述栅极，以及在栅极两侧的有源区中离子注入形成源极和漏极等，每个工序中离子注入的能量是不同的，而且离子注入时只需要在预定的位置进行注入，其他位置需要用光刻胶(Photoresist，PR)进行覆盖，以防止离子的注入损伤半导体器件的功能。不同厚 度的光刻胶，对离子注入的阻挡能力是不同的，如果光刻胶太薄，则很容易被离子击穿，无法达到保护半导体器件的目的；如果光刻胶太厚，对所述光刻胶进行曝光显影后，则很难控制残留的光刻胶形成光刻图案的特征尺寸(Critical Dimension,⑶)。所以选择合适的光刻胶层厚度对离子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种选择离子注入的光刻胶厚度方法，其特征在于，该方法包括：提供一测试晶片，在所述测试晶片的器件面涂覆正胶光刻胶后烘烤所述正胶光刻胶；以曝光场为单位采用不同曝光能量E对所述正胶光刻胶不同位置分别曝光后进行曝光后烘烤，显影得到不同厚度分布的光刻胶层；测量所述光刻胶层不同位置上的厚度；以预定能量离子注入所述测试晶片的光刻胶层；去除所述光刻胶层后，对所述测试晶片上不同位置的离子量进行测试；将不同位置的离子量与目标离子量进行比较，如果某一位置离子量在目标离子量允许范围内，确定该位置的光刻胶层的厚度符合要求。

【技术特征摘要】
1.一种选择离子注入的光刻胶厚度方法，其特征在于，该方法包括 提供一测试晶片，在所述测试晶片的器件面涂覆正胶光刻胶后烘烤所述正胶光刻胶； 以曝光场为单位采用不同曝光能量E对所述正胶光刻胶不同位置分别曝光后进行曝光后烘烤，显影得到不同厚度分布的光刻胶层； 测量所述光刻胶层不同位置上的厚度； 以预定能量离子注入所述测试晶片的光刻胶层； 去除所述光刻胶层后，对所述测试晶片上不同位置的离子量进行测试； 将不同位置的离子量与目标离子量进行比较，如果某一位置离子量在目标离子量允许范围内，确定该位置的光刻胶层的厚度符合要求。2.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡华勇，洪中山，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：