【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种闪存管理装置,具体涉及一种闪存控制器的设计技术。
技术介绍
随着闪存大量在终端设备中使用,闪存的存储容量也越来越大,而用户对于闪存读写速度的要求也越来越高。现有技术中的管理闪存的装置为闪存控制器,在闪存控制器中一般设置有指令解析单元,用于解析主机发送的闪存控制命令;对于主机的每一个命令都需要有一个解析过程和存储解析后的闪存控制命令的存储过程;再根据一定的规则将解析后的闪存控制命令予以执行。上述的处理机制对闪存控制器的性能要求比较高,导致闪存控制器芯片的面积较大,而且对于主机发送的闪存控制命令的处理速度不高。此外对于下挂多通道闪存芯片或者闪存芯片阵列时,设计思路复杂。而且对于下挂不同的闪存芯片 可能需要重新设计闪存控制器,通用性比较差。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种闪存控制器以及闪存控制方法,使得闪存控制器能够高速执行主机发送的闪存控制命令。本专利技术公开的闪存控制器,包括指令分解模块、指令编码模块和闪存控制单元;所述指令分解模块,用于接收主机的闪存控制命令,并将其分解成原子操作指令;所述指令编码模块,用于将所述原子操作指令编译成微码;所 ...
【技术保护点】
一种闪存控制器,其特征在于,所述闪存控制器包括:指令分解模块、指令编码模块和闪存控制单元;所述指令分解模块,用于接收主机的闪存控制命令,并将其分解成原子操作指令;所述指令编码模块,用于将所述原子操作指令编译成微码;所述闪存控制单元,用于将所述微码解析成闪存可以识别的操作信号,并执行所述操作信号。
【技术特征摘要】
1.一种闪存控制器,其特征在于,所述闪存控制器包括指令分解模块、指令编码模块和闪存控制单元; 所述指令分解模块,用于接收主机的闪存控制命令,并将其分解成原子操作指令; 所述指令编码模块,用于将所述原子操作指令编译成微码; 所述闪存控制单元,用于将所述微码解析成闪存可以识别的操作信号, 并执行所述操作信号。2.根据权利要求I所述的闪存控制器,其特征在于,所述指令编码模块还包括存储器单元,所述存储器单元用于存储所述指令分解模块分解后的原子操作指令和所述原子操作指令编译后的微码。3.根据权利要求2所述的闪存控制器,其特征在于,所述存储器单元还包括原子操作指令存储器和微码存储器; 所述原子操作指令存储器,用于存储所述指令分解模块分解后的原子操作指令; 所述微码存储器,用于存储所述原子操作指令编译后的微码。4.根据权利要求3所述的闪存控制器,其特征在于,所述原子操作指令存储器为第一级RAM,所述微码存储器为第二级RAM。5.根据权利要求4所述的闪存控制器,其特征在于,所述的第一级RAM和第二级RAM还用于通过非易失性存储器或者装载器软件装入所述原子操作指令和所述微码。6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:邢冀鹏,陈磊,杨涛,
申请(专利权)人:忆正科技武汉有限公司,
类型:发明
国别省市:
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