忆正科技武汉有限公司专利技术

忆正科技武汉有限公司共有14项专利

  • 作为系统盘的固态硬盘缩短上电时间的方法及系统
    本发明公开了一种作为系统盘的固态硬盘缩短上电时间的方法及系统,涉及固态硬盘领域。该方法包括以下步骤:启动相关数据管理表中记录有每次上电过程被读到的LBA表项,每次SSD固件侦测到上电时,将启动相关数据管理表加载到SSD内存中,将启动相关...
  • 一种缩小固态硬盘内rblock容量的方法及其系统
    本发明公开了一种缩小固态硬盘内rblock容量的方法及其系统,涉及固态存储技术领域。该方法包括:将组成一个rblock的Die的数目减少;将从rblock中拿掉的Die与保留的Die对应合并组成VDie;将VDie内存储块Block重新...
  • 一种用于固态存储读策略的控制方法
    本发明公开了一种用于固态存储读策略的控制方法,其特征在于:在固态存储设备中加入RAID的算法控制器,当数据经过控制器发向NAND介质时,会产生RAID code保存在NAND介质中,在数据产生UNECC时,固件不对数据进行重复读取,不进...
  • 一种用于降低固态存储读延迟的操作方法
    本发明公开了一种用于降低固态存储读延迟的操作方法,其特征在于:固件通过CPU向NAND控制器发送常规操作命令队列,NAND控制器经过仲裁机制从命令队列中取出命令,然后向NAND flash发送命令,并通过数据通路向NAND flash发...
  • 一种用于提高固态硬盘使用寿命的管理策略
    本发明提供了一种用于提高固态硬盘使用寿命的管理策略,其特征在于:在出现页写入失败或多次读操作出现不可纠正错误的闪存页时,将该闪存页记录成坏页保存进坏页块,形成坏页表和坏块表,而对于闪存块内的其他没有错误或者瑕疵的页,仍然作为正常数据页进...
  • 本发明公开固态存储设备、主机的工作方法及固态存储设备、主机,固态存储设备获取主机分配的内存区域信息;将获取到的所述内存区域信息保存,并建立所述主机的逻辑区块地址到所述固态存储设备的存储阵列的物理区块地址的映射关系;将所述映射关系发送至所...
  • 本发明公开一种固态存储的控制方法、装置及固态存储设备,固态存储的控制方法应用于固态存储的控制装置,固态存储的控制装置包括至少两个处理模块,固态存储设备包括固态存储的控制装置,固态存储的控制方法包括:接收外部主机发送的操作命令;所述至少两...
  • 本发明公开了一种针对多层次闪存器件的轻量级软信息获取方法,本发明旨在通过定量记录闪存信道中的噪声以及相应统计的方法从多层次闪存器件中提取其存储数据的软信息,为LDPC码纠错算法提供了准确可靠的软信息,从而显著增强了LDPC码纠错性能,降...
  • 本发明公开了一种闪存交织校验纠错方法及闪存控制器,若S(m,n)表示闪存物理块中的一个存储扇区,其中,m为该扇区在逻辑页中的序号,m∈[1,M],n为该扇区所处逻辑页的序号,n∈[1,N],在写数据时,S(m,N)扇区不作为数据存储区,...
  • 本发明公开了一种闪存控制器以及闪存控制方法,采用事先将闪存控制命令进行分解,将其分解为闪存可以识别的原子操作;并将该原子操作编成微码装载在闪存控制器中。在执行闪存控制命令时,采用查找的方式找到对应的微码,完成命令的执行过程。闪存控制器不...
  • 本发明涉及一种多层单元闪存MLC及其软信息位读取电压阈值动态调整方法。本发明针对具有软信息位读取功能多层单元闪存,包括用于对原始数据进行处理的错误校验模块,其特征在于,还包括阈值控制算法单元、误判监控模块以及外信息获取模块。本发明通过捕...
  • 本发明公开了一种闪存控制器及其控制方法,该闪存控制器的特征在于包括延迟控制模块、计时模块,所述计时模块,用于将定时信息发送给延迟控制模块,延迟控制模块接收来自微控制器的数据操作请求,并通过读数据以及写数据通路,对闪存接口模块进行操作;以...
  • 本发明公开了一种多通道闪存的区块管理方法,闪存包括若干个块,每个块划分为M个物理页,M个物理页中,前P个连续的物理页与页映射表中的P个逻辑页一一映射,后Q个连续的物理页作为保留页;每个块设一个页写指针,用于指向块内一个空白页;每写一个页...
  • 本发明公开了一种基于固态存储介质的存储设备、存储系统及存储方法,包括多个闪存芯片,若干所述闪存芯片串联组成一个芯片阵列string,每个所述芯片阵列string分别连接芯片阵列string控制器,所述芯片阵列string控制器包括处理器...
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