形成透明电极以及制造液晶显示装置的阵列基板的方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了形成透明电极以及制造液晶显示装置的阵列基板的方法。所述形成透明电极的方法包括：在基底上形成第一透明导电材料层；对所述第一透明导电材料层进行等离子体工艺，以使所述第一透明导电材料层的上部变为半透明；在所述第一透明导电材料层上形成第二透明导电材料层；将所述第二透明导电材料层和所述第一透明导电材料层构图；以及将被构图的所述第二透明导电材料层和被构图的所述第一透明导电材料层退火，以使所述第一透明导电材料层的上部变为透明。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种液晶显示(IXD)装置，尤其涉及一种形成透明电极以及制造IXD装置的阵列基板的方法，该方 法能防止在构图工艺中由卡盘反射的光导致的问题。
技术介绍
由于高对比度以及适于显示运动图像的特性，使用光学各向异性和偏振特性显示图像的IXD装置广泛应用于笔记本电脑、显示器、TV等。IXD装置包括具有第一基板、第二基板和液晶层的液晶面板。第一和第二基板彼此相对，液晶层夹在它们之间。通过液晶面板中产生的电场改变液晶层中液晶分子的排列，从而控制光透射率。在扭曲向列(TN)模式LCD装置中，液晶分子由像素电极与公共电极之间的垂直电场驱动，具有出色的透射率和开口率特性。令人遗憾的是，因为LCD装置使用垂直电场，所以该装置具有较差的视角。可使用共平面切换(IPS)模式IXD装置解决上述缺陷。图I是现有技术的IPS模式LCD装置的液晶面板的示意性剖面图。参照图1，液晶面板包括彼此相对的第一和第二基板I和3以及两基板之间的液晶层5。在第一基板I上，形成有像素电极21和公共电极25。液晶层5的液晶分子由像素电极和公共电极21和25之间产生的水平电场L驱动。因为液晶分子由第一基板I上的像素电极和公共电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成透明电极的方法，包括：在基底上形成第一透明导电材料层；对所述第一透明导电材料层进行等离子体工艺，以使所述第一透明导电材料层的上部变为半透明；在所述第一透明导电材料层上形成第二透明导电材料层；将所述第二透明导电材料层和所述第一透明导电材料层构图；以及将被构图的所述第二透明导电材料层和被构图的所述第一透明导电材料层退火，以使所述第一透明导电材料层的上部变为透明。

【技术特征摘要】
2011.07.27 KR 10-2011-00744231.一种形成透明电极的方法，包括 在基底上形成第一透明导电材料层； 对所述第一透明导电材料层进行等离子体工艺，以使所述第一透明导电材料层的上部变为半透明； 在所述第一透明导电材料层上形成第二透明导电材料层； 将所述第二透明导电材料层和所述第一透明导电材料层构图；以及将被构图的所述第二透明导电材料层和被构图的所述第一透明导电材料层退火，以使所述第一透明导电材料层的上部变为透明。2.根据权利要求I所述的方法，其中所述第一透明导电材料层包括铟和氧。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一透明导电材料层由氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟镓锌和氧化铟锡锌之一形成。4.根据权利要求I所述的方法，其中所述退火的步骤在200到300°C的温度下进行30到300分钟。5.根据权利要求I所述的方法，其中进行所述等离子体工艺的步骤通过以80至100标准立方厘米/分钟(sccm)的速率使氢气流动40到100秒来进行。6.根据权利要求I所述的方法，其中进行所述等离子体工艺的步骤在具有80到120mTorr真空度的腔室中进行。7.根据权利要求I所述的方法，其中将所述第二透明导电材料层和所述第一透明导电材料层构图的步骤包括 在所述第二透明导电材料层上形成光刻胶层； 使用曝光掩模曝光所述光刻胶层； 显影所述曝光的光刻胶层，以形成光刻胶图案； 使用所述光刻胶图案作为蚀刻掩模，蚀刻所述第二透明导电材料层和所述第一透明导电材料层；以及 剥离所述光刻胶图案，以形成公共电极和像素电极。8.—种制造液晶显示装置的阵列基板的方法，包括 在基板上形成栅极线； 在所述基板上形成数据线，所述数据线与所述栅极线交叉以限定像素区域； 在所述像素区域中形成与所述栅极线和所述数据线连接的薄膜晶体管； 在其上形成有所述栅极线、所述数据线和所述薄膜晶体管的所述基板上形成第一透明导电材料层； 用氢气对所述第一透明导电材料层进行等离子体工艺，以使所述第一透明导电材料层的上部变为半透明； 在所述第一透明导电材料层上形成第二透明导电材料层；...

【专利技术属性】
技术研发人员：金容一，金正五，白正善，洪基相，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：