本发明专利技术提供一种液晶组合物及其应用，该液晶组合物包括：至少一种通式（Ⅰ）的化合物；和至少一种通式（II）的化合物。本发明专利技术的液晶组合物具有较快的响应速度和良好的低温存储稳定性，特别显著改善液晶低温存储出现的近晶相现象。本发明专利技术还提供包含该液晶组合物的有源矩阵的电光显示器件。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶化合物的组合物，更具体地说，本专利技术涉及一种新型的含饱和茚环类化合物的液晶组合物。
技术介绍
液晶材料主要应用于液晶显示器的电介质中，这是因为外加电压可以改变这类物质的光学性能。基于液晶的电光学器件是本领域技术人员极其公知的，并可以包含各种效应。这类器件的实例是具有动态散射的液晶盒(cell)、DAP (排列相的变形)液晶盒、客体/主体液晶盒、具有扭曲向列结构的TN盒、STN (超扭曲向列)液晶盒、SBE (超双折射效应)液晶盒和OMI (光膜模式干涉)液晶盒。最常见的显示器基于Schadt-Helfrich效应并具有扭曲向列结构。液晶材料一般必须具有良好的化学和热稳定性以及对电场和电磁福射的良好稳定性。此外，液晶材料应当具有低粘度、在液晶盒中产生短响应时间、低阈值电压以及高对t 匕 。此外，它们还应该在普通操作温度下，即在高于和低于室温的可能的最宽范围内，具有适用于上述液晶盒的介晶相，例如用于上述液晶盒的向列型介晶相。由于液晶通常作为多种组分的混合物使用，所以重要的是各组分彼此混溶。依赖于液晶盒类型和应用领域，进一步的性能，如电导率、介电各向异性和光学各向异性必须满足各种要求。例如，具有扭转向列型结构的液晶盒的材料应当具有正介电各向异性和低电导率。本专利技术所涉及之液晶组合物的目标特别为TFT型有源矩阵液晶显示器，其避免了上述缺点或者能够减轻上述缺点对TFT型有源矩阵显示器的危害。优选地，同时具有非常高的电阻率、低的阈值电压、低的旋转粘度、高清亮点、宽的向列相范围、改进的LTS和快速切换时间。通常通过调整组分，可以优化液晶的低温存储性能，本组合物专利技术具有极其优良的低温存储性能，液晶在低温环境中仍然能够正常工作。
技术实现思路
本专利技术所涉及之液晶组合物的目标特别为TFT型有源矩阵液晶显示器，其避免了上述缺点或者能够减轻上述缺点对TFT型有源矩阵显示器的危害。本专利技术的目的是提供一种新型的包含饱和茚环类化合物的液晶组合物。饱和茚环型液晶化合物与直链型液晶单体配合使用，此种组合物具有良好的低温互溶性，特别能够改善单一直链型液晶单体容易出现的近晶相，液晶在低温环境仍然能够正常工作。为了完成上述专利技术目的，本专利技术提供一种液晶组合物，其包括( I)至少一种通式(I )的化合物权利要求1.一种用于有源矩阵液晶显示器的液晶组合物，其特征在于，所述液晶组合物包括 (1)至少一种通式(I)的化合物2.根据权利要求I所述的液晶组合物，其特征在于，所述液晶组合物还包含通式(III广(V)中的一种或多种化合物3.根据权利要求2所述的液晶组合物，其特征在于，所述通式(I)的化合物占所述液晶组合物总重量的1%_30% ;所述通式(II)的化合物占所述液晶组合物总重量的1%_50% ;所述通式(III)的化合物占所述液晶组合物的总重量的1%_30%;所述通式(IV的化合物占所述液晶组合物的总重量的1%_30% ;以及所述通式(V)的化合物占所述液晶组合物的总重量的1%-30%。4.根据权利要求3所述的液晶组合物，其特征在于，所述通式(I)的化合物选自由如下化合物组成的组中一种或多种的化合物5.根据权利要求3所述的液晶组合物，其特征在于，所述通式(II)的化合物选自由如下化合物组成的组中一种或多种的化合物6.根据权利要求3所述的液晶组合物，其特征在于，所述通式(III)的化合物选自由如下化合物组成的组中一种或多种的化合物7.根据权利要求3所述的液晶组合物，其特征在于，所述通式(IV)的化合物选自由如下化合物组成的组中一种或多种的化合物8.根据权利要求3所述的液晶组合物，其特征在于，所述通式(V)的化合物选自由如下化合物组成的组中一种或多种的化合物9.根据权利要求4-8中任一项所述的液晶组合物，其特征在于，所述通式(I)的化合物选自由如下化合物组成的组中一种或多种的化合物10.根据权利要求9所述的液晶组合物，其特征在于，所述液晶组合物包括 占所述液晶组合物总重量3%的化合物IV -1-1 ； 占所述液晶组合物总重量10%的化合物II1-2-2 ； 占所述液晶组合物总重量10%的化合物II1-4-2 ； 占所述液晶组合物总重量8%的化合物II1-5-1 ； 占所述液晶组合物总重量8%的化合物II1-6-2 ； 占所述液晶组合物总重量5%的化合物II1-3-2 ； 占所述液晶组合物总重量30%的化合物II -2-1 ； 占所述液晶组合物总重量8%的化合物V -2-2 ； 占所述液晶组合物总重量8%的化合物V -2-1 ； 占所述液晶组合物总重量5%的化合物1-1-2 ;以及 占所述液晶组合物总重量5%的化合物II -1-1, 或者，所述液晶组合物包括 占所述液晶组合物总重量3%的化合物IV -1-1 ； 占所述液晶组合物总重量10%的化合物II1-2-2 ； 占所述液晶组合物总重量10%的化合物II1-4-2 ；占所述 液晶组合物总重量8%的化合物II1-5-1 ； 占所述液晶组合物总重量8%的化合物II1-6-2 ； 占所述液晶组合物总重量5%的化合物II1-3-2 ； 占所述液晶组合物总重量30%的化合物II -2-1 ； 占所述液晶组合物总重量8%的化合物V -2-2 ； 占所述液晶组合物总重量8%的化合物V -2-1 ； 占所述液晶组合物总重量5%的化合物1-3-3 ;以及 占所述液晶组合物总重量5%的化合物II -1-2。11.一种基于ECB、TN或者IPS效应的有源矩阵寻址的电光显示器，所述液晶显示器件包含权利要求ι- ο中任一项所述的液晶组合物。全文摘要本专利技术提供一种液晶组合物及其应用，该液晶组合物包括至少一种通式(Ⅰ)的化合物；和至少一种通式(II)的化合物。本专利技术的液晶组合物具有较快的响应速度和良好的低温存储稳定性，特别显著改善液晶低温存储出现的近晶相现象。本专利技术还提供包含该液晶组合物的有源矩阵的电光显示器件。文档编号G02F1/13GK102899054SQ201210388160公开日2013年1月30日 申请日期2012年10月13日 优先权日2012年10月13日专利技术者丁文全, 阮群奇, 韩文明, 吴凤, 房远飞, 殷海涛, 陈昭远 申请人:江苏和成显示科技股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于有源矩阵液晶显示器的液晶组合物，其特征在于，所述液晶组合物包括：（1）至少一种通式（Ⅰ）的化合物和（2）至少一种通式（Ⅱ）的化合物其中：R1~R4可以相同或不同，彼此独立地选自由H、卤素、C1～C7的烷基或烷氧基和C2～C7的烯基或烯氧基组成的组；Z1选自由？CH2CH2？、？COO？、？O？CO？、？CF2O？、？CH=CH？、？CH=CF？、？CF2CF2？和单键组成的组；X1、X2可以相同或不同，彼此独立地为H或F；可以相同或不同，彼此独立地为m为0，1或2。FDA00002251223100011.jpg,FDA00002251223100012.jpg,FDA00002251223100013.jpg,FDA00002251223100014.jpg
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：丁文全，阮群奇，韩文明，吴凤，房远飞，殷海涛，陈昭远，
申请(专利权)人：江苏和成显示科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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