梯度强磁场单向凝固结晶装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种梯度强磁场单向凝固结晶装置，属磁场控制晶体生长的晶体制备技术领域。本实用新型专利技术包括有盛放熔融态材料的坩埚或模型，其旁侧设有加热元件、保温层，隔热水套，超导线圈，超导线圈置于杜瓦罐内，坩埚或模型的下面设置有可通入冷却剂的冷却器；装置下部的拉出装置的上面设有导轨和平台，拉出装置可使平台上的冷却器沿导轨向前移动，并带动上面坩埚或模型同步移动。超导线圈通入直流电最高为１０００Ａ，产生的磁场的磁感应强度Ｂ为１－４０Ｔ范围内，Ｂｚ（ｄＢｚ／ｄｚ）值在２００－３４００Ｔ＜ｓｕｐ＞２＜／ｓｕｐ＞／ｍ范围内。本实用新型专利技术装置可制备出成分和性能均匀的结晶晶体材料。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种梯度强磁场单向凝固结晶装置，属磁场控制晶体生长的晶体制备

技术介绍
以往在磁场作用下单向凝固生长晶体材料的方法和装置上存在一些技术上的缺陷和不足，主要是在单向凝固生长晶体的过程中，由于溶质再分配和密度差别等原因，受重力的作用，易于产生溶质的偏聚、即偏析，这会导致晶体材料性能及其均质性降低。因而，为减轻这种偏析，人们曾采用在太空微重力环境或落管中生长晶体的方法，但是在太空环境生长晶体材料的费用昂贵，另外在落管中生长晶体时间太短，难以生长出实用材料，因此有必要寻找一种新的方法来制备完善均匀的晶体材料。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种在梯度强磁场控制下单向凝固结晶的装置。本技术的目的是通过下述技术方案来实现的。本技术的梯度强磁场单向凝固结晶装置，包括有装有超导线圈的超导磁体、加热元件、保温层、可控拉动装置等，其特征在于本装置的中央设有一盛放熔融态材料的坩埚或模型，其旁侧设有加热元件、加热元件外侧设置有保温层，再外侧贴近保温层处设有隔热水套，最外侧设置有超导线圈，超导线圈置于杜瓦罐内，在容器坩埚或模型的上方设置有保温密封盖，下部设置有隔热保温垫板；坩埚或模型内本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种梯度强磁场单向凝固结晶装置，包括有装有超导线圈的超导磁体、加热元件、保温层、可控拉动装置等，其特征在于本装置的中央设有一盛放熔融态材料（４）的坩埚或模型（３），其旁侧设有加热元件（２）、加热元件（２）外侧设置有保温层（８），再外侧贴近保温层（８）处设有隔热水套（５），最外侧设置有超导线圈（７），超导线圈（７）置于杜瓦罐（６）内，在容器坩埚或模型（３）的上方设置有保温密封盖（１），下部设置有隔热保温垫板（１０）；坩埚或模型（３）内，上部的熔融态材料（４）与操作过程中将形成的、位于下部的凝固结晶部分（９）之间形成一凝固结晶界面（１５）；坩埚或模型（３）的下面设置有可通入冷却剂的冷却器（１１）；...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：任忠鸣，邓康，李喜，钟云波，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]