本实用新型专利技术公开了一种阵列基板,涉及显示技术领域,包括:至少一条与栅线平行的第一修复线路和至少一条与数据线平行的第二修复线路。本实用新型专利技术通过在阵列基板上设置分别与栅线平行及数据线平行的修复线,当显示区域的其中一条栅线断线,或其中一条数据线断线,或一条栅线和一条数据线同时断线时,均可以利用修复线的组合对以上三种断线进行修复,相对与传统的修复方式,提高了断线修复率,从而提升了产品良率,降低了生产成本,减小了浪费。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及显示
,特别涉及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管-液晶显示器(TFT-IXD)因其画面品质高、功耗低、辐射小、轻薄便携等优点已广泛应用于3D电视、笔记本电脑、iPad、数码相机、iPhone等电子产品,而液晶显示面板又是整个液晶显示器最为核心的部件。如图I所示,是目前液晶显示面板阵列基板的结构示意图,包括栅线001、数据线002、薄膜晶体管003和像素电极004。其中像素电极004通过薄膜晶体管003连接到栅线001和数据线002。栅线001的高低电平决定薄膜晶体管003的开关状态,当栅线001为高电平时,薄膜晶体管003为开态,数据线002上的数据信号经由薄膜晶体管003对像素电极004充电,此时像素电极004与公共电极(图I中未给出)之间产生的电压差形成的电场使填充在阵列基板与彩膜基板之间的液晶偏转以实现不同的灰度水平。·液晶显示器生产过程的前端阵列基板(Array)阶段工序,由于异物等因素会导致栅线001、数据线002断线(虚线椭圆圈处)。当Array阶段检测到栅线001或数据线002断线时,会采用化学沉积的方法对其进行修复。如果在液晶盒(Cell)阶段对盒之后检测到数据线002断线时,会利用外围两条修复线经放大电路(OP)进行修复,但修复成功率只有709Γ80%左右;当Cell阶段对盒之后检测到栅线001断线时,目前无法进行修复,直接进行报废处理,不仅浪费严重,而且制约产品良率的提升,不利于生产成本的降低。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本技术要解决的技术问题是如何提高对阵列基板上的栅线或数据线的断线修复率。(二)技术方案为解决上述技术问题,本技术提供了一种阵列基板,包括至少一条与栅线平行的第一修复线路和至少一条与数据线平行的第二修复线路。其中,所述第一修复线路为一条连续的导线,每间隔η条栅线设置有一条第一修复线路,O ( η<Ν, N为栅线总条数。其中,所述η为8 12。其中,所述第二修复线路为一条连续的导线,每间隔m条数据线设置有一条第二修复线路,O ( m〈M,M为数据线总条数。其中,所述m为25 35。其中,所述第一修复线路为形成于一条直线上的至少两段导线,每间隔η条栅线设置有一条第一修复线路,O ( η〈Ν,N为栅线总条数。其中,第i条第一修复线路上的每段导线跨越Pi个像素单元,所述像素单元为每条数据线和每条栅极线围设形成的区域,I (Pi〈p,P为数据线总条数。其中,所述η为8 12,Pi为25 35。其中,所述第二修复线路为形成于一条直线上的至少两段导线,每间隔m条数据线设置有一条第二修复线路,O ( m〈M,M为数据线总条数。其中,第j条第二修复线路上的每段导线跨越q」个像素单元,所述像素单元为每条数据线和每条栅极线围设形成的区域,I ( qj<Q, Q为栅线总条数。其中,所述m为25 35,q」为8 12。其中,所述第一修复线路与所述栅线位于同一层,所述第二修复线路与所述数据线位于同一层。本技术还提供了一种显示装置,包括上述任一项所述的阵列基板。(三)有益效果本技术通过在阵列基板上设置分别与栅线平行及数据线平行的修复线,当显示区域的其中一条栅线断线,或其中一条数据线断线,或一条栅线和一条数据线同时断线时,均可以利用修复线的组合对以上三种断线进行修复,相对与传统的修复方式,提高了断线修复率,从而提升了产品良率,降低了生产成本,减小了浪费。附图说明图I是现有的阵列基板上发送断线情况的结构示意图;图2是本技术实施例I的一种阵列基板结构示意图;图3是实施例I中的阵列基板在紧邻修复线的栅线发生断线时的修复原理图;图4是实施例I中的阵列基板在紧邻修复线的数据线发生断线时的修复原理图;图5是实施例I中的阵列基板在紧邻修复线的栅线和数据线同时发生断线时的修复原理图;图6是实施例I中的阵列基板在非紧邻修复线的栅线和数据线同时发生断线时的修复原理图;图7是本技术实施例2的一种阵列基板结构示意具体实施方式以下结合附图和实施例,对本技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本技术,但不用来限制本技术的范围。实施例I如图2所示,本技术的阵列基板包括若干栅线001、数据线002及栅线001和数据线002之间形成的若干像素单元(栅线001和数据线002之间形成的区域),每个像素单元包括薄膜晶体管003和与薄膜晶体管003连接的像素电极004。还包括至少一条与栅线001平行的第一修复线路和至少一条与数据线002平行的第二修复线路。本实施例中,第一修复线路为一条连续的横向贯穿整个基板的水平修复线005,第二修复线路为一条连续的纵向贯穿整个基板的竖直修复线006。在栅线001和/或数据线002断线时,用水平修复线005和竖直修复线006组合连接成一条通路代替断线的线路。实际生产过程中,阵列基板上每条栅线001和数据线002都有断线的可能,理论上可以为每条栅线OOl和数据线002分别设置各自的水平修复线005和竖直修复线006。但对于水平修复线的设置,如果隔的行数比较少,显示区的开口率会相对减小;如果隔的行数比较多,修复时电阻-电容延迟(RC delay)会相对增加;对于竖直修复线的设置,如果隔的列数比较少,也会导致显示区的开口率相对减小;如果隔的列数比较多,修复时RC delay也会相对增加。因此,在设置水平修复线005和竖直修复线006时,每间隔η条栅线设置有一条水平修复线005,0 ( η<Ν(η=0即为每条栅线都设置水平修复线),N为栅线总条数。每间隔m条数据线设置有一条竖直修复线006,0 ( m<M (m=0即为每条数据线都设置竖直修复线),M为数据线总条数。经综合考虑,对于不同的面板大小要保证显示区的开口率及修复时的RC delay尽量小,每隔8 12行(例如10行,n=10),每隔25 35列,(例如30列,m=30)设置修复线相对比较合理。以下通过每隔10行(n=10)、30列(m=30)设置修复线的实例说明本技术的阵列基板上发生断线时的修复原理。 如图3、4、5和6所示,在阵列基板上的第η条栅线Gn (η=1, 11,21,…)和第m条数据线Dm (m=l, 31,61,91,…)附近分别设置了水平修复线HRL和竖直修复线VRL。图3示出了在第11条栅线Gll上出现断线(图3中虚线水平椭圆处)时的修复方法。分别在第I列竖直修复线、第31列竖直修复线和第21行水平修复线上用激光形成如图3中所示的五个切割位点“ X ”,然后在第I列竖直修复线、第31列竖直修复线与第11行栅线、第21水平修复线的四个交叉位置用激光形成如图3中所示的四个焊接位点“ ”,以完成对断线Gll的修复。图4示出了在第61条数据线D61上出现断线(图4中虚线竖直椭圆处)时的修复方法。分别在第I行水平修复线、第11行水平修复线和第91列竖直修复线上用激光形成如图4中所示的五个切割位点“ X ”,然后在第I行水平修复线、第11行水平修复线与第61列数据线、第91列竖直修复线的四个交叉位置用激光形成如图4中所示的四个焊接位点“ ”,以完成对断线D61的修复。图5示出了在第11条栅线Gll上出现断线(本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板,其特征在于,包括:至少一条与栅线平行的第一修复线路和至少一条与数据线平行的第二修复线路。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:黄式强,刘荣铖,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,合肥京东方光电科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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