一种纳米管薄膜光电极制造技术

本实用新型专利技术涉及一种纳米管薄膜光电极，包括钛片基底，钛片基底上设有原位生长的钕、氟掺杂二氧化钛纳米管薄膜层。实用新型专利技术有益的效果是：一、采用阳极氧化法制备非金属氟、稀土钕共掺杂二氧化钛纳米管薄膜，工艺简单，成本低，易于控制；二、纳米管的结构具有较高的活性比表面积，能够有效的提高光电转化效率；三、非金属氟、稀土钕共掺杂的样品具有很高的可见光活性；四、可用于太阳能利用、光电转化以及环境领域的有机污染物的降解。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种纳米管薄膜光电极，其特征是：包括钛片基底（2），钛片基底（2）上设有原位生长的钕、氟掺杂二氧化钛纳米管薄膜层（1）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈秀琴，
申请(专利权)人：浙江建设职业技术学院，
类型：实用新型
国别省市：