托架盖制造技术

本发明专利技术描述新颖的半导体处理托架及包含此类托架的设备的实例。这些托架经特定配置以向半导体衬底提供均匀的热传递且减少维修复杂性及/或频率。具体来说，托架可包含可移除盖，所述可移除盖定位于所述托架的金属载盘上方。所述可移除盖经配置以维持其面向衬底的表面的一致且均匀的温度分布，尽管所述载盘的上表面(其支撑所述盖且与所述盖热连通)可具有更不均匀的温度分布。所述盖可由某些陶瓷材料制成且定形为薄板。这些材料可耐得住处理环境且在许多次处理循环之后保持其热特性。所述盖可轻易从所述载盘移除且用一个新盖替换，而无需对整个设备进行大规模拆卸。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体处理托架及包含此类托架的设备。
技术介绍
本申请案主张2011年4月13日申请的标题为“托架盖(PEDESTAL COVER) ”的第13/086，010号美国申请案的利益，所述申请案出于所有目的而以引用的方式并入本文中。镶嵌处理技术被用于许多现代集成电路制造方案中，因为与其它方法相比，这些技术需要较少的处理步骤且一般产率较高。镶嵌处理涉及到，通过在介电层中的沟渠及通孔中沉积对应的内置金属线而在集成电路上形成金属导体。作为镶嵌处理的一部分，在介电层上沉积光致抗蚀剂层。光致抗蚀剂为光敏有机聚合物，其可以液体形式“旋涂(spunon)”且经干燥而形成固态膜。接着通过使光穿过掩模而使光致抗蚀剂图案化。此操作之后可对图案化光致抗蚀剂进行等离子体蚀刻(例如，所述介电层的经暴露部分)，以在所述介电层中形成沟渠及通孔。接着剥离光致抗蚀剂，且在后续处理之前移除任何有关蚀刻的残留物。一般来说，光致抗蚀剂剥离采用由一种或一种以上工艺气体所形成的等离子体，工艺气体可包含氧气或其它氧化剂。高度反应性等离子体蚀刻有机光致抗蚀剂，以形成挥发性组分，其被从处理腔室排除。在此剥离过程期间，应精本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：艾维利恩·安格洛夫，布赖恩·西弗森，纳坦·所罗门，
申请(专利权)人：诺发系统有限公司，
类型：
国别省市：