【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】专利技术人TomEasley
和工业适用性本公开提供了具有低水平的未反应硅和石墨的金刚石压坯的制造工艺/方法。本公开还包括由本文中公开的新方法制造的金刚石压坯，以及利用由所述新方法制造的金刚石压坯的工具。
技术介绍
金刚石压坯经常包含约85体积％以上的金钢石晶粒，所述晶粒在它们的接触点互相键合。这些压坯(以下称为聚晶金刚石或PCD)最经常还含有约15体积％以下的催化剂金属，例如Co或Fe。这些金刚石压还经常被形成为附着于WC基底的O. 5至5mm厚的层,或作为固体的独立体。形成这些金刚石压坯需要超过55千巴的操作压力。 例如，美国专利5，010，043 (“’043专利”)公开了 SiC键合金刚石压坯，其具有足够高度的研磨性、硬度和机械强度以致容许将所述压坯用于切割、机械加工、碾磨、钻孔、磨碎以及加工硬和超硬质的材料，所述材料包括现代陶瓷例如碳化硅、碳化硼、氮化硅、赛纶陶瓷、氧化铝、部分稳定氧化锆和氧化铍，金属材料例如碳化钨、碳化钛、硼化钛、以及高温镍和钴基合金，以及非常硬的天然矿物质和岩石例如宝石和半宝石、石英岩、花岗岩和条带状铁形成物(banded iron ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯·查尔斯·伊斯黎，
申请(专利权)人：戴蒙得创新股份有限公司，
类型：
国别省市：
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