MEMS热电堆红外探测器芯片、其内芯片及本身的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种MEMS热电堆红外探测器芯片，包括内芯片和位于内芯片上的红外滤窗，内芯片含有衬底，衬底设有正面、背面及自正面凹陷形成的空气腔体，空气腔体未贯穿衬底的背面，正面设有支撑部和红外吸热层，所述红外吸热层位于支撑部和空气腔体内，其厚度大于支撑部且小于空气腔体，并且其厚度不小于支撑部，在支撑部上设有热电堆，衬底与红外吸热层分别形成热电堆的冷端与热端，热电堆包括由不同导电材料所制成的第一、第二导电层，第一、第二导电层通过其末端的第一、第二电极引出，第一、第二电极的顶部露出，热电堆是由与CMOS工艺相兼容的材料制成，本发明专利技术制造方法可制造性较高且工艺简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及MEMS (微机电系统)器件领域，尤其涉及MEMS热电堆红外探测器芯片、利用微细加工工艺对用于该MEMS热电堆红外探测器芯片中的内芯片及芯片本身的制造方法。
技术介绍
近年来，热电堆红外探测器广泛的应用于需要温度以及辐射测量的领域，如在国防、医疗、家电、工控、汽车、公共安全等等。其工作原理是利用塞贝克效应，即两种不同电导体或半导体的温度差异而导致两种材料之间产生电压差的热点现象，来探测红外辐射。与其它电子元器件一样，随着应用的普及及需求量的增加，热电堆红外探测器的发展趋势是体积小、灵敏度闻、功耗小、价格低、可罪性闻等。 而目前MEMS技术正推动着半导体界“超越摩尔定律”的变革，在国内外得到了迅猛的发展。世界正经过昨天的真空电子管时代，跨越现在的固体电子时代进入明天的MEMS时代。MEMS为近年来高速发展的一项高新技术，其采用先进的半导体制备工艺，可批量实现MEMS器件的制备。与对应传统热电堆红外探测器相比，MEMS热电堆红外探测器在体积、功耗、重量以及价格等方面有十分明显的优势。所以，采用先进MEMS技术制作的热电堆红外探测器是未来技术发展的主流方向。目前采用MEMS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MEMS热电堆红外探测器芯片，其特征在于：所述MEMS热电堆红外探测器芯片包括内芯片（20a）和位于内芯片（20a）上的红外滤窗（20b），所述内芯片（20a）含有衬底（21），所述衬底（21）设有正面（221）、背面（212）及自正面（221）凹陷形成的空气腔体（25），所述空气腔体（25）未贯穿衬底（20a）的背面（212），所述衬底（21）正面（221）设有支撑部（23）和红外吸热层（24），所述红外吸热层（24）位于支撑部（23）和空气腔体（25）内，其厚度大于支撑部（23）且小于空气腔体（25），在所述支撑部（23）上设有热电堆（22），所述衬底（21）与红外吸热层（24）分别形...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李刚，桑新文，
申请(专利权)人：苏州敏芯微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：