一种高性能MEMS热电堆红外探测器结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种高性能MEMS热电堆红外探测器结构及其制备方法，其包括衬底；衬底上设有释放阻挡带，释放阻挡带内具有热隔离腔体，热隔离腔体的正上方设有黒硅红外吸收区，黒硅红外吸收区位于释放阻挡带上；黒硅红外吸收区的外侧设有若干热电堆，黒硅红外吸收区外侧的若干热电堆相互串接后电连接成一体；热电堆的探测冷端通过第一热导通电隔离结构及所述第一热导通电隔离结构下方的热传导体与衬底相连；热电堆的探测热端通过第二热导通电隔离结构与黒硅红外吸收区相接触，第二热导通电隔离结构位于释放阻挡带上。本发明专利技术结构简单易于实现，便于单片集成，响应率及探测率高，与CMOS工艺兼容，适用范围广，安全可靠。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高性能MEMS热电堆红外探测器结构，包括衬底（101）；其特征是：所述衬底（101）上设有释放阻挡带（2），所述释放阻挡带（2）内具有热隔离腔体（1403），所述热隔离腔体（1403）的正上方设有黒硅红外吸收区（7），所述黒硅红外吸收区（7）位于释放阻挡带（2）上；黒硅红外吸收区（7）的外侧设有若干热电堆，黒硅红外吸收区（7）外侧的若干热电堆相互串接后电连接成一体；所述热电堆对应邻近黒硅红外吸收区（7）的一端形成探测热端，热电堆对应远离黒硅红外吸收区（7）的一端形成探测冷端；热电堆的探测冷端通过第一热导通电隔离结构（1）及所述第一热导通电隔离结构（1）下方的热传导体（303）与衬底（101）相连，热传导体（303）位于热隔离腔体（1403）的外部，并位于释放阻挡带（2）及衬底（101）之间，第一热导通电隔离结构（1）嵌置于释放阻挡带（2）内；热电堆的探测热端通过第二热导通电隔离结构（5）与黒硅红外吸收区（7）相接触，第二热导通电隔离结构（5）位于释放阻挡带（2）上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：毛海央，陈媛婧，欧文，明安杰，
申请(专利权)人：江苏物联网研究发展中心，
类型：发明
国别省市：