SiC纳米晶/石墨烯异质结及制备方法和应用技术

一种碳化硅纳米晶/石墨烯异质结，SiC纳米晶颗粒的外表面包覆有至少一层石墨烯，通过下述方法得到：将SiC纳米晶颗粒在真空或氩气气氛中，于1000℃-1600℃进行退火处理，得到SiC纳米晶/石墨烯异质结。本发明专利技术根据SiC热分解原理，通过调控退火温度、退火时间和环境气氛，可以获得由不同层数的石墨烯包覆的SiC纳米晶颗粒，从而得到SiC纳米晶/石墨烯异质结结构。利用本发明专利技术所制备的SiC纳米晶/石墨烯异质结构，在表面催化领域(其中包括表面光催化降解有机物和光催化制氢等方面)，具有广泛的应用潜能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于材料
，具体地涉及一种SiC纳米晶/石墨烯异质结。本专利技术还涉及上述SiC纳米晶/石墨烯异质结的制备方法。本专利技术还涉及上述SiC纳米晶/石墨烯异质结在表面催化方面的应用。
技术介绍
随着技术进步和社会发展，人们对能源的消耗越来越多，给环境带来的污染越 等可燃气体)和降解有机污染物的有效方法成为当前的研究热点之一。传统的半导体光催化剂主要有W03、TO2, ZnO和SiC粉末等。为了提高半导体光催化介质的催化作用，两种技术方法常被用来提高光催化作用一是增加光的有效吸收(通过掺杂，引入杂质能级增加光吸收)，产生更多的光生载流子；二是加快光生载流子的空间分离(通过形成金属/氧化物复合结构，加快电子向金属转移)，减少光生载流子的复合。大量的实验研究表明，加快光生载流子的空间分离是提高光催化效能的有效方法。自2004年石墨烯被发现以来，由于石墨烯特有的高载流子迁移率和特别大的比表面积，使石墨烯/TiO2(或其它氧化物)复合物的研究成为新一代光催化材料研究的热点。实验已发现石墨烯/TiO2 复合物的光催化制氢或降解有机物能力远好于TiO2的催化能力。然而，由于石墨烯/本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳化硅纳米晶/石墨烯异质结，SiC纳米晶颗粒的外表面包覆有至少一层石墨烯，通过下述方法得到：将SiC纳米晶颗粒在真空或氩气气氛中，于1000℃？1600℃进行退火处理，得到SiC纳米晶/石墨烯异质结。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈小龙，郭丽伟，林菁菁，朱开兴，贾玉萍，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：