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一种碳化硅纳米晶/石墨烯异质结，SiC纳米晶颗粒的外表面包覆有至少一层石墨烯，通过下述方法得到：将SiC纳米晶颗粒在真空或氩气气氛中，于1000℃-1600℃进行退火处理，得到SiC纳米晶/石墨烯异质结。本发明根据SiC热分解原理，通过调控...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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