【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种芯片，特别是涉及一种SCR、IGBT通用控制芯片架构。
技术介绍
电力半导体器件是电力电子技术的基础，是电力变流装置的心脏，它非但对电力变流装置的体积、重量、效率、性能以及可靠性等起到至关重要的作用，而且对装置的价格也起了很大的影响。一种新型器件的诞生往往使整个装置系统面貌发生巨大改观，促进电力电子技术向前发展。自1957年世界上第一个晶闸管问世以来，经过40多年的开发和研究，已推出各种电力半导体器件近40种，目前正沿着高频化、智能化、大功率化和模块化方向发展。 目前用量最大电力电子功率器件就是SCR(Silicon Controlled Rectifier,可控娃整流器)和IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)，和相应的控制电路组合应用于多种领域，如可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关、交流电机调速、开关电源、照明电路、牵引传动等。目前SCR控制电路主要是各种移相触发电路，市场上主有两大类第一类是模拟型的。70年代以前，我国SCR电路的触发板几乎全部由分立元件组成，工作可靠性很差。8...
【技术保护点】
一种SCR、IGBT通用控制芯片架构，其特征在于，SCR、IGBT通用控制芯片架构包括比较器、噪声消除电路、电网频率漂移消除电路、缺相电路、移相电路、触发脉冲发生电路、驱动电路、模拟数字转换器、PID算法模块、过流过压保护电路、串行通讯接口、控制寄存器、电源波形幅值控制电路、电源频率控制电路、PWM发生器、死区消除电路、载波发生器、电源波形只读存储器，比较器与噪声消除电路连接，噪声消除电路还与电网频率漂移消除电路连接，电网频率漂移消除电路与缺相电路连接，缺相电路与触发脉冲发生电路连接，触发脉冲发生电路与驱动电路连接，模拟数字转换器与PID算法模块连接，PID算法模块与过流过...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王道，冯晖，毛建国，
申请(专利权)人：奉化诚兴道电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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