一种透明导电薄膜制作方法技术

本发明专利技术公开了一种透明导电薄膜制作方法，光导体鼓的上方设有充电电极，下方放置有网版，网版的下方设置有光源，其步骤如下：在封闭遮光的黑暗环境下充电电极给光导体鼓表面充上均匀的电荷；光源通过网版对光导体鼓表面进行曝光；显影装置将带有与光导体鼓表面电荷相反的纳米银粉状颗粒带到光导体鼓附近，纳米银粉状颗粒吸附于光导体鼓表面；基板被送到光导体鼓下方，基板下方加0.3库仑电荷，使光导体鼓表面的纳米银粉状颗粒吸附到基板上；将表面吸附有纳米银粉状颗粒的基板进行热处理固化，并形成薄膜线路。本发明专利技术成本低、良率高，制作的透明导电薄膜阻抗低、线宽线距可做到0.01mm以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种触摸屏Sensor (传感器)，特别涉及一种透明导电线路薄膜的制作方法。
技术介绍
目前触摸Sensor制作有两种工艺，第一种为黄光制程、主要工艺流程为真空镀ITO (氧化氧化铟锡)膜，清洗，涂布感光胶、烘烤、瀑光、显影、蚀刻、脱膜。第二种是激光干蚀刻技术，主要流程为为真空镀ITO膜，清洗，激光蚀刻，银奖印刷，烘烤，覆盖保护层。第一种产品工艺成熟、产品性能稳定，但是工艺流程复杂，成本较高而且受ITO材质本身特性限制，面电阻很难做到30欧姆以下，线宽线距最小只能做到O. 03mm。第二种工艺相对简单，但是产品的良品率较低，产品的功能不稳定，银奖线路的线宽和线距只能做到O. 07mm以上。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种新型的透明导电薄膜的制作技术，即通过印刷纳米银材料的技术，来实现在玻璃或膜材上印刷透明线路的方式来制作电容屏Sensor，从而解决传统黄光制程成本较高及干蚀刻制程工艺不稳定的问题。针对上述目的，本专利技术采取以下技术方案，，光导体鼓的上方设有充电电极，下方放置有网版，网版的下方设置有光源，其特征在于，其步骤如下 O在封闭遮光的黑暗环境下充电电极给光导体鼓表面充上均勻的电荷； 2)光源通过网版对光导体鼓表面进行曝光； 3)显影装置将带有与光导体鼓表面电荷相反的纳米银粉状颗粒带到光导体鼓附近，纳米银粉状颗粒吸附于光导体鼓表面； 4)基板被送到光导体鼓下方，基板下方加O.3库仑电荷,使光导体鼓表面的纳米银粉状颗粒吸附到基板上； 5)将表面吸附有纳米银粉状颗粒的基板进行热处理固化，并形成薄膜线路。所述显影装置为圆筒状。所述热处理的温度为70°C ±5°C，时间为5s。所述网版上按照1:1的比例印有所需产品的线路图形。所述基板是玻璃或膜材。本专利技术的优点在于，成本低、良率高，制作的透明导电薄膜阻抗低、线宽线距可做到O. 01mm以下。附图说明图I是本专利技术的光导体鼓表面充电不意图。图2是本专利技术的光导体鼓表面曝光不意图。图3是本专利技术的光导体鼓表面显影示意图。图4是本专利技术的印刷示意图。图中1、充电电极，2、光导体鼓，3、网版，4、光源，5、显影装置，6、基板。7、印刷带电体，8、纳米银粉状颗粒。具体实施例方式以下结合实施例对本专利技术作进一步说明，参见图I至图4，，光导体鼓2的上方设有充电电极1，下方放置有网版3，网版3的下方设置有光源4，其特征在于，其步骤如下 O在封闭遮光的黑暗环境下充电电极I给光导体鼓2表面充上均勻的电荷； 2)光源4通过网版3对光导体鼓2表面进行曝光； 3)显影装置5将带有与光导体鼓2表面电荷相反的纳米银粉状颗粒8带到光导体鼓附近，纳米银粉状颗粒8吸附于光导体鼓表面； 4)基板6被送到光导体鼓2下方,基板6下方加O.3库仑电荷,使光导体鼓2表面的纳米银粉状颗粒8吸附到基板6上； 5)将表面吸附有纳米银粉状颗粒8的基板进行热处理固化，并形成薄膜线路。所述显影装置5为圆筒状。所述热处理的温度为70°C ±5°C，时间为5s。所述网版6上按照1:1的比例印有所需产品的线路图形。所述基板6是玻璃或膜材。本专利技术的整个装置在一个密闭的腔体内，光导体鼓2为可绕中心转动的圆筒状结构，充电电极I位于光导体鼓2的上方,充电时充电电极I靠近光导体鼓2,通过光导体鼓2得旋转，在表面带上均匀的电荷，光源位于光导体鼓的下方，印有线路的透明网版置于光源与光导体鼓之间，曝光时，光源4打开将网版3上的图形曝光于光导体鼓2的表面。显影装置5位于光导体鼓2侧面，上面吸附纳米银粉状颗粒，导光体鼓2显影时，显影装置5靠近导光体鼓2，带有电荷的纳米银粉颗粒和带有极性相反的光导体鼓2接近，依靠静电吸附原理，在光导体鼓2表面显影。被印刷的玻璃或膜材基板6通过到光导体鼓2下方，由于受基板6下方印刷带电体7电荷的吸附作用纳米银粉状颗粒会吸附与基板6上。本专利技术所述的光导体鼓2米用光导体感光鼓为圆筒状结构,筒外壁均勻分布感光型半导体，即在暗态时(不受光)为绝缘体；而在亮态(受光)时为导体。光导体没有受光照的状态下进行充电，使其表面带上均匀的电荷，然后通过光学成像原理，使原稿图像成像在光导体上。有图像部分因没有受到光照(相当于暗态)，所以光导体表面仍带有电荷，而无图像区域则受到光照(相当于亮态)，所以光导体表面的电荷通过基体的接地，使表面的电荷消失，从而形成了静电潜像。权利要求1.，光导体鼓的上方设有充电电极，下方放置有网版，网版的下方设置有光源，其特征在于，其步骤如下 1)在封闭遮光的黑暗环境下充电电极给光导体鼓表面充上均勻的电荷； 2)光源通过网版对光导体鼓表面进行曝光； 3)显影装置将带有与光导体鼓表面电荷相反的纳米银粉状颗粒带到光导体鼓附近，纳米银粉状颗粒吸附于光导体鼓表面； 4)基板被送到光导体鼓下方，基板下方加O.3库仑电荷,使光导体鼓表面的纳米银粉状颗粒吸附到基板上； 5)将表面吸附有纳米银粉状颗粒的基板进行热处理固化，并形成薄膜线路。2.根据权利要求I所述的透明导电薄膜制作技术，其特征在于，所述显影装置为圆筒状。3.根据权利要求I所述的透明导电薄膜制作方法，其特征在于，所述热处理的温度为700C ±5°C，时间为 5s。4.根据权利要求I所述的透明导电薄膜制作方法，其特征在于，所述网版上按照I:I的比例印有所需产品的线路图形。5.根据权利要求I所述的透明导电薄膜制作方法，其特征在于，所述基板是玻璃或膜材。全文摘要本专利技术公开了，光导体鼓的上方设有充电电极，下方放置有网版，网版的下方设置有光源，其步骤如下在封闭遮光的黑暗环境下充电电极给光导体鼓表面充上均匀的电荷；光源通过网版对光导体鼓表面进行曝光；显影装置将带有与光导体鼓表面电荷相反的纳米银粉状颗粒带到光导体鼓附近，纳米银粉状颗粒吸附于光导体鼓表面；基板被送到光导体鼓下方，基板下方加0.3库仑电荷，使光导体鼓表面的纳米银粉状颗粒吸附到基板上；将表面吸附有纳米银粉状颗粒的基板进行热处理固化，并形成薄膜线路。本专利技术成本低、良率高，制作的透明导电薄膜阻抗低、线宽线距可做到0.01mm以下。文档编号G06F3/044GK102881383SQ20121034735公开日2013年1月16日 申请日期2012年9月19日 优先权日2012年9月19日专利技术者陶力争, 王志勇 申请人:江西联创电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电薄膜制作方法，光导体鼓的上方设有充电电极，下方放置有网版，网版的下方设置有光源，其特征在于，其步骤如下：1）在封闭遮光的黑暗环境下充电电极给光导体鼓表面充上均匀的电荷；2）光源通过网版对光导体鼓表面进行曝光；3）显影装置将带有与光导体鼓表面电荷相反的纳米银粉状颗粒带到光导体鼓附近，纳米银粉状颗粒吸附于光导体鼓表面；4）基板被送到光导体鼓下方，基板下方加0.3库仑电荷，使光导体鼓表面的纳米银粉状颗粒吸附到基板上；5）将表面吸附有纳米银粉状颗粒的基板进行热处理固化，并形成薄膜线路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陶力争，王志勇，
申请(专利权)人：江西联创电子有限公司，
类型：发明
国别省市：