本发明专利技术涉及一种霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制方法及系统，所述方法包括：所述霍尔传感器包括相隔第一距离的霍尔芯片和永磁体，所述霍尔芯片上设有感应面，所述霍尔传感器与被测物体上的剩磁物体的动作点的位置之间相隔第二距离，当所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时，调节所述第一距离或调节所述第二距离以使霍尔传感器的动作点的位置和释放点的位置保持不变。当有误差因素存在时，本发明专利技术能够在动作点的位置和释放点的位置保持不变的情况下，使霍尔传感器在被测物体动作时输出正确的信号，避免霍尔传感器的动作点和释放点有偏差。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制方法及系统。
技术介绍
霍尔传感器的应用是基于霍尔芯片在一个永磁体的磁场内工作，由于永磁体的磁钢强度误差、霍尔芯片参数值误差及霍尔传感器的制造安装误差，会产生霍尔传感器的动作点和释放点偏差，从而导致霍尔传感器在被测物体动作时无法输出正确的信号。因此，目前亟需一种霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制方法及系统，使霍尔传感器在被测物体动作时输出正确的信号，避免霍尔传感器的动作点和释放点有偏差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制方法及系统，当有误差因素存在时，能够在动作点的位置和释放点的位置保持不变的情况下，使霍尔传感器在被测物体动作时输出正确的信号，避免霍尔传感器的动作点和释放点有偏差。为解决上述问题，本专利技术提供一种霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制方法，所述霍尔传感器包括相隔第一距离的霍尔芯片和永磁体，所述霍尔芯片上设有感应面，所述霍尔传感器与被测物体上的剩磁物体的动作点的位置之间相隔第二距离，所述方法包括当所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时，调节所述第一距离以使霍尔传感器的动作点的位置和释放点的位置保持不变。进一步的,在上述方法中，还包括当所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时，调节所述第二距离以使霍尔传感器的动作点的位置和释放点的位置保持不变。进一步的，在上述方法中，由所述永磁体的磁钢强度误差、霍尔芯片器的参数值误差或霍尔传感器的制造安装误差中的一种或任意组合原因造成所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低。本专利技术提供另一种霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制方法，所述霍尔传感器包括相隔第一距离的霍尔芯片和永磁体，所述霍尔芯片上设有感应面，所述霍尔传感器与被测物体上的剩磁物体的动作点的位置之间相隔第二距离，所述方法包括当所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时，调节所述第二距离以使霍尔传感器的动作点的位置和释放点的位置保持不变。进一步的，在上述方法中，由所述永磁体的磁钢强度误差、霍尔芯片器的参数值误差或霍尔传感器的制造安装误差中的一种或任意组合原因造成所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低。根据本专利技术的另一面，提供一种霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制系统，包括霍尔传感器、位于被测物体上的剩磁物体和调节装置，其中，所述霍尔传感器包括相隔第一距离的霍尔芯片和永磁体，所述霍尔芯片上设有感应面；所述霍尔传感器与被测物体上的剩磁物体的动作点的位置之间相隔第二距离；所述调节装置，用于当所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时，调节所述第一距离以使霍尔传感器的动作点的位置和释放点的位置保持不变。进一步的，在上述系统中，所述调节装置，还用于当所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时，调节所述第二距离以使霍尔传感器的动作点的位置和释放点的位置保持不变。进一步的，在上述系统中，由所述永磁体的磁钢强度误差、霍尔芯片器的参数值误差或霍尔传感器的制造安装误差中的一种或任意组合原因造成所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低。本专利技术还提供另一种霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制系统，包括霍尔传 感器、位于被测物体上的剩磁物体和调节装置，其中，所述霍尔传感器包括相隔第一距离的霍尔芯片和永磁体，所述霍尔芯片上设有感应面；所述霍尔传感器与被测物体上的剩磁物体的动作点的位置之间相隔第二距离；所述调节装置，用于当所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时，调节所述第二距离以使霍尔传感器的动作点的位置和释放点的位置保持不变。进一步的，在上述系统中，由所述永磁体的磁钢强度误差、霍尔芯片器的参数值误差或霍尔传感器的制造安装误差中的一种或任意组合原因造成所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低。与现有技术相比，本专利技术中所述霍尔传感器包括相隔第一距离的霍尔芯片和永磁体，所述霍尔芯片上设有感应面，所述霍尔传感器与被测物体上的剩磁物体的动作点的位置之间相隔第二距离，所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时，调节所述第一距离以使霍尔传感器的动作点的位置和释放点的位置保持不变或调节所述第二距离以使霍尔传感器的动作点的位置和释放点的位置保持不变，当有误差因素存在时，能够在动作点的位置和释放点的位置保持不变的情况下，使霍尔传感器在被测物体动作时输出正确的信号，避免霍尔传感器的动作点和释放点有偏差。附图说明图I是本专利技术一实施例的原理图；图2是图I中沿轴Z的剖面原理图；图3是本专利技术一实施例的霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制模块示意图。具体实施例方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。实施例一如图I和2所示所示，本专利技术提供一种霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制方法，包括所述霍尔传感器I包括相隔第一距离Y的霍尔芯片11和永磁体12，所述霍尔芯片11上设有感应面，所述霍尔传感器I与被测物体上的剩磁物体2的动作点的位置之间相隔第二距离X，所述方法包括当所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时，调节所述第一距离Y以使霍尔传感器的动作点的位置C和释放点的位置D保持不变。具体的，霍尔传感器I将永磁体12和霍尔芯片11封装进行检测被测物体的位置，实际运用中，要求动作点的位置 C和释放点的位置D保持不变。以常用的霍尔芯片HAL506为例，当霍尔芯片的感应面的磁感应强度大于Bon (闭合点值)时，霍尔芯片动作，此时为霍尔传感器的动作点(闭合点)；当霍尔芯片感应面的磁感应强度小于Boff (断开点值)时，霍尔芯片释放，此时为霍尔传感器的释放点(断开点)。利用霍尔芯片11的动作原理制成的霍尔传感器I可以检测被测物体的剩磁物体2的位置，霍尔传感器I将霍尔芯片11及永磁体12固定在相对的位置上，被测物体上的剩磁物体2的感应块对霍尔芯片11的感应面做相对运动，以改变霍尔芯片11的感应面处的磁感应强度，以达到Bon或BofT，从而触发霍尔传感器I的动作点或释放点，检测被测物体的位置。如图2所示，其中霍尔传感器的动作点距离为A，霍尔传感器的释放点的距离为B，安装后霍尔传感器I的永磁体12和霍尔芯片11相对被测物体的剩磁物体2的位置为X，Y为霍尔传感器I的霍尔芯片11与永磁体12的相对位置尺寸。霍尔传感器I制造过程中，由于永磁体12的磁感应强度误差、霍尔芯片11自身的参数值误差以及霍尔传感器I装配误差，导致动作点的位置C和释放点的位置D超出了要求的误差范围，为了解决误差问题，即当所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时，可以调节所述第一距离Y以使霍尔传感器的动作点的位置C和释放点的位置D保持不变，调节所述第一距离Y可以改变霍尔芯片11表面的磁感应强度。在要求霍尔传感器I封装后不允许移动的情况下，采用这种方法在进行霍尔传感器I封装时，即可使霍尔传感器I的性能符合要求。综上，本实施例中所述霍尔传感器包括相隔第一距离的霍尔芯片和永磁体，所述霍尔芯片上设有感应面，所述霍尔传感器与被测物体上的剩磁物体的动作点的位置之间相隔第二距离，所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时，调节所述第一距离以使霍尔传感器的动作点的位置和释放点的位置保持不变，当有误差因素存在时，能够在动作点的位置和释放点的位置保持不变的情况下，使霍尔传感器在本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制方法，其特征在于，所述霍尔传感器包括相隔第一距离的霍尔芯片和永磁体，所述霍尔芯片上设有感应面，所述霍尔传感器与被测物体上的剩磁物体的动作点的位置之间相隔第二距离，所述方法包括：当所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时，调节所述第一距离以使霍尔传感器的动作点的位置和释放点的位置保持不变。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张周良，范忠良，蒋富根，沈文斋，朱汉平，
申请(专利权)人：上海森太克汽车电子有限公司，上海德科电子仪表有限公司，
类型：发明
国别省市：
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