霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制装置，所述装置包括：位于被测物体上的剩磁物体；霍尔传感器，所述霍尔传感器包括相隔第一距离的霍尔芯片和永磁体，所述霍尔芯片上设有感应面，所述霍尔传感器与被测物体上的剩磁物体的动作点的位置之间相隔第二距离；用于调节所述第一距离的第一调节装置，所述第一调节装置分别与所述霍尔芯片和永磁体连接。当有误差因素存在时，本实用新型专利技术能够在动作点的位置和释放点的位置保持不变的情况下，使霍尔传感器在被测物体动作时输出正确的信号，避免霍尔传感器的动作点和释放点有偏差。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制装置。
技术介绍
霍尔传感器的应用是基于霍尔芯片在 一个永磁体的磁场内工作，由于永磁体的磁钢强度误差、霍尔芯片参数值误差及霍尔传感器的制造安装误差，会产生霍尔传感器的动作点和释放点偏差，从而导致霍尔传感器在被测物体动作时无法输出正确的信号。因此，目前亟需一种霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制装置，使霍尔传感器在被测物体动作时输出正确的信号，避免霍尔传感器的动作点和释放点有偏差。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制装置，当有误差因素存在时，能够在动作点的位置和释放点的位置保持不变的情况下，使霍尔传感器在被测物体动作时输出正确的信号，避免霍尔传感器的动作点和释放点有偏差。为解决上述问题，本技术提供一种霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制装置，包括霍尔传感器、位于被测物体上的剩磁物体和第一调节装置，其中，所述霍尔传感器包括相隔第一距离的霍尔芯片和永磁体，所述霍尔芯片上设有感应面；所述霍尔传感器与被测物体上的剩磁物体的动作点的位置之间相隔第二距离；所述第一调节装置，用于当所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时，调节所述第一距离以使霍尔传感器的动作点的位置和释放点的位置保持不变。进一步的，在上述装置中，还包括一第二调节装置，用于当所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时，调节所述第二距离以使霍尔传感器的动作点的位置和释放点的位置保持不变。进一步的，在上述装置中，由所述永磁体的磁钢强度误差、霍尔芯片器的参数值误差或霍尔传感器的制造安装误差中的一种或任意组合原因造成所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低。本技术还提供另一种霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制装置，包括霍尔传感器、位于被测物体上的剩磁物体和第二调节装置，其中，所述霍尔传感器包括相隔第一距离的霍尔芯片和永磁体，所述霍尔芯片上设有感应面；所述霍尔传感器与被测物体上的剩磁物体的动作点的位置之间相隔第二距离；所述第二调节装置，用于当所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时，调节所述第二距离以使霍尔传感器的动作点的位置和释放点的位置保持不变。进一步的，在上述装置中，由所述永磁体的磁钢强度误差、霍尔芯片器的参数值误差或霍尔传感器的制造安装误差中的一种或任意组合原因造成所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低。与现有技术相比，本技术中所述霍尔传感器包括相隔第一距离的霍尔芯片和永磁体，所述霍尔芯片上设有感应面，所述霍尔传感器与被测物体上的剩磁物体的动作点的位置之间相隔第二距离，所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时，第一调节装置调节所述第一距离以使霍尔传感器的动作点的位置和释放点的位置保持不变或第二调节装置调节所述第二距离以使霍尔传感器的动作点的位置和释放点的位置保持不变，当有误差因素存在时，能够在动作点的位置和释放点的位置保持不变的情况下，使霍尔传感器在被测物体动作时输出正确的信号，避免霍尔传感器的动作点和释放点有偏差。附图说明图I是本技术一实施例的原理图；图2是图I中沿轴Z的剖面原理图；图3是本技术一实施例的霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制模块示意图。具体实施方式为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，以下结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。实施例一如图I至3所示，本技术提供一种霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制装置，包括霍尔传感器I、位于被测物体上的剩磁物体2和第一调节装置3，其中，所述霍尔传感器I包括相隔第一距离Y的霍尔芯片11和永磁体12，所述霍尔芯片上设有感应面。所述霍尔传感器I与被测物体上的剩磁物体2的动作点的位置之间相隔第二距离X。所述第一调节装置3用于当所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时，调节所述第一距离Y以使霍尔传感器的动作点的位置C和释放点的位置D保持不变。优选的，所述装置还包括一第二调节装置4，用于当所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时，调节所述第二距离X以使霍尔传感器的动作点的位置C和释放点的位置C保持不变。具体的，霍尔传感器I将永磁体12和霍尔芯片11封装进行检测被测物体的位置，实际运用中，要求动作点的位置C和释放点的位置D保持不变。以常用的霍尔芯片HAL506为例，当霍尔芯片的感应面的磁感应强度大于Bon (闭合点值)时，霍尔芯片动作，此时为霍尔传感器的动作点(闭合点)；当霍尔芯片感应面的磁感应强度小于Boff (断开点值)时，霍尔芯片释放，此时为霍尔传感器的释放点(断开点)。利用霍尔芯片11的动作原理制成的霍尔传感器I可以检测被测物体的剩磁物体2的位置，霍尔传感器I将霍尔芯片11及永磁体12固定在相对的位置上，被测物体上的剩磁物体2的感应块对霍尔芯片11的感应面做相对运动，以改变霍尔芯片11的感应面处的磁感应强度，以达到Bon或BofT，从而触发霍尔传感器I的动作点或释放点，检测被测物体的位置。如图2所示，其中霍尔传感器的动作点距离为A，霍尔传感器的释放点的距离为B，安装后霍尔传感器I的永磁体12和霍尔芯片11相对被测物体的剩磁物体2的位置为X，Y为霍尔传感器I的霍尔芯片11与永磁体12的相对位置尺寸。霍尔传感器I制造过程中，由于永磁体12的磁感应强度误差、霍尔芯片11自身的参数值误差以及霍尔传感器I装配误差，导致动作点的位置C和释放点的位置D超出了要求的误差范围，为了解决误差问题，即当所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时，可以调节所述第一距离Y以使霍尔传感器的动作点的位置C和释放点的位置D保持不变，调 节所述第一距离Y可以改变霍尔芯片11表面的磁感应强度。在要求霍尔传感器I封装后不允许移动的情况下，采用这种方法在进行霍尔传感器I封装时，即可使霍尔传感器I的性能符合要求。另外，当所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时，也可以调节所述第二距离X以使霍以使霍尔传感器的动作点的位置C和释放点的位置D保持不变，调节所述第二距离X可以改变霍尔芯片11表面的磁感应强度。本实施例可以在霍尔传感器I封装时，通过调节所述第二距离X改变霍尔传感器I到动作点的位置C和释放点的位置D的距离，使感应机构封装后整体可调节结构，从而使霍尔传感器的性能符合要求，例如当永磁体磁感应强度过高，导致霍尔传感器的动作点距离A和释放点的距离B增大，可以在霍尔传感器I时，增大第二距离X值，从而使得动作点和释放点位置不变。综上，本实施例中所述霍尔传感器包括相隔第一距离的霍尔芯片和永磁体，所述霍尔芯片上设有感应面，所述霍尔传感器与被测物体上的剩磁物体的动作点的位置之间相隔第二距离，所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时，通过第一调节装置调节所述第一距离以使霍尔传感器的动作点的位置和释放点的位置保持不变或通过第二调节装置调节所述第二距离以使霍尔传感器的动作点的位置和释放点的位置保持不变，当有误差因素存在时，能够在动作点的位置和释放点的位置保持不变的情况下，使霍尔传感器在被测物体动作时输出正确的信号，避免霍尔传感器的动作点和释放点有偏差。实施例二如图I和2所示所示，本技术提供一种霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制方法，包括所述霍尔传感器I包括相隔第一距离Y的霍尔芯片11和永磁体12，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制装置，其特征在于，包括：位于被测物体上的剩磁物体；霍尔传感器，所述霍尔传感器包括相隔第一距离的霍尔芯片和永磁体，所述霍尔芯片上设有感应面，所述霍尔传感器与被测物体上的剩磁物体的动作点的位置之间相隔第二距离；用于调节所述第一距离的第一调节装置，所述第一调节装置分别与所述霍尔芯片和永磁体连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张周良，范忠良，蒋富根，沈文斋，朱汉平，
申请(专利权)人：上海森太克汽车电子有限公司，上海德科电子仪表有限公司，
类型：实用新型
国别省市：