用于接纳半导体材料层的碳带制造技术

本发明专利技术涉及一种碳带（16'），该碳带（16'）具有两个面（20，22）和两个纵向端部（34，36），所述带（16'）的至少一个面具有位于所述两个纵向端部（34，36）之间的中央部（20a，22a），所述中央部用于接纳半导体材料层（30，32）的沉积，所述带的特征在于，所述带还在其至少一个面（20，22）上包括至少一个位于其中一个所述端部（34，36）和所述中央部（20a，22a）之间的纵向凹槽（17），并且所述纵向凹槽（17）以这样的方式成形：当沉积所述半导体材料层时，填充所述凹槽（17）的半导体材料（30，32）形成邻近所述碳带的其中一个面（20，22）的其中一个纵向端部（34，36）的突起（31）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于在其至少ー个面上接纳半导体材料层的碳带、形成所述碳带的方法以及在所述碳带的至少ー个面上沉积半导体材料层的方法。
技术介绍
光电池包括半导体材料的薄板，目前最普遍使用的材料为多晶硅。本专利技术尤其适用于拉引用于制造光电池的硅带，因此以下描述涉及硅，应理解，本专利技术同样适用于其它半导体材料，例如锗和具有一致或准一致熔融的神化镓族的III-V型半导体化合物。硅板优选是由通过拉引基底通过熔融硅浴来形成沉积在碳基底上的膜的硅层获得。该基底具有带的形式。图I是示出了称为临时基底上的带(RTS)方法的现有技术方法的总图。装配有加 热装置(未示出)的坩埚10容纳液态形式的熔融硅浴12。坩埚的底部具有狭槽14。利用拉引装置(未示出)，沿箭头18的方向基本上竖直向上地以基本上恒定的速度拉动小厚度(约为200微米(μ m)至350 μ m)的碳带16通过硅浴12。带的两个面20和22首先覆盖有热解碳24的薄层(厚度为约I μ m至5 μ m)。熔融硅润湿带的两个面20和22，并且在带的每个面上形成液态娃的弯液面(m6nisque) 26,在带的中央部处，固液连接线28距浴表面约6. 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·塔斯特万，
申请(专利权)人：索拉尔福尔斯公司，
类型：
国别省市：