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低温液相法合成CdSe/P3HT超结构杂化纳米晶的方法技术

技术编号:8191880 阅读:237 留言:0更新日期:2013-01-10 02:35
本发明专利技术涉及一种低温液相法合成CdSe/P3HT超结构杂化纳米晶的方法,本发明专利技术是将有机溶剂与醋酸镉前驱体混合均匀,然后加入配体P3HT(聚3-己基噻吩)。在氮气保护下缓慢升温至100℃下搅拌30min,再加热到180-200℃,保持温度稳定下注入180-200℃的Se源,反应10-20min,然后自然冷却至室温。将所得的沉淀用过量的乙醇洗涤、分离,即得到CdSe/P3HT超结构杂化纳米晶。本发明专利技术操作简单,无设备要求,合成温度低;产物可制成“纳米晶墨水”,用于组装太阳能电池,容易规模化;所使用的各种溶剂均对环境友好,无高毒性副产物产生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于杂化薄膜太阳能光伏电池材料制备领域,特别涉及一种。
技术介绍
随着化石燃料的枯竭和随之而来的全球能源危机加剧,各国甚至为能源发动战争,这同时也促使各国科学家开发利用各种可再生能源(如风能,水力,光能等)来替代化石燃料。这也就促使太阳能产业的飞速发展,近几年太阳能光伏产品层出不穷,产品的效率日益更新,光能的利用受到前所未有的重视。光能的利用有诸多有点如比较便利,无污染,对环境无破坏,可持续等。因此对于光能转化利用的研究显得颇为重要。 传统的太阳能电池由于硅材料价格高昂,且硅基太阳能电池的研究已经日趋成熟,效率提升空间不大;薄膜太阳能电池尤其是工艺简单的二元薄膜太阳能电池的研究更显得重要。新型太阳能电池有机无机杂化薄膜太阳能电池由于光电转换效率较高、制作成本较低,没有性能衰减等优良特性、近来受到广泛关注。无机材料CdSe纳米晶是研究最广泛的薄膜电池材料之一,受到人们的高度重视。CdSe纳米晶是第一种应用于太阳能电池的无机纳米晶,它是一种典型的窄带隙(I. 7eV)半导体材料,它相对于其他材料的纳米晶具有更高的能量转化效率,在杂化太阳能电池应用方面一直受到广泛的关注。目前对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温液相法合成CdSe/P3HT超结构杂化纳米晶的方法,包括:将二甲亚砜与三氯苯混合,磁力搅拌下加入镉源和聚3?己基噻吩P3HT,在氮气保护下升温至100℃下搅拌30min,再加热到180?200℃,温度稳定下注入180?200℃的硒源,再反应10?20min,然后自然冷却至室温;二甲亚砜、三氯苯、镉源、3?己基噻吩P3HT、硒源的配比为8mL∶16mL∶0.13?1.3g∶50?100mg∶0.0192?0.0768g;将所得CdSe沉淀用过量的乙醇洗涤和分离后干燥,即得到CdSe/P3HT杂化纳米晶。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:胡俊青彭彦玲陈志钢胡向华刘倩薛雅芳蒋林张冰洁
申请(专利权)人:东华大学
类型:发明
国别省市:

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