芯片封装体制造技术

技术编号:8191776 阅读:113 留言:0更新日期:2013-01-10 02:31
本发明专利技术涉及一种芯片封装体,其包括电路板、芯片及导线。该电路板包括金属底层、形成在该金属底层的中间层及形成在该中间层的导电线路层,该金属底层用于连接地端,该芯片封装体开设有贯穿该导电线路层及该中间层的通孔以暴露该金属底层,该芯片置于该通孔内且位于该金属底层上,该芯片与该金属底层相互绝缘,该导线连接该芯片及该导电线路层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种芯片封装体
技术介绍
一般地,芯片封装体包括芯片、电路板及其它电子组件。将芯片与电路板或其它组件达成电连接的方法包括打线接合(wire bonding)。在这方法中,金线或招线等材质的金属线会被作为导线使用。这些金属线的等效电路为电感。电感效应(特别是当操作在高频时电感效应会特别显著)会影响电路特性,使电路阻抗难以匹配,并增加信号损耗
技术实现思路
有鉴于此,有必要提供一种可降低电感效应的芯片封装体,以使电路阻抗容易匹配,并减少信号损耗。一种芯片封装体,其包括电路板、芯片及导线。该电路板包括金属底层、形成在该金属底层的中间层及形成在该中间层的导电线路层,该金属底层用于连接地端,该芯片封装体开设有贯穿该导电线路层及该中间层的通孔以暴露该金属底层,该芯片置于该通孔内且位于该金属底层上,该芯片与该金属底层相互绝缘,该导线连接该芯片及该导电线路层。本专利技术提供的芯片封装体,将芯片置于该通孔内且位于该金属底层上,使芯片相对于导电线路层的高度降低,进而使得连接芯片与导电线路层的导线变短,因此可降低导线的等效电感值而降低导线的电感效应而使得电路阻抗容易匹配并减少信号损耗,同时也可以减少导线的使用,节约成本。附图说明图I为本专利技术第一实施方式提供的一种具有封装玻璃的芯片封装体的截面不意图。图2为图I的芯片封装体未安装该封装玻璃时的俯视图。图3为本专利技术第二实施方式提供的一种芯片封装体的截面示意图。主要元件符号说明芯片封装体1100,200 ~ 电路板 10 —芯片1220 导线’ 30保护层 —40,80_封装玻璃 io基层101__金属底层 02中间层 103导电线路层 104连接垫 _114通孔|60,120权利要求1.一种芯片封装体,其包括电路板、芯片及导线,该电路板包括金属底层、形成在该金属底层的中间层及形成在该中间层的导电线路层,该金属底层用于接地,该芯片封装体开设贯穿该导电线路层及该中间层的通孔以暴露该金属底层,该芯片置于该通孔内且位于该金属底层上,该芯片与该金属底层相互绝缘,该导线连接该芯片及该导电线路层。2.如权利要求I所述的芯片封装体,其特征在于,该芯片包括芯片电极垫,该导电线路层包括连接垫,该导线连接该芯片电极垫及该连接垫。3.如权利要求I所述的芯片封装体,其特征在于,该芯片包括第一顶面,该导电线路层包括第二顶面,该第一顶面与该第二顶面处于同一水平面。4.如权利要求2所述的芯片封装体,其特征在于,该芯片封装体还包括保护层,该保护层覆盖该导线、该导线与该芯片电极垫的连接处及该导线与该连接垫的连接处。5.如权利要求4所述的芯片封装体,其特征在于,该保护层的材料为热固化树脂。6.如权利要求4所述的芯片封装体,其特征在于,该芯片封装体包括黏合于该保护层的封装玻璃,该芯片包括第一顶面,该第一顶面包括未被保护层覆盖的暴露区域,该封装玻璃与该保护层密封该暴露区域。7.如权利要求4所述的芯片封装体,其特征在于,该保护层填充该通孔并覆盖该芯片。8.如权利要求I所述的芯片封装体,其特征在于,该芯片封装体包括将该芯片粘着于该金属底层上的粘胶。9.如权利要求I所述的芯片封装体,其特征在于,该芯片包括第一顶面,该导电线路层包括第二顶面,该第一顶面比该第二顶面高。10.如权利要求I所述的芯片封装体,其特征在于,该芯片包括第一顶面,该导电线路层包括第二顶面,该第一顶面比该第二顶面低。全文摘要本专利技术涉及一种芯片封装体,其包括电路板、芯片及导线。该电路板包括金属底层、形成在该金属底层的中间层及形成在该中间层的导电线路层,该金属底层用于连接地端,该芯片封装体开设有贯穿该导电线路层及该中间层的通孔以暴露该金属底层,该芯片置于该通孔内且位于该金属底层上,该芯片与该金属底层相互绝缘,该导线连接该芯片及该导电线路层。文档编号H01L23/66GK102867814SQ20111018813公开日2013年1月9日 申请日期2011年7月6日 优先权日2011年7月6日专利技术者吴开文 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片封装体,其包括电路板、芯片及导线,该电路板包括金属底层、形成在该金属底层的中间层及形成在该中间层的导电线路层,该金属底层用于接地,该芯片封装体开设贯穿该导电线路层及该中间层的通孔以暴露该金属底层,该芯片置于该通孔内且位于该金属底层上,该芯片与该金属底层相互绝缘,该导线连接该芯片及该导电线路层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:吴开文
申请(专利权)人:鸿富锦精密工业深圳有限公司鸿海精密工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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