【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及流体静压技术，尤其是一种可以在低温恒温器内连续精确施加流体静压的连续加压装置。
技术介绍
作为研究半导体材料的一种有效实验手段，流体静压技术被广泛应用在半导体的光学性质、电学性质、相变等研究领域。施加流体静压就需要金刚石对顶砧装置。金刚石对顶砧装置的原理是将样品放在两块相对的上下砧面平行的金刚石和垫片形成的压室中，在压室中充入传压介质，外力推进这两块金刚石使之相互挤压时，通过传压介质，就会对样品产生流体静压。金刚石对顶砧技术已成为静压下材料光学性质研究的主流技术之一。 然而在利用金刚石对顶砧做低温流体静压实验时，由于对顶砧装置是固定在低温恒温器内的，每次加压都需要先在室温下通过螺丝刀拧紧对顶砧上的螺丝来实现，而不能在做低温实验的同时施加压力。而且以往的加压方法不能精确控制所加压力的大小，只能靠经验来估计。这些对实验有很大影响，使得流体静压实验非常繁琐，而且不确定性很大。
技术实现思路
(一 )要解决的技术问题为解决上述的一个或多个问题，本专利技术提供了一种连续加压装置，以在低温情况下，对测试样品连续、精确地加压。( 二 )技术方案根据本专利技术的一个方...
【技术保护点】
一种连续加压装置，其特征在于，包括：圆筒(6)；压电陶瓷(4)，设置于所述圆筒(6)内；滑块(3)，设置于所述圆筒(6)内，压设于所述压电陶瓷(4)的上表面，其外侧壁可沿所述圆筒(6)的内侧壁上下滑动；对顶砧(1)，其部分的设置于所述圆筒(6)内，压设于所述滑块(3)的上表面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：武雪飞，丁琨，窦秀明，孙宝权，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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