【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳化硅的制备方法，特别是ー种低温电解制备碳化硅的方法。
技术介绍
碳化硅是ー种共价键化合物，具有类金刚石的四面体结构，因具有高硬度和机械強度，和好的高温热导性和稳定性及良好的化学稳定性而在化工、机械、航空航天和军ェ领域有着广泛的应用。目前碳化硅的合成方法主要有碳热还原方法，即以ニ氧化硅和碳为原料基于化学反应SiO2 + 3C = SiC + 2C0丨的生产SiC，其优点是原材料丰富价廉，但其合成温度在1700°C左右，生产能耗大，且温室气体排放高；聚合物热解法，利用含硅有机聚合物在一定温度下热解形成气相Si和C，然后基于反应Si (g) + C(g) = SiC (s)，在相对低温(100CTC左右)下合成 SiC (C. Shih, J. S. Tulenko, R. H. Baney, Low-temperature synthesis 01 silicon carbide inert matrix fuel tnrough a polymer precursorroute, Journa of Nuclear Materials, 2011,...
【技术保护点】
一种低温电解制备碳化硅的方法，其特征在于：以二氧化硅/碳复合材料为原料，采用三电极体系，以二氧化硅/碳复合材料电极为工作电极，石墨等惰性电极为辅助电极，耐高温Ag/AgCl电极或铂电极为参比电极，连接工作电极、辅助电极和参比电极的导线采用耐高温的金属钼线或银线，以含无水CaCl2的熔盐为电解质，将上述电极和电解质放入石墨罐中，然后将石墨罐置入高温合金加工的反应釜内，？将连接电极的导线从反应釜顶部密封盖引出，并将反应釜置于热处理炉或加热炉中，之后，将连接各电极的导线与加热炉外的恒电位仪对应的电极控制端连接，然后向反应釜内通入惰性气体，并将反应釜在惰性气氛下从室温加热到550？...
【技术特征摘要】
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