一种聚二苯基硅亚甲基硅烷复合薄膜的制备方法技术

本发明专利技术涉及有机硅聚合物基纳米复合薄膜，特指一种聚二苯基硅亚甲基硅烷复合薄膜的制备方法，包括TPDC单体薄膜的制备步骤、单体薄膜表面沉积金属纳米粒子的步骤和TPDC开环聚合成金属纳米粒子/PDPhSM复合薄膜的步骤，本发明专利技术所述的金属纳米粒子/聚二苯基硅亚甲基硅烷复合薄膜制备方法的有益效果主要体现在：（1）所述TPDC单体膜表面沉积的金属纳米粒子种类繁多，可以为各种金属；（2）所沉积的金属纳米粒子尺寸及形貌可控。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机硅聚合物基纳米复合薄膜，特指。
技术介绍
有机娃聚合物材料具有良好的热学、机械和光电性能，且无毒无味、形态多样，近30年来国内外材料科学工作者对其进行了广泛的研究，在声、光、电、磁等功能材料方面取得了很多可喜的成果；由于聚二苯基娃亚甲基娃烧(Polydiphenysilylenemethylene, PDPhSM)具有高热稳定性(397°C以上)，因而引起了人们的特殊兴趣，研究发现，TOPhSM可以在紫外激光辐照下发出长余辉可见光，这一奇异的光学性能使得I3DPhSM在光学器件领域成为一种具有广阔应用前景的材料而倍受重视，然而，由于该类材料在大多数溶剂中不溶解且熔点较高，因此很难用现有的方法(如自旋涂膜法)将其制备成薄膜；F. Rossignol等人发 展了一种利用直流派射在I, I, 3，3-四苯基-I, 3- 二娃环丁烧(1，I, 3，3-Tetraphenyl-l, 3-disilacyclobutane, TPDC)单体薄膜上沉积金属纳米粒子后,再加热发生开环聚合反应的新技术，成功地制备出了有机硅聚合物I3DPhSM基纳米复合薄膜，如图I所示；但是这种技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种聚二苯基硅亚甲基硅烷复合薄膜的制备方法，包括TPDC单体薄膜的制备步骤、单体薄膜表面沉积金属纳米粒子的步骤和TPDC开环聚合成金属纳米粒子/？PDPhSM复合薄膜的步骤，其特征在于：所述单体薄膜表面沉积金属纳米粒子的步骤为：采用脉冲激光烧蚀技术将金属纳米粒子沉积在TPDC单体膜上，待沉积的金属作为靶材放置在靶托上，TPDC单体薄膜放置在衬底托上，激光烧蚀前，将反应腔体抽成1.33×10？4？Pa高真空，在激光烧蚀反应的同时，向反应腔体中引入氦气作为环境气氛，以保持反应腔体中的环境压力恒定，其范围为13.3？2666.4？Pa，激光波长为532？nm，激光能量密度为2.5？5.0？J/cm2...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宋仁国，王超，姜彦，
申请(专利权)人：常州大学，
类型：发明
国别省市：