一种半透明洁净防静电屏蔽膜制造技术

本实用新型专利技术涉及防静电技术领域，特别涉及一种半透明洁净防静电屏蔽膜，包括顺序排列的外表面静电耗散层、聚酯层、金属铝层、聚乙烯层与内表面静电耗散层，分别由涂布在所述聚酯层与聚乙烯层外表面的防静电液经干燥后形成。本实用新型专利技术的半透明洁净防静电屏蔽膜，具有洁净度高，阴离子含量低，可以有效防止阴离子与水分子结合而产生的具有强烈腐蚀作用的酸性物质，能有效保护电子元器件。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及防静电
，特别涉及ー种半透明洁净防静电屏蔽膜。
技术介绍
洁净防静电屏蔽膜广泛应用于电子半导体行业、国防エ业、记录磁盘行业、纤维光学器件制造业、电信无线电通讯业、医药业、汽车制造业等涉及敏感电子元器件加工、包装和封装等领域，用于保护敏感电子元件内部和表面不受微颗粒、湿气、静电释放和电磁干扰等伤害。目前市场上通用的防静电屏蔽膜，在微颗粒控制以及离子含量控制方面技术水平较低或者不作为控制项目，无法满足洁净条件的使用要求。
技术实现思路
针对上述现有技术存在的不足，本技术的目的是提供ー种半透明洁净防静电屏蔽膜，它具有洁净度高，阴离子含量低，可以有效防止阴离子与水分子结合而产生的具有強烈腐蚀作用的酸性物质，能有效保护电子元器件。为了实现上述目的，本技术所采用的技术方案是ー种半透明洁净防静电屏蔽膜，包括顺序排列的外表面静电耗散层、聚酯层、金属铝层、聚こ烯层与内表面静电耗散层。进ー步地，所述外表面静电耗散层与内表面静电耗散层分别由涂布在所述聚酯层与聚こ烯层外表面的防静电液经干燥后形成。进ー步地，所述外表面静电耗散层与内表面静电耗散层的电阻小于IXlO11欧姆，金属招层表面电阻小于100欧姆,静电屏蔽小于50V。进ー步地，材料厚度为0. 075mm,拉伸强度大于15N(TD&MD)，撕裂强度大于8N(TD&MD)，穿刺强度大于5N。所述外表面静电耗散层与内表面静电耗散层主要作用是阻止屏蔽膜内外表面静电的产生，提供释放外部电荷的途径；所述聚酯层(PET)经过特殊处理，提供材料的物理性能；所述金属铝(AL)提供法拉第笼原理的静电屏蔽保护；所述聚こ烯层(PE)，提供薄膜的热封面以及物理性能。本技术的各项性能符合ANSI/ESD S541，MIL-1686A，MIL-PRF-81705Rev D,Type III，GB-13022-91的相关要求。通过特定的抗静电配方，使包装袋洁净度能够满足记录磁盘行业的高标准要求，而且不含氨基化合物、硅油和酸ニ辛酯(DOP)，IC阴离子含量较低，氟离子(F_)小于0. 001 u g/cm2，氯离子(CF)小于0. 005 u g/cm2，亚硝酸根离子(NO2O小于0. 001 V- g/cm2,溴离子(Brつ小于0. 001 u g/cm2，硝酸根离子(NO3O小于0. 031 u g/cm2,磷酸根离子(P0/_)小于0. 001 ii g/cm2，硫酸根离子(S042_)小于0. 001 ii g/cm2,总的阴离子含量小于0.036 y g/cm2。与市场上普通的防静电屏蔽膜相比，本技术的阴离子含量仅为几十分之一，氯离子仅是二分之一，硝酸根离子仅是四分之一，氟离子、亚硝酸根离子、溴离子、磷酸根离子、硫酸根离子仅为十分之一，总的离子含量也仅为四分之一。同时，本技术也符合FTIR、RoHS, REACH、Halogen Free、PFOS, PFOA和PVC等有害物质的限量要求。本技术具有较高的洁净度，阴离子含量低，可以有效防止阴离子与水分子结合而产生的具有強烈腐蚀作用的酸性物质，有效保护电子器件。所具有的物理性能和防静电性能，可以按包装物的要求制作成各种形状及尺寸，并且能够达到抽真空包装的要求。半透明性能可以查看包装内部电子元器件的外观状况，通过湿度指示卡观察包装袋内的湿度变化情況。本技术适用于环境有无尘要求的生产、包装和测试等场合，符合磁头、硬盘等对洁净度有苛刻要求的高科技行业标准。 以下结合附图和实施例对本技术进ー步说明。图I是本技术的结构示意图；图中1、外表面静电耗散层；2、聚酯层；3、金属铝层；4、聚こ烯层；5、内表面静电耗散层。具体实施方式下面结合实施例对本技术进行详细描述，本部分的描述仅是示范性和解释性的，不应对本技术的保护范围有任何的限制作用。实施例，见图I所示本技术是ー种半透明洁净防静电屏蔽膜，包括顺序排列的外表面静电耗散层I、聚酯层2、金属铝层3、聚こ烯层4与内表面静电耗散层5 ;所述外表面静电耗散层I与内表面静电耗散层5分别由涂布在所述聚酯层2与聚こ烯层4外表面的防静电液经干燥后形成。首先采用常规流延法或吹膜法将聚酯和聚こ烯拉伸至所需厚度的薄膜，分别制成聚酯层2与聚こ烯层4 ;再利用真空镀铝技术在聚酯层2内侧表面镀上金属铝层3，制成镀铝聚酯，其金属铝层3的厚度为150埃左右；然后将镀铝聚酯的金属铝层3和聚こ烯层4利用干式复合法均匀地复合在一起，最后在复合材料两外表面分别涂布ー层防静电液，充分干燥。防静电液采用原液与异丙醇或酒精配制获得，原液与溶剂的比例是I : 350 I 500，干燥温度35°C 55°C，干燥运行线速度40 80m/min。以上所述仅是本技术的较佳实施方式，故凡依本技术专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均包括于本技术专利申请范围内。权利要求1.ー种半透明洁净防静电屏蔽膜,其特征在于包括顺序排列的外表面静电耗散层(I)、聚酯层(2)、金属铝层(3)、聚こ烯层(4)与内表面静电耗散层(5)。2.根据权利要求I所述的ー种半透明洁净防静电屏蔽膜，其特征在于所述外表面静电耗散层(I)与内表面静电耗散层(5)分别由涂布在所述聚酯层(2)与聚こ烯层(4)外表面的防静电液经干燥后形成。3.根据权利要求I所述的ー种半透明洁净防静电屏蔽膜，其特征在于所述外表面静电耗散层⑴与内表面静电耗散层⑷的电阻小于I X IO11欧姆；所述金属招层(3)表面电阻小于100欧姆，静电屏蔽小于50V。4.根据权利要求I所述的ー种半透明洁净防静电屏蔽膜，其特征在于材料厚度为O.075mm,拉伸强度大于15N,撕裂强度大于8N,穿刺强度大于5N。专利摘要本技术涉及防静电
，特别涉及一种半透明洁净防静电屏蔽膜，包括顺序排列的外表面静电耗散层、聚酯层、金属铝层、聚乙烯层与内表面静电耗散层，分别由涂布在所述聚酯层与聚乙烯层外表面的防静电液经干燥后形成。本技术的半透明洁净防静电屏蔽膜，具有洁净度高，阴离子含量低，可以有效防止阴离子与水分子结合而产生的具有强烈腐蚀作用的酸性物质，能有效保护电子元器件。文档编号B65D65/40GK202642436SQ201220180928公开日2013年1月2日 申请日期2012年4月25日 优先权日2012年4月25日专利技术者郭先正 申请人:卫利净化产品(上海)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半透明洁净防静电屏蔽膜，其特征在于：包括顺序排列的外表面静电耗散层(1)、聚酯层(2)、金属铝层(3)、聚乙烯层(4)与内表面静电耗散层(5)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭先正，
申请(专利权)人：卫利净化产品上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：