光半导体、使用了它的光半导体电极和光电化学单元、以及能量系统技术方案

技术编号：8164643 阅读：166 留言：0更新日期：2013-01-08 11:34

本发明专利技术的光半导体，是含有In、Ga、Zn、O和N的光半导体，具有在通式：In2xGa2(1-x)O3(ZnO)y(x和y满足0.2＜x＜1以及0.5≤y。)中、O的一部分由N置换了的组成，在所述通式中，优选x为0.5，此外优选y为1以上、6以下，更优选y为2或6。另外，本发明专利技术的光半导体，优选具有纤维锌矿型结晶构造。本发明专利技术的光半导体，可以实现更小的带隙，进行可视光的利用，并且载流子迁移率高，因此量子效率高，是优异的光半导体。