一种纳米工艺金属层版图的优化设计方法技术

本发明专利技术实施例提供一种纳米工艺金属层版图的优化设计方法，包括：对标准单元金属层版图完成物理设计后，对所述金属层版图的金属线布局及走线进行调整；优化所述金属层版图的输入端金属线的线宽及间距；优化所述金属层版图的输出端金属线的线宽及间距；优化所述金属层版图的边界金属线的线宽及间距，以使其满足预定线宽和预定间距。采用本发明专利技术实施例的优化方法，减少了金属层版图中的拐角，使金属层版图密度分布均匀，优化了金属层版图所需光学临近校正修正的面积，减少了光学临近校正修正数据量与修正时间，提高了芯片的可制造性，节约了芯片的制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造
，具体涉及。
技术介绍
在90nm以下的技术节点上，芯片的特征尺寸已经接近甚至小于光刻工艺中所使用的光波的波长。因此在光刻过程中，由于光波的干涉和衍射效应，实际晶圆上的光刻图形与版形之间存在一定的变形和偏差，光刻中的这种误差直接影响了芯片的可制造性 (Design For Manufacture, DFM)。为了得到高分辨率和更加逼真的版形,光学临近校正(Optical Proximity Correction,0PC)等光刻技术被应用到掩膜制造工艺上，当光通过这种改进后的掩膜时，可以在光刻胶上产生和版形尽可能接近的图形。光学临近校正(OPC)技术，通过改变掩膜上图形的形状来使晶圆上得到的图形和版形尽量相似。如图I所示，为现有技术中采用OPC技术对版形进行修正的示意图，图Ia中，左侧图形是通过添加宽度偏移来消除线条宽度变化；中间的图形是通过在线条末尾添加锤子头形状(Ha_erhead)的模块来消除线条变短；右侧的图形是通过在线条拐角处添加衬线(Serif)来消除拐角变圆；图Ib是OPC校正技术综合运用后得到的掩模图形的例子。虽然采用OPC校正技术能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米工艺金属层版图的优化设计方法，其特征在于，包括：对标准单元金属层版图完成物理设计后，对所述金属层版图的金属线布局及走线进行调整；优化所述金属层版图的输入端金属线的线宽及间距；优化所述金属层版图的输出端金属线的线宽及间距；优化所述金属层版图的边界金属线的线宽及间距，以使其满足预定线宽和预定间距。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵浙业，陈岚，尹明会，赵劼，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：