【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及的是光电材料领域,具体涉及ー种ZnO薄膜光电材料的制备方法。
技术介绍
不同的制备方法制备的ZnO薄膜其结构和发光特性有着很大的不同。ZnO薄膜常用的制备方法有物理和化学两大类,物理方法主要有溅射法、脉冲激光烧蚀法和蒸发法等;化学方法主要有化学汽相淀积法(CVD)和喷吐高温分解法等。但是这些方法生长的ZnO薄膜通常为多晶结构,缺陷较多,必须再通过高温退火改善薄膜的结构,使薄膜具有好的发光特性。若药制造出质量高的单晶材料,所用设备和衬底材料昂贵,成本太高;而传统的这些方法制备的ZnO用来制造激光器,也具有一定的缺陷。
技术实现思路
针对现有技术上存在的不足,本专利技术目的是在于提供,它的薄膜质量高,性能优越,能够制造出质量高的激光器。为了实现上述目的,本专利技术是通过如下的技术方案来实现它的制备方法为(1)首先将选好的衬底材料蓝宝石、石英晶体和硅片等清洗干净、烘干备用;(2)先将清洗好的衬底固定在真空室中的衬底托盘上,保持良好的面接触以便热传导均匀,然后关闭真空室,先打开电源,再打开机械泵和低真空阀门预抽真空室内气体得到底真空;(3)开始使用分子泵工作 ...
【技术保护点】
一种光电材料的制备方法,其特征在于,它的制备方法为:(1)首先将选好的衬底材料蓝宝石、石英晶体和硅片等清洗干净、烘干备用;(2)先将清洗好的衬底固定在真空室中的衬底托盘上,保持良好的面接触以便热传导均匀,然后关闭真空室,先打开电源,再打开机械泵和低真空阀门预抽真空室内气体得到底真空;(3)开始使用分子泵工作,抽吸使其可达到系统的基础真空8×104Pa;(4)?使得真空室内的氧气压强达到预定的氧分压值,再引入氩气;(5)当压强达到设定值之后即可开始溅射,最后进行溅射制备薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:郭荔辉,
申请(专利权)人:昆山铭佳利电子制品有限公司,
类型:发明
国别省市:
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