一种光电材料的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种光电材料的制备方法，具体涉及光电材料领域。它的制备方法为：(1)首先将选好的衬底材料蓝宝石、石英晶体和硅片等清洗干净、烘干备用；(2)先将清洗好的衬底固定在真空室中的衬底托盘上，保持良好的面接触以便热传导均匀,然后关闭真空室,先打开电源，再打开机械泵和低真空阀门预抽真空室内气体得到底真空；(3)开始使用分子泵工作，抽吸使其可达到系统的基础真空8×104Pa；(4)使得真空室内的氧气压强达到预定的氧分压值，再引入氩气；(5)当压强达到设定值之后即可开始溅射，最后进行溅射制备薄膜。它的薄膜质量高，性能优越，能够制造出质量高的激光器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是光电材料领域，具体涉及ー种ZnO薄膜光电材料的制备方法。
技术介绍
不同的制备方法制备的ZnO薄膜其结构和发光特性有着很大的不同。ZnO薄膜常用的制备方法有物理和化学两大类，物理方法主要有溅射法、脉冲激光烧蚀法和蒸发法等；化学方法主要有化学汽相淀积法(CVD)和喷吐高温分解法等。但是这些方法生长的ZnO薄膜通常为多晶结构，缺陷较多，必须再通过高温退火改善薄膜的结构，使薄膜具有好的发光特性。若药制造出质量高的单晶材料，所用设备和衬底材料昂贵，成本太高；而传统的这些方法制备的ZnO用来制造激光器，也具有一定的缺陷。
技术实现思路
针对现有技术上存在的不足，本专利技术目的是在于提供，它的薄膜质量高，性能优越，能够制造出质量高的激光器。为了实现上述目的，本专利技术是通过如下的技术方案来实现它的制备方法为(1)首先将选好的衬底材料蓝宝石、石英晶体和硅片等清洗干净、烘干备用；(2)先将清洗好的衬底固定在真空室中的衬底托盘上，保持良好的面接触以便热传导均匀，然后关闭真空室，先打开电源，再打开机械泵和低真空阀门预抽真空室内气体得到底真空；(3)开始使用分子泵工作，抽吸使其可达到系统的基础真空8X 104Pa ； (4)使得真空室内的氧气压强达到预定的氧分压值，再引入氩气；(5)当压强达到设定值之后即可开始溅射，最后进行溅射制备薄膜。所述的制备方法(I)中衬底材料通过去离子水冲洗干净。所述的制备方法(3)中衬底需要加热时，在抽取真空的同时，使衬底达到预定的温度。本专利技术的薄膜质量高，性能优越，能够制造出质量高的激光器。具体实施例方式为使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进ー步阐述本专利技术。本具体实施方式采用以下技术方案它的制备方法为(1)首先将选好的衬底材料蓝宝石、石英晶体和硅片等清洗干净、烘干备用；(2)先将清洗好的衬底固定在真空室中的衬底托盘上，保持良好的面接触以便热传导均匀，然后关闭真空室，先打开电源，再打开机械泵和低真空阀门预抽真空室内气体得到底真空；(3)开始使用分子泵工作，抽吸使其可达到系统的基础真空8X104Pa ;(4)使得真空室内的氧气压强达到预定的氧分压值，再引入氩气；(5)当压强达到设定值之后即可开始溅射，最后进行溅射制备薄膜。值得注意的是，所述的制备方法(I)中衬底材料通过去离子水冲洗干净。值得注意的是，所述的制备方法(3)中衬底需要加热时，在抽取真空的同时，使衬底达到预定的温度。本具体实施方式的薄膜质量高，性能优越，能够制造出质量高的激光器。以上显示和描述了本专利技术的基本原理和主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变 化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。权利要求1.，其特征在于，它的制备方法为(1)首先将选好的衬底材料蓝宝石、石英晶体和硅片等清洗干净、烘干备用；(2)先将清洗好的衬底固定在真空室中的衬底托盘上，保持良好的面接触以便热传导均匀，然后关闭真空室，先打开电源，再打开机械泵和低真空阀门预抽真空室内气体得到底真空；(3)开始使用分子泵工作，抽吸使其可达到系统的基础真空8X104Pa ;(4)使得真空室内的氧气压强达到预定的氧分压值，再引入氩气；(5)当压强达到设定值之后即可开始溅射，最后进行溅射制备薄膜。2.根据权利要求I所述的，其特征在于，所述的制备方法(I)中衬底材料通过去离子水冲洗干净。3.根据权利要求I所述的，其特征在于，所述的制备方法(3)中衬底需要加热时，在抽取真空的同时，使衬底达到预定的温度。全文摘要本专利技术公开了，具体涉及光电材料领域。它的制备方法为(1)首先将选好的衬底材料蓝宝石、石英晶体和硅片等清洗干净、烘干备用；(2)先将清洗好的衬底固定在真空室中的衬底托盘上，保持良好的面接触以便热传导均匀,然后关闭真空室,先打开电源，再打开机械泵和低真空阀门预抽真空室内气体得到底真空；(3)开始使用分子泵工作，抽吸使其可达到系统的基础真空8×104Pa；(4)使得真空室内的氧气压强达到预定的氧分压值，再引入氩气；(5)当压强达到设定值之后即可开始溅射，最后进行溅射制备薄膜。它的薄膜质量高，性能优越，能够制造出质量高的激光器。文档编号C23C14/34GK102851644SQ20121032895公开日2013年1月2日 申请日期2012年9月7日 优先权日2012年9月7日专利技术者郭荔辉 申请人:昆山铭佳利电子制品有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电材料的制备方法，其特征在于，它的制备方法为：(1)首先将选好的衬底材料蓝宝石、石英晶体和硅片等清洗干净、烘干备用；(2)先将清洗好的衬底固定在真空室中的衬底托盘上，保持良好的面接触以便热传导均匀,然后关闭真空室,先打开电源，再打开机械泵和低真空阀门预抽真空室内气体得到底真空；(3)开始使用分子泵工作，抽吸使其可达到系统的基础真空8×104Pa；(4)？使得真空室内的氧气压强达到预定的氧分压值，再引入氩气；(5)当压强达到设定值之后即可开始溅射，最后进行溅射制备薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭荔辉，
申请(专利权)人：昆山铭佳利电子制品有限公司，
类型：发明
国别省市：