【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光半导体装置用弓I线框架及其制造方法、以及光半导体装置。
技术介绍
光半导体装置用引线框架被广泛用作例如将LED (Light Emitting Diode)元件等 作为光半导体元件的发光元件利用到光源的各种显示用/照明用光源的构成部件。关于该光半导体装置，例如在基板上配置引线框架，在该引线框架上搭载了发光元件之后，为了防止由热、湿气、氧化等外部因素所引起的发光元件或其周边部位的劣化，用树脂或陶瓷等将发光元件及其周围密封。在使用了引线框架的LED的情况下，通过冲压或蚀刻加工而将铜条等原材料制成落料形状后，实施Ag或Au/Pd等的电镀来使用。但是，在使用LED元件作为照明用光源时，引线框架的反射材料被要求在可见光波长(400 800nm)的整个区域中具有高反射率(例如对于硫酸钡或氧化铝等基准物质的反射率为80%以上)。而且，近年来发出紫外线(包含近紫外线)的LED的用途扩大，在使用紫外线的测量/分析设备的光源、基于光催化剂作用的空气净化装置、紫外线传感器、紫外硬化树脂的硬化用光源等中也使用利用了 LED元件的光半导体装置。该光半导体装置的反射材料被要...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.06.15 JP 2010-136596;2010.06.23 JP 2010-142661.一种光半导体装置用引线框架，其在基体的最表面的至少单面或双面的一部分或整个面上具备反射层，其特征在于， 所述反射层至少在反射光半导体元件发出的光的区域的最表面具有由金属或其合金构成的镀组织的至少表面发生了机械变形的组织。2.根据权利要求I所述的光半导体装置用引线框架，其特征在于， 所述反射层的利用接触针式表面粗糙度计测量的表面粗糙度Ra为O. OlO μ m以上，且利用原子力显微镜测量的表面粗糙度Sa为50nm以下。3.根据权利要求2所述的光半导体装置用引线框架，其特征在于， 所述反射层由银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、钼(Pt)、铝(Al)、铑(Rh)中的任意一种或它们的合金构成。4.根据权利要求I所述的光半导体装置用引线框架，其特征在于， 所述反射层由银构成，至少在其表面，由于机械变形而残留的由银构成的镀组织的面积比为50%以下。5.根据权利要求I 4中的任意一项所述的光半导体装置用引线框架，其特征在于， 发生了所述机械变形的反射层的厚度为O. 2 10 μ m。6.根据权利要求I或5所述的光半导体装置用引线框架，其特征在于， 形成所述反射层的金属或其合金为银、银-锡合金、银-铟合金、银-铑合金、银-钌合金、银-金合金、银-钯合金、银-镍合金、银-硒合金、银-锑合金或银-钼合金。7.根据权利要求I 6中的任意一项所述的光半导体装置用引线框架，其特征在于， 所述基体由铜、铜合金、铁、铁合金、铝或铝合金构成。8.根据权利要求I 7中的任意一项所述的光半导体装置用引线框架，其特征在于， 所述基体在其之上具备η层金属层，其中η为I以上的整数，且所述反射层直接或隔着至少I层所述金属层而设置在所述基体上。9.根据权利要求I 8中的任意一项所述的光半导体装置用引线框架，其特征在于， 至少在需要焊接的部分具有由银、银合金、锡、锡合金、金或金合金中的任意一种构成的镀层。10.一种光半导体装置用引线框架原材料的制造方法，其用于制造权利要求I 8中的任意一项所述的半导体装置用引线框架的原材料，该制造方法的特征在于， 至少在基体的最表面的反射光半导体元件发出的光的区域中利用镀法形成由金属或其合金构成的反射层之后，实施机械加工而至少...
【专利技术属性】
技术研发人员：小林良聪，松田晃，铃木智，菊池伸，橘昭赖，座间悟，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：
国别省市：
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