一种控制高铝低锰CuAlMn记忆合金双程记忆回复率的方法技术

一种控制高铝低锰CuAlMn记忆合金双程记忆回复率的方法，属于记忆合金技术领域，其特征在于：高铝低锰CuAlMn记忆合金的丝材，尺寸为Ф0.5～2mm，化学成分为：Al?26～26.5wt%，Mn?5～5.5wt%，复合稀土添加剂0.3～0.8wt%，其余为铜。对于高铝低锰CuAlMn记忆合金丝材选取预应变量ε分别为2%、4%、6%、8%、10%，将高铝低锰CuAlMn低温记忆合金按照设定的不同预应变量做成圆状，然后进行记忆回复率测定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于记忆合金
,特指一种控制高招低猛CuAlMn记忆合金双程记忆回复率的方法。
技术介绍
高铝低锰CuAlMn记忆合金可以应用在超低温环境，如液氮温度下的工作环境(小于200K)。如果利用高铝低锰CuAlMn低温记忆合金来制作一个控温阀，使其在高温时自动 把液氮瓶口打开，释放出液氮制冷，当温度降低到所需要的低温时又自动把瓶口关闭，这样就可以减少低温系统中液氮的流量，从而能够有效地减少液氮的消耗量，延长制冷装置的工作时间。用高招低猛CuAlMn记忆合金制作控温阀中的一个动作元件，这个动作元件会根据工作环境温度而动作，从而起到控温阀门的作用。为了使高铝低锰CuZnAl合金记住低温形状、具有随温度的升降进行反复可逆动作的双程特性，需要进行恰当的记忆处理。一般采用约束训练法，就是将一定直径的训练约束棒对材料进行反复常温约束一加温一冷却一约束，如此循环20次，合金就具备双程记忆性能。但是约束棒直径(预应变量ε)不同，对材料双程记忆回复率有不同的影响，本专利技术提出了。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，其特征在于高招低猛CuAlMn记忆合金的丝材，尺寸为Φ0. 5 2mm,化学成分为A126 26. 5wt%，Mn5 5. 5wt%,复合稀土添加剂O. 3 O. 8wt%，其余为铜。复合稀土添加剂化学成分为Nb 30 40wt%、Ce20 30wt%、La 10 20wt%、Y +Pr + Eu +Gd +Tb+Ho +Er +Tm +Lu 为 10 20wt%，余为铜。对上述丝材选取预应变量ε分别为2%、4%、6%、8%、10%，将高铝低锰CuAlMn低温记忆合金按照设定的不同预应变量做成园状，然后进行记忆回复率测定。其结果是，预应变量大于2%以后，随着预应变量的增加，高铝低锰CuAlMn低温记忆合金双程记忆回复率提高。但是预变形量超过8%以后，双程记忆回复率有所下降。所以对于高铝低锰CuAlMn记忆合金，预应变量应控制在4% 8%范围内。附图说明 图I预应变量与记忆回复率的关系 由图I可以看出预应变量应在4% 8%范围内，高铝低锰CuAlMn低温记忆合金的记忆回复率最闻。具体实施例方式实施例I选取预应变量ε分别为2%，将高铝低锰CuAlMn低温记忆合金按照设定的预应变量做成园状，然后进行记忆回复率测定。其结果是，预应变量为2%时，CuAlMn低温记忆合金双程记忆回复率是78%。实施例2 选取预应变量ε分别为4%，将高铝低锰CuAlMn低温记忆合金按照设定的预应变量做成园状，然后进行记忆回复率测定。其结果是，预应变量为4%时，CuAlMn低温记忆合金双程记忆回复率是86%。实施例3 选取预应变量ε分别为6%，将高铝低锰CuAlMn低温记忆合金按照设定的预应变量做成园状，然后进行记忆回复率测定。其结果是，预应变量为6%时，CuAlMn低温记忆合金双程记忆回复率是86%。 实施例4 选取预应变量ε分别为8%，将高铝低锰CuAlMn低温记忆合金按照设定的预应变量做成园状，然后进行记忆回复率测定。其结果是，预应变量为8%时，CuAlMn低温记忆合金双程记忆回复率是86%。实施例5 选取预应变量ε分别为10%，将高铝低锰CuAlMn低温记忆合金按照设定的预应变量做成园状，然后进行记忆回复率测定。其结果是，预应变量为10%时，CuAlMn低温记忆合金双程记忆回复率是82%。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种控制高铝低锰CuAlMn记忆合金双程记忆回复率的方法，其特征在于：高铝低锰CuAlMn记忆合金的丝材，尺寸为Ф0.5～2mm，化学成分为：Al26～26.5wt%，Mn5～5.5wt%，复合稀土添加剂0.3～0.8wt%，其余为铜；复合稀土添加剂化学成分为：Nb？30～40wt％、Ce20～30wt％、La？10～20wt％、Y？+Pr？+？Eu？+Gd？+Tb？+Ho？+Er？+Tm？+Lu为10～20wt%，余为铜。

【技术特征摘要】
1.一种控制高铝低锰CuAlMn记忆合金双程记忆回复率的方法，其特征在于高铝低锰CuAlMn记忆合金的丝材,尺寸为Φ0. 5 2mm,化学成分为A126 26. 5wt%,Mn5 5. 5wt%,复合稀土添加剂O. 3 O. 8wt%，其余为铜；复合稀土添加剂化学成分为Nb 30 40wt%、Ce20 30wt%、La 10 20wt%、Y +Pr + Eu +Gd +Tb +Ho +Er +Tm +Lu 为 10 20wt%，余为铜。2.根据权利要求I所述一种控制高铝低锰CuAlMn记忆合金双...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨嵩，李晓薇，齐克尧，刘光磊，司松海，刘海霞，
申请(专利权)人：镇江忆诺唯记忆合金有限公司，
类型：发明
国别省市：