SRAM的读出电路制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种SRAM的读出电路，其包括放大电路模块，钳位电路模块，推挽电路模块，选择输出电路模块，输出电路模块；所述放大电路模块放大并输出SRAM阵列块中数据，包括灵敏放大器，灵敏放大器的SA输入端接灵敏放大器使能控制信号和灵敏放大器选择信号，两个SA输出端所在的第一PMOS管和第二PMOS管的漏极分别共接于第一、第二输出接点，所述钳位电路模块在有效信号来之前将第一、第二输出接点的电位拉伸至低电平，所述推挽电路模块将第一、第二输出接点的电位进行取相反的处理后选择输出；本实用新型专利技术SRAM的读出电路提高了电路的读取速度及电路的稳定性，缩小了电路的版图面积。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及静态随机存取存储器(SRAM)单元电路，尤其涉及对SRAM储存单元中的数据进行读取的读出电路。
技术介绍
SRAM作为半导体存储器中重要的一种，其具有很高的传输速度和较低的功耗，因此被广泛地应用于各种集成电路中。整体上，SRAM单元包括单元阵列和外围电路两部分，其中单元阵列是SRAM单元的核心，其由SRAM存储单元按照行和列排列而成；而外围电路包括输入输出电路、时序产生电路、行译码电路以及放大读出电路等，其中放大读出电路将指定单元中的存储数据进行采样放大后，将其传送至输出缓冲器中。如图I所示为一种现有的SRAM的读出电路，其包括多数个存储阵列块，图中只显 示出两个存储阵列块11、12，其电路行为相同，每一存储阵列块11包括复数个SRAM存储单元，灵敏放大器SA电路模块，以及锁存电路模块13、14，所述灵敏放大器SA对对应的存储阵列中的单元数据进行采集放大并将数据锁存，并通过区域使能信号Bank_SA_Enable对其进行选择输出，通过全局位线Global_Bit_Line将数据传至输出电路15进行输出。然由于区域使能信号Bank_SA_Enable只有一个有效，因此电路结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SRAM的读出电路，其特征在于：包括：放大电路模块，用于分别对复数SRAM存储阵列块中的数据进行放大并输出至第一输出接点和第二输出接点；钳位电路模块，对所述第一输出接点和第二输出接点的电位在有效信号来之前拉伸至低电平；推挽电路模块，将所述第一输出接点和第二输出接点的电位进行取相反的处理；选择输出电路模块，选择将所述第一输出接点和第二输出接点的数据分别传送至全局位线上；输出电路模块，将全局位线上的数据进行选择输出；以及复数控制信号，控制所述模块的开启与断开，包括放大器选择信号，阵列放大器使能信号和阵列选择信号。

【技术特征摘要】
1.一种SRAM的读出电路，其特征在于包括 放大电路模块，用于分别对复数SRAM存储阵列块中的数据进行放大并输出至第一输出接点和第二输出接点； 钳位电路模块，对所述第一输出接点和第二输出接点的电位在有效信号来之前拉伸至低电平； 推挽电路模块，将所述第一输出接点和第二输出接点的电位进行取相反的处理； 选择输出电路模块，选择将所述第一输出接点和第二输出接点的数据分别传送至全局位线上； 输出电路模块，将全局位线上的数据进行选择输出；以及 复数控制信号，控制所述模块的开启与断开，包括放大器选择信号，阵列放大器使能信号和阵列选择信号。2.根据权利要求I所述的SRAM的读出电路，其特征在于所述放大电路模块包括复数灵敏放大器，所述每一灵敏放大器具有SA输入端和SA输出端，所述SA输入端接由所述放大器选择信号和阵列放大器使能信号通过逻辑运算的输出信号。3.根据权利要求I或2所述的SRAM的读出电路，其特征在于所述放大器选择信号为灵敏放大器选择信号，所述阵列放大器使能信号为阵列放大器使能信号。4.根据权利要求2所述的SRAM的读出电路，其特征在于所述SA输出端包括第一SA输出端和第二 SA输出端。5.根据权利要求4所述的SRAM的读出电路，其特征在于所述每一第一SA输出端和第二 SA输出端分别接第一 PMOS管的栅极和第二 PMOS管的栅极，其中所有第一 PMOS管的漏极共接于所述第一输出接点，所有第二 P...

【专利技术属性】
技术研发人员：王林，郑坚斌，吴守道，
申请(专利权)人：苏州兆芯半导体科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：