基于SQUID一阶梯度计的工频噪声抑制装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基于SQUID一阶梯度计的工频噪声抑制装置，应用于极低场核磁共振系统中，包括杜瓦、SQUID一阶梯度计、SQUID二阶梯度计和读出电路；所述SQUID一阶梯度计和所述SQUID二阶梯度计均设置在所述杜瓦内；所述杜瓦用于存储低温液体；所述SQUID一阶梯度计用于探测环境磁场中的工频噪声；所述SQUID二阶梯度计用于探测极低场核磁共振系统中的核磁共振信号；所述读出电路用于读出所述SQUID一阶梯度计和所述SQUID二阶梯度计的输出电压，并处理得到工频噪声抑制后的核磁共振信号。本发明专利技术的基于SQUID一阶梯度计的工频噪声抑制装置能够有效抑制工频噪声干扰，提高核磁共振信号的信噪比。

【技术实现步骤摘要】
基于SQUID一阶梯度计的工频噪声抑制装置
本专利技术涉及超导电子学的
，特别是涉及一种基于SQUID一阶梯度计的工频噪声抑制装置。
技术介绍
超导量子干涉器件(SuperconductingQuantumInterferenceDevice，SQUID)是一种能测量微弱磁信号的极其灵敏的仪器，就其功能而言是一种磁通传感器，不仅可以用来测量磁通量的变化，还可以测量能转换为磁通的其他物理量，如电压、电流、电阻、电感、磁感应强度、磁场梯度、磁化率等。SQUID的基本原理是建立在磁通量子化和约瑟夫森效应的基础上的。根据偏置电流的不同，分为直流和射频两类。SQUID作为探测器，可以测量出10-11高斯的微弱磁场，仅相当于地磁场的一百亿分之一，比常规的磁传感器灵敏度提高几个数量级，是进行超导、纳米、磁性和半导体等材料磁学性质研究的基本仪器设备，特别是对薄膜和纳米等微量样品是必需的。利用SQUID探测器侦测直流磁化率信号，灵敏度可达10-8emu；样品温度变化范围为1.9K～400K；磁场强度变化范围为0～70000高斯。核磁共振技术被广泛应用于凝聚态物理、分析化学、生物学和医学等领域，基于SQUID的极低场核磁共振的主磁场强度在地球磁场量级，被证明在检测异核标量耦合、纵向弛豫时间加权成像等方面具有明显优势。然而，如图1所示，环境磁场中的工频及其谐波干扰会严重影响极低场核磁共振系统中被测样品的核磁共振信号，进而影响谱线或成像质量。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种基于SQUID一阶梯度计的工频噪声抑制装置，由SQUID二阶梯度计构建信号通道，由SQUID一阶梯度计构建参考通道，利用工频谐波在参考通道和信号通道中的相关性补偿SQUID二阶梯度计的输出，从而抑制工频噪声干扰，提高核磁共振信号的信噪比。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种基于SQUID一阶梯度计的工频噪声抑制装置，应用于极低场核磁共振系统中，包括杜瓦、SQUID一阶梯度计、SQUID二阶梯度计和读出电路；所述SQUID一阶梯度计和所述SQUID二阶梯度计均设置在所述杜瓦内；所述杜瓦用于存储低温液体以提供所述SQUID一阶梯度计和所述SQUID二阶梯度计工作所需的低温环境；所述SQUID一阶梯度计用于探测环境磁场中的工频噪声；所述SQUID二阶梯度计用于探测极低场核磁共振系统中的核磁共振信号；所述读出电路分别与所述SQUID一阶梯度计和所述SQUID二阶梯度计相连，用于读出所述SQUID一阶梯度计和所述SQUID二阶梯度计的输出电压，并处理得到工频噪声抑制后的核磁共振信号。于本专利技术一实施例中，所述还包括屏蔽室，所述杜瓦和所述读出电路均设置在所述屏蔽室内，所述屏蔽室用于屏蔽环境磁场中的射频干扰。于本专利技术一实施例中，所述SQUID二阶梯度计包括二阶梯度计天线、天线支架和SQUID芯片；所述二阶梯度计天线绕制在所述天线支架上，并通过环氧组件与所述SQUID芯片固定。于本专利技术一实施例中，所述SQUID一阶梯度计包括一阶梯度计天线、天线支架和SQUID芯片；所述一阶梯度计天线绕制在所述天线支架上，并通过环氧组件与所述SQUID芯片固定。于本专利技术一实施例中，所述SQUID一阶梯度计的一阶梯度计天线的方向须与所述SQUID二阶梯度计的二阶梯度计天线的方向一致。于本专利技术一实施例中，所述杜瓦内设置有环氧板，所述SQUID一阶梯度计与所述SQUID二阶梯度计均固定在所述环氧板上，所述环氧板固定于所述杜瓦的杜瓦塞上。于本专利技术一实施例中，所述读出电路通过带有射频屏蔽层的低温线与所述SQUID一阶梯度计和所述SQUID二阶梯度计分别相连。于本专利技术一实施例中，所述读出电路通过雷莫连接器固定在所述杜瓦的杜瓦塞上。于本专利技术一实施例中，所述读出电路包括磁通锁定电路和控制电路；所述磁通锁定电路用于提供工作电流至所述SQUID一阶梯度计和所述SQUID二阶梯度计；所述控制电路用于控制所提供工作电流的大小。于本专利技术一实施例中，所述读出电路将所述SQUID二阶梯度计探测到的核磁共振信号减去所述SQUID一阶梯度计探测到的工频噪声，得到抑制工频噪声后的核磁共振信号。如上所述，本专利技术的基于SQUID一阶梯度计的工频噪声抑制装置，具有以下有益效果：(1)由SQUID二阶梯度计构建信号通道，由SQUID一阶梯度计构建参考通道，利用工频谐波在参考通道和信号通道中的相关性补偿被测SQUID二阶梯度计的输出，抑制工频噪声干扰；(2)显著提升极低场核磁共振系统中核磁共振信号的信噪比；(3)能够抑制频率范围约为1kHz—10kHz的工频谐波干扰噪声；(4)既能够在屏蔽室内工作，也可以在外部电磁干扰较小的环境，如附近100米内没有地铁、汽车干扰的环境工作。附图说明图1显示为现有技术中环境磁场中的工频谐波噪声示意图；图2显示为本专利技术的基于SQUID一阶梯度计的工频噪声抑制装置的结构示意图。元件标号说明1杜瓦2SQUID一阶梯度计3SQUID二阶梯度计4读出电路具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。如图2所示，本专利技术的基于SQUID一阶梯度计的工频噪声抑制装置，应用于极低场核磁共振系统中，包括杜瓦1、SQUID一阶梯度计2、SQUID二阶梯度计3和读出电路4。SQUID一阶梯度计2和SQUID二阶梯度计3均设置在杜瓦1内。优选地，极低场是指磁场强度小于2.5高斯。杜瓦1用于存储低温液体以提供SQUID一阶梯度计2和SQUID二阶梯度计3工作所需的低温环境。优选地，杜瓦1包括杜瓦桶及杜瓦塞，杜瓦桶内放置有提供低温环境的低温液体，如液氦。SQUID一阶梯度计2用于探测环境磁场中的工频噪声。SQUID二阶梯度计3用于探测极低场核磁共振系统中的核磁共振信号。读出电路4分别与SQUID一阶梯度计2和SQUID二阶梯度计3相连，用于读出SQUID一阶梯度计2和SQUID二阶梯度计3的输出电压，并处理得到工频噪声抑制后的核磁共振信号。由于SQUID一阶梯度计2探测到的工频噪声和SQUID二阶梯度计3中含有的工频谐波噪声具有高度的一致性，故SQUID一阶梯度计2探测到的工频噪声可以有效消除SQUID二阶梯度计3探测到的核磁共振谱线或图像中的工频噪声，从而显著提高SQUID二阶梯度计3所获取的核磁共振信号的信噪比。具体地，将SQUID二阶梯度计3探测到的核磁共振信号减去SQUID一阶梯度计2探测到的工频噪声，即可得到抑制工频噪声后的核磁共振信号，从而显著提高核磁共振信号的信噪比。优选地，还包括屏蔽室(图中未示出)，杜瓦1和读出电路4均设置在屏蔽室内，屏蔽室用于屏蔽环境磁场中的射频干扰。具体地，屏蔽室5既可以屏蔽环境磁场中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于SQUID一阶梯度计的工频噪声抑制装置，其特征在于：应用于极低场核磁共振系统中，包括杜瓦、SQUID一阶梯度计、SQUID二阶梯度计和读出电路；所述SQUID一阶梯度计和所述SQUID二阶梯度计均设置在所述杜瓦内；所述杜瓦用于存储低温液体以提供所述SQUID一阶梯度计和所述SQUID二阶梯度计工作所需的低温环境；所述SQUID一阶梯度计用于探测环境磁场中的工频噪声；所述SQUID二阶梯度计用于探测极低场核磁共振系统中的核磁共振信号；所述读出电路分别与所述SQUID一阶梯度计和所述SQUID二阶梯度计相连，用于读出所述SQUID一阶梯度计和所述SQUID二阶梯度计的输出电压，并处理得到工频噪声抑制后的核磁共振信号。

【技术特征摘要】
1.一种基于SQUID一阶梯度计的工频噪声抑制装置，其特征在于：应用于极低场核磁共振系统中，包括杜瓦、SQUID一阶梯度计、SQUID二阶梯度计和读出电路；所述SQUID一阶梯度计和所述SQUID二阶梯度计均设置在所述杜瓦内；所述杜瓦用于存储低温液体以提供所述SQUID一阶梯度计和所述SQUID二阶梯度计工作所需的低温环境；所述SQUID一阶梯度计用于探测环境磁场中的工频噪声；所述SQUID二阶梯度计用于探测极低场核磁共振系统中的核磁共振信号；所述读出电路分别与所述SQUID一阶梯度计和所述SQUID二阶梯度计相连，用于读出所述SQUID一阶梯度计和所述SQUID二阶梯度计的输出电压，并处理得到工频噪声抑制后的核磁共振信号。2.根据权利要求1所述的基于SQUID一阶梯度计的工频噪声抑制装置，其特征在于：所述还包括屏蔽室，所述杜瓦和所述读出电路均设置在所述屏蔽室内，所述屏蔽室用于屏蔽环境磁场中的射频干扰。3.根据权利要求1所述的基于SQUID一阶梯度计的工频噪声抑制装置，其特征在于：所述SQUID二阶梯度计包括二阶梯度计天线、天线支架和SQUID芯片；所述二阶梯度计天线绕制在所述天线支架上，并通过环氧组件与所述SQUID芯片固定。4.根据权利要求1所述的基于SQUID一阶梯度计的工频噪声抑制装置，其特征在于：所述SQUID一阶梯度计包括一阶梯度计天线、天线支架和SQUID芯片；所述一阶梯度计天线绕制在所述天...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄小磊，邱阳，董慧，陶泉，李波，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海,31